在JS-001-2012及MIL-STD-883H中,带电的人体都用100皮法(pF)电容器及1500欧姆的放电电阻来模拟。在测试过程中,电容会充电到数千伏(常见的是2kV、4kV、6kV及8kV),再借由电阻串联到被测器件进行放电。典型的HBM波形有2至10纳秒的上升时间、每千伏特0.67安培的电流,及200纳秒脉冲宽度的双重指数信号衰减波形。如果带电人体通过其手持的小金属物件,如钥匙、螺丝刀等对其他物体产生的放电称为人体-金属ESD模型,与典型的人体放电模型有明显的差别。人体-金属ESD产生的放电电流的峰值一般要比人体ESD大5~7倍。原因是金属物件的电极效应使得人体放电的等效电阻***变小。静电干扰电流的放电路径主要有两条:一条通过外壳流向大地,另一条通过内部PCB流向大地。湖南高浪涌ESD保护元件选型
静电是物体表面过剩或不足的静止电荷,是通过电子或离子的转移而形成的。一般固体静电电压可以达到20万伏以上,液体静电电压可以达到数万伏以上,人体静电电压可以达到1万伏以上。一般工业生产中,静电具有高电位、低电量、小电流和作用时间短的特点,设备或人体上的静电位比较高可达数万伏以至数千万伏。静电较之流电受环境条件,特别是湿度的影响比较大;静电测量时复现性差、瞬态现象多。测量静电是为静电防护工程设计和改善产品自身抗静电性能设计,提供数据和依据。湖南以太网接口ESD保护元件电压国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD,中文名称为静电阻抗器。
高频信号接口的ESD防护电路设计主要是致力于降低防护电路的并联结电容和串联电感,并要求防护器件有ns级的响应速度。在GHz以下的电路中选用低容值TVS和低容值快速开关二极管是比较廉价的方案,在GHz以上的电路中选用LC高通滤波器会有更加理想的ESD防护效果。ESD防护电路的防护能力与选用的防护器件、被保护器件的ESD敏感度、电路结构形式、布线等因素密切相关,一般无法直接确定一个防护电路单元的防护能力,必须把防护电路单元和被保护的具体电路作为一个整体并按照标准IEC61000-4-2的测试方法进行测试,以确定一个实际电路的防护效果。
MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的,均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一,所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通,MOS的栅极总是采用关断的连接方式,即栅接地的NMOS(Gate-Grounded NMOS,GG-NMOS)和栅接电源的PMOS(Gate-VDD PMOS,GD-PMOS)。MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的,均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一,所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通,MOS的栅极总是采用关断的连接方式,即栅接地的NMOS(Gate-Grounded NMOS,GG-NMOS)和栅接电源的PMOS(Gate-VDD PMOS,GD-PMOS)。ESD静电放电常见放电模型有:分别是HBM,MM, CDE。
在高频高速信号电路中,电路的特征阻抗较低,分布电容和分布电感对电路的阻抗匹配、信号质量会产生较大的影响,这要求设计的ESD防护电路具有很小的寄生参数,对信号质量和阻抗匹配产生**小的影响,即要保证高频信号尽量无损失地通过防护电路,同时ESD防护电路要对宽频谱的ESD信号具有较好的吸收和衰减性能,阻止ESD脉冲进入被保护电路。在中低频IC内部的I/O端口都可以设计ESD防护电路以提高器件的抗ESD能力,但是射频器件和高速数字IC内部的I/0端口一般无法直接设计ESD防护电路,因为防护电路的寄生参数(主要是结电容)将影响I/0端口的阻抗匹配、改变器件的频响特性。硅基ESD保护器件的结电容与其工作电压成反比关系。天津耳机接口ESD保护元件参数
ESD静电保护元件在选型时应注意其封装,电容,静电防护等级等参数。湖南高浪涌ESD保护元件选型
近年来中国电子工业持续高速增长,带动电子元器件产业强劲发展。中国许多门类的电子元器件产量已稳居全球前列,电子元器件行业在国际市场上占据很重要的地位。中国已经成为扬声器、铝电解电容器、显像管、印制电路板、半导体分立器件等电子元器件的世界生产基地。同时,国内外电子信息产业的迅猛发展给上游电子元器件产业带来了广阔的市场应用前景。在采购TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容时,不但需要灵活的业务能力,也需要掌握电子元器件的分类、型号识别、用途等专业基础知识,才能为企业提供更专业的采购建议。伴随我国电子信息产业规模的扩大,珠江三角洲、长江三角洲、环渤海湾地区、部分中西部地区四大电子信息产业基地初步形成。这些地区的电子信息企业集中,产业链较完整,具有相当的规模和配套能力。在互联网融合建设中,无论是网络设备还是终端设备都离不开各种元器件。网络的改造升级、终端设备的多样化设计都要依托关键元器件技术的革新。建设高速铁路,需要现代化的路网指挥系统、现代化的高速机车,这些都和电子元器件尤其是大功率电力电子器件密不可分。随着新能源的广泛应用,对环保节能型电子元器件产品的需求也将越来越大。这都为相关的元器件企业提供了巨大的市场机遇。但是,目前我国的电子元器件产品,无论技术还是规模都不足以支撑起这些新兴产业的发展。未来几年我国面对下游旺盛的需求新型电子元器件行业应提升技术水平扩大产能应对市场需求。湖南高浪涌ESD保护元件选型
上海来明电子有限公司依托可靠的品质,旗下品牌晶导微电子,意昇,美硕,成镐以高质量的服务获得广大受众的青睐。旗下晶导微电子,意昇,美硕,成镐在电子元器件行业拥有一定的地位,品牌价值持续增长,有望成为行业中的佼佼者。同时,企业针对用户,在TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容等几大领域,提供更多、更丰富的电子元器件产品,进一步为全国更多单位和企业提供更具针对性的电子元器件服务。来明电子始终保持在电子元器件领域优先的前提下,不断优化业务结构。在TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容等领域承揽了一大批高精尖项目,积极为更多电子元器件企业提供服务。
静电干扰电流的放电路径主要有两条:一条通过外壳流向大地(大部分电流);另一条通过内部PCB流向大地(小部分)。静电放电电流属于高频信号,集肤效应及金属外壳的低阻抗特性(测试中检查了金属外壳的搭接性能,确认良好,如果搭接不好,也将引起额外的干扰,如案例“静电放电十扰是如何引起的”中描述的那样)使得大部分的静电放电干扰电流会从金属外壳流人大地。既然大部分的静电放电干扰电流已经通过金属外壳流人大地,那为什么还会出现ADC的异常工作呢?ADC电路的设计肯定存在较薄弱的环节。检查电路发现,ADC存在模拟地和数字地,电路设计时为了使数字电路部分的干扰不影响模拟电路部分,在数字地和模拟地之问跨接了磁珠进行隔...