国磊CAF测试系统

GT600每通道集成PPMU，具备nA级电流分辨率。在电源门控测试中，将PPMU连接至被门控模块的电源引脚（VDD）或地引脚（VSS），在门控信号（PG_EN）关闭后，测量该模块的静态电流（IDDQ）。若电流**高于设计预期（如>1μA），则表明存在异常漏电，可能由工艺缺陷或电源开关未完全关断导致。GT600支持多路**SMU/PPMU，可同时监测主电源域与被门控电源域的电流。测试时，保持主逻辑供电，关闭目标模块的电源门控信号，通过对比门控前后该域电流的变化，精确提取**由门控网络控制的漏电成分，排除其他模块干扰。GT600支持电压扫描（VoltageSweeping）和温控联动（通过探针台接口），可在高温（如125°C）和高电压条件下进行测试，放大漏电效应，提升缺陷检出率。例如，在VDD=1.2V、125°C下测量关断电流，可暴露常温下难以发现的微小漏电。通过GTFY软件系统编写C++脚本，可自动化执行：施加正常工作电压；发送指令进入低功耗模式并触发电源门控；延时稳定（如10ms）；启动PPMU进行电流采样；重复多次以验证一致性。该流程确保测试可重复，并能捕捉间歇性漏电。国磊GT600可验证电源门控（PowerGating）开关的漏电控制效果。国磊CAF测试系统

    GT600SoC测试机在测试高可靠性产品（如车规芯片、工业级MCU、航天电子、医疗设备芯片）时，展现出精度、***性、稳定性与可追溯性四大**优势，确保产品在极端环境下长期稳定运行。首先，高精度参数测量是可靠性的基石。GT600配备每通道PPMU（参数测量单元），可精确测量nA级静态漏电流（Iddq），识别因制造缺陷导致的微小漏电或潜在短路。这种“亚健康”芯片在常温下可能功能正常，但在高温或长期使用后极易失效。GT600通过精密筛查，提前剔除隐患，大幅提升产品早期失效率（InfantMortality）的控制能力。其次，支持***的可靠性测试项目。GT600可配合温控系统进行高温老化测试（Burn-in），在高温高压下运行芯片数百小时，加速暴露早期缺陷。其浮动SMU电源板卡能模拟车载12V/24V或工业设备的复杂电源环境，验证芯片在电压波动、负载突变下的稳定性。对于通信类高可靠产品，高精度TMU（10ps分辨率）可检测信号时序漂移，确保长期通信无误码。再次，高稳定性与长周期测试能力。GT600硬件设计冗余，散热优良，支持7x24小时连续运行，可执行长达数周的耐久性测试，模拟产品十年生命周期。128M向量深度确保长周期测试程序不中断，数据完整。***，数据可追溯性强。 南通CAF测试系统按需定制国磊GT600数字通道边沿精度100ps，确保模拟IC控制信号（如Enable、Reset）的建立与保持时间精确验证。

医疗成像芯片 CT、MRI、内窥镜等设备的图像传感器（CIS）和图像信号处理器（ISP）对图像质量要求极高。国磊GT600可通过高速数字通道测试ISP的图像处理算法（如降噪、边缘增强），并通过AWG注入模拟图像信号，验证成像链路的完整性与色彩还原度。 4. 植入式医疗设备芯片 心脏起搏器、神经刺激器等植入设备的芯片必须**功耗、超高可靠。国磊GT600的FVMI模式可精确测量uA级静态电流，筛选出“省电体质”芯片；其支持长时间老化测试，可模拟10年以上使用寿命，确保植入后万无一失。 综上，国磊GT600以“高精度、高可靠、全功能”测试能力，为国产**医疗芯片的上市提供了坚实的质量保障。

AI眼镜作为下一代可穿戴计算终端，正面临“功能丰富度、续航时长、设备重量”三者难以兼得的工程难题。为实现语音交互、实时翻译、环境感知与轻量化设计，其**SoC必须在极小面积内集成CPU、NPU、DSP、蓝牙/Wi-Fi射频、传感器接口与电源管理模块，同时在先进工艺节点下实现**静态功耗。这类高度集成的异构SoC对测试设备提出了严苛要求：不**需验证复杂功能逻辑，更要精确测量nA级漏电流、微瓦级动态功耗及多电源域切换时序。国磊GT600测试机支持每通道PPMU，可实现nA级IDDQ测量，**识别SoC在睡眠模式下的漏电异常，确保续航能力不受“隐形功耗”拖累。国磊GT600SoC测试机高密度集成设计降低系统体积与功耗，适配高通道数HBM测试的紧凑型测试台架部署。

工业物联网的“量产引擎” 工业物联网（IIoT）设备对芯片的可靠性与成本极为敏感，且需求量大。杭州国磊GT600的512站点并行测试能力，可一次测试512颗MCU或传感器芯片，极大提升测试吞吐量，***降低单颗测试成本。据行业测算，同测数每翻一倍，测试成本可下降30%以上。杭州国磊GT600支持长时间老化测试，筛选出能在高温、高湿、强电磁干扰环境下稳定运行的“工业级”芯片。其GTFY系统支持STDF数据导出，可无缝对接工厂MES系统，实现良率分析与智能制造。杭州国磊GT600以“高效率、高可靠、低成本”的优势，为国产IIoT芯片的大规模量产提供强大引擎，助力中国智造走向全球。国磊GT600SoC测试机通过输入/输出电平测试（VIH/VIL,VOH/VOL）验证数字接口的高低电平阈值与驱动能力。高性能绝缘电阻测试系统供应商

支持定制化线缆长度，适应各种测试环境需求。国磊CAF测试系统

    AI加速芯片（如思元系列）专为云端推理与边缘计算设计，**诉求是“高算力密度、***能效比、毫秒级稳定响应”。这类芯片往往集成数千个AI**与高速互联总线，测试复杂度高、功耗敏感、量产规模大，传统测试设备难以兼顾效率与精度。国磊GT600凭借512站点并行测试能力，可同时对512颗芯片进行功能与参数验证，极大缩短测试周期，摊薄单颗芯片成本——这对动辄数万片出货的数据中心级芯片而言，意味着数千万级成本优化。在功耗控制上，国磊GT600的PPMU单元可精确测量芯片在待机、轻载、满载等多场景下的静态与动态电流，结合FVMI（强制电压测电流）模式，验证芯片在不同电压域下的功耗表现，确保其在7x24小时运行的数据中心中实现“每瓦特算力比较大化”。同时，其高精度TMU（时间测量单元，10ps分辨率）可检测AI**间数据同步的时序抖动，避免因时钟偏移导致的推理错误或延迟波动，保障AI服务的稳定低时延。 国磊CAF测试系统