激光二极管（Laser Diodes，LD）是一种激光发生器，其工作物质是半导体，属于固态激光器，大部分激光二极管在结构上与一般二极管相似。由于激光二极管在工作中，电子的能量转变过程只涉及两个能阶，没有间接带隙造成的能量损失，所以效率相对高。技术进步使激光器从专业技术仪器进入到各类多元化的市场。激光二极管是应用**为***的激光技术，属于简单的半导体器件。过去30年来，激光二极管的平均功率***提升，而每瓦平均价格却呈指数级下降。因此，激光二极管正在取代一些已有的激光和非激光技术，同时也使全新的光学技术成为可能。激光二极管的成熟应用领域包括数据存储、数据通信和固态激光器的光泵浦。相比之下，材料加工和光学传感是细分市场快速发展的例证，该市场中出现了许多新兴的应用。在较高温度下工作，会增大阀值电流，较低转化频率，加速器件的老化。新型激光二极管供应商
DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素组成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段内，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研发日趋成熟，国际上*少数几家厂商可提供商用产品。优化器件结构，有源区为应变超晶格QW。有源区周边一般为双沟掩埋或脊型波导结构。有源区附近的光波导区为DFB光栅，采用一些特殊的设计，如：波纹坡度可调分布耦合、复耦合、吸收耦合、增益耦合、复合非连续相移等结构，提高器件性能。生产技术中，金属有机化学汽相淀积MOCVD和光栅的刻蚀是其关键工艺。MOCVD可精确控制外延生长层的组分、掺杂浓度、薄到几个原子层的厚度，生长效率高，适合大批量制作，反应离子束刻蚀能保证光栅几何图形的均匀性，电子束产生相位掩膜刻蚀可一步完成阵列光栅的制作。1550nmDFB-LD开始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光传输系统设备，对波长的选择使DFB-LD在大容量、长距离光纤通信中成为主要光源。云南激光二极管可以把激光二极管分为同质结、单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。
②阈值电流Ith：即激光管开始产生激光振荡的电流，对一般小功率激光管而言，其值约在数十毫安，具有应变多量子阱结构的激光管阈值电流可低至10mA以下。③工作电流Iop：即激光管达到额定输出功率时的驱动电流，此值对于设计调试激光驱动电路较重要。④工作电压Vop：是发出规定的光输出时需要的正向电压。⑤光输出功率Po：比较大允许的瞬时光学功率输出。这适用于连续或脉冲操作模式。⑥暗电流Id：光电二极管反向偏置时的泄漏电流。暗电流既取决于温度又取决于电压，理想的二极管/光电二极管在相反的方向上没有电流。⑦微分效率η：每单位驱动电流的光输出的增加量。表示在激光振荡领域相对于正向电流的光输出直线的倾斜度。⑧垂直发散角θ⊥：激光二极管的发光带在垂直PN结方向张开的角度，一般在15°~40°左右。⑨水平发散角θ∥：激光二极管的发光带在与PN结平行方向所张开的角度，一般在6°~10°左右。⑩监控电流Im：即激光管在额定输出功率时，在PIN管上流过的电流。6、注入电流-光输出(I-L)的特性及光功率测量下图是注入电流-光输出(I-L)特性
在发光原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向，相位是随机的，激光二极管发出的光子是同方向，同相位。LED是LightEmittingDiode（发光二极管）的缩写。***见于日常生活中，如家用电器的指示灯，汽车后防雾灯等。LED的**显着特点是使用寿命长，光电转换效能高。其原下上在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。
如果激光二极管通过放大得到的增益（Gain）高于内部损耗和磁镜损耗，则产生振荡。即存在振荡电流阈值。比较大输出受到扭折（电流-光输出直线的折弯）、COD（端面光破坏）、温度引起的热饱和等的限制。测量激光二极管的光输出时使用光功率计。如下图所示，设置受光面时，使激光的所有光束都入射到光功率计的受光面上。将受光面相对光轴倾斜5~20°，以避免来自光功率计受光面的反射光返回到激光二极管。I-L特性表示正向电流 (IF) 和光输出 (PO) 的关系，可读取阈值电流 (Ith) 和工作电流 (Iop) 。监视电流 (Im) 是用内置的光电二极管监视从激光芯片后面射出的激光时的输出电流。激光二极管发射的激光有可能对人眼造成伤害。云南激光二极管
产生激光的三个条件是：实现粒子数反转、满足阈值条件和谐振条件产生光的受激发射的首要条件是粒子数反转。新型激光二极管供应商
半导体激光二极管的基本结构：垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔，它们可以是半导体晶体的解理面，也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结注入P区，空穴从P区经过PN结注入N区，这些注入PN结的非平衡电子和空穴将会发生复合，从而发射出波长为λ的光子，其公式如下：[1]λ=hc/Eg⑴式中：h—普朗克常数；c—光速；Eg—半导体的禁带宽度。上述由于电子与空穴的自发复合而发光的现象称为自发辐射。当自发辐射所产生的光子通过半导体时，一旦经过已发射的电子—空穴对附近，就能激励二者复合，产生新光子，这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新光子现象称为受激辐射。如果注入电流足够大，则会形成和热平衡状态相反的载流子分布，即粒子数反转。当有源层内的载流子在大量反转情况下，少量自发辐射产生的光子由于谐振腔两端面往复反射而产生感应辐射，造成选频谐振正反馈，或者说对某一频率具有增益。当增益大于吸收损耗时，就可从PN结发出具有良好谱线的相干光——激光，这就是激光二极管的简单原理新型激光二极管供应商
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