浙江盾形TVS结电容

TVS 台面缺陷造成的失效常常是批次性的。 TVS 制造工艺过程中造成芯片台面损伤的原因主要有两个:1)芯片在酸蚀成型时，由于氢氟酸、硝酸混合液配方过浓或温度过高而反应剧烈。2、烧焊过后进行碱腐蚀清洗时，腐蚀液浓度过大、温度过高而造成碱腐蚀清洗过重。台面缺陷或损伤的TVS 器件经过温度循环和箝位冲击等筛选试验后，进行电参数测试时通常表现为短路或击穿特性异常，从而被剔除。但轻微台面损伤的TVS 器件在筛选后电参数测试时不易被发现，可能被列为良品出厂。这些TVS 器件在使用过程中经受长时间热、电、机械等应力的作用后，台面缺陷加剧，在缺陷处形成载流子产生-复合中心，使表面反向漏电流**增加。大的表面反向漏电流使pn 结边缘温度升高，产生热电综合效应，**终导致pn结边缘半导体材料温度过高烧毁。相同功率的TVS，工作电压越高，通流量越低。浙江盾形TVS结电容

齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生。江西TVS测试来明电子可为客户国产替代TVS产品。

PN结的单向导电性PN结加正向电压时导通，PN结加正向电压时导通，（1）PN结加正向电压时导通，如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。

要减少 TVS 短路失效，首先应加强 TVS 制造工艺过程的控制，尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制，以减少或消除 TVS 的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在 10 %以下，采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制，这些都**提高了 TVS 的可靠性。其次，做到 TVS 的正确选型与安装，比较好对 TVS 进行降额使用，这样可使 TVS 承受的功率较小，使用可靠性**增加。此外，为使 TVS 发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到比较低，通常可在 TVS 前串接一条与之匹配的保险丝。TVS的结电容与TVS的功率成正比，相同电压下功率越大，结电容也越大。

高温当TVS器件工作温度超过其比较大允许工作温度时，易发生短路失效且通常发生在pn结表面。这是因为，在高温条件工作下，表面可动离子的数量**增加[5]，表面电流也随之增大，表面功率密度和温度比体内高，使pn结边缘结温超过200℃，边缘局部区域晶格遭受致命性的损坏。TVS在高温反偏筛选中短路失效情况统计表明:高击穿电压(150V以上)TVS器件更容易发生短路失效。这是因为在相同额定功率的TVS系列中，在承受相同功率时，高击穿电压TVS芯片温升更高。TVS array是将小功率TVS与二极管通过电路设计包封在特定封装内具有特定功能的器件.湖北方形TVS原理

600W的TVS产品一般贴片为SMB封装或者插件DO-15封装。浙江盾形TVS结电容

单向TVS的V-I特性，单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。，双向TVS的V-I特性，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为：，0.9≤V(BR)(正)/V（BR）(反)≤1.1，，一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便。。。。。浙江盾形TVS结电容

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