瞬变抑制二极管相关图片
  • 吉林瞬变抑制二极管供应商,瞬变抑制二极管
  • 吉林瞬变抑制二极管供应商,瞬变抑制二极管
  • 吉林瞬变抑制二极管供应商,瞬变抑制二极管
瞬变抑制二极管基本参数
  • 品牌
  • KXY
  • 型号
  • SMAJ12CA
  • 尺寸
  • /
  • 重量
  • /
  • 产地
  • /
  • 可售卖地
  • /
  • 是否定制
  • 材质
  • /
  • 配送方式
  • /
瞬变抑制二极管企业商机

8、外延型二极管用外延面长的过程制造 PN 结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。9、肖特基二极管基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N 型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与 PN 结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有 40V 左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间 trr 特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。瞬变抑制二极管,就选深圳市凯轩业电子科技,用户的信赖之选,欢迎您的来电哦!吉林瞬变抑制二极管供应商

吉林瞬变抑制二极管供应商,瞬变抑制二极管

整流二极管 (Rectifier Diode) 顾名思义,是指对一定频率的交流电进行整流的二极管。整流的主要目的是将交流转换为直流,其具有高电压、高电流特性。另外,根据使用频率和使用条件不同,转换效率有所不同,提供低VF(正向电压)、高速开关型、低噪音等产品。顾名思义,是指具有开关功能的二极管。此二极管具有正向施加电压时电流通过 (ON),反向施加电压时电流停止 (OFF) 的性能。反向恢复时间 (trr) 短,与其他二极管相比,开关特性优异使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。陕西哪里有瞬变抑制二极管深圳市凯轩业科技厂家直销,原装瞬变抑制二极管。

吉林瞬变抑制二极管供应商,瞬变抑制二极管

10、稳压二极管是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压(又称齐纳电压)从 3V 左右到 150V,按每隔 10%,能划分成许多等级。在功率方面,也有从 200mW 至 100W 以上的产品。工作在反向击穿状态,硅材料制作,动态电阻 RZ 很小,一般为 2CW 型;将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为 2DW 型。使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。

主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。反向恢复时间trr:指在规定的负载、正向电流及较大反向瞬态电压下的反向恢复时间。零偏压电容CO:指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA,而在100°C时IR则变为小于500uA 线性稳压电源是比较早使用的一类直流稳压电源,凯轩业电子科技有限公司。

吉林瞬变抑制二极管供应商,瞬变抑制二极管

1、检波用二极管就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于 100mA 的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达 400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为 2AP 型。类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专业使用的特性一致性好的两只二极管组合件。2、整流用二极管就原理而言,从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于 100mA 的叫整流。面结型,工作频率小于 KHz,较高反向电压从 25 伏至 3000 伏分 A~X 共 22 档。分类如下:①硅半导体整流二极管 2CZ 型、②硅桥式整流器 QL 型、③用于电视机高压硅堆工作频率近 100KHz 的 2CLG 型。主要用于稳定电流和电压,并具有降低电压输出的功能。凯轩业电子。四川瞬变抑制二极管制造公司

瞬变抑制二极管就选深圳市凯轩业科技,竭诚为您服务。吉林瞬变抑制二极管供应商

6、平面型二极管在半导体单晶片(主要地是 N 型硅单晶片)上,扩散 P 型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在 N 型硅单晶片上但选择性地扩散一部分而形成的 PN 结。因此,不需要为调整 PN 结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN 结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。 吉林瞬变抑制二极管供应商

与瞬变抑制二极管相关的**
与瞬变抑制二极管相关的标签
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责