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瞬变抑制二极管基本参数
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6、平面型二极管在半导体单晶片(主要地是 N 型硅单晶片)上,扩散 P 型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在 N 型硅单晶片上但选择性地扩散一部分而形成的 PN 结。因此,不需要为调整 PN 结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN 结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。 原装瞬变抑制二极管选深圳凯轩业电子有限公司。使用瞬变抑制二极管采购

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二极管的类型二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge 管)和硅二极管(Si 管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN 结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN 结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不但能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 质量瞬变抑制二极管价格优势线性稳压电源是比较早使用的一类直流稳压电源,凯轩业电子科技有限公司。

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开关电源中常用,快速恢复整流二极管、超快速恢复整流二极管、肖特基整流二极管特点:正向压降低、快速恢复的特点,输出功率较大快速恢复和超快恢复整流二极管具有适中的和较高的正向电压降,压降范围大约是0.8~1.2V。这两种整流二极管还具有较高的截止电压参数。主要在小功率的、输出电压在12V左右的辅助电源电路中使用。肖特基整流二极管在大的正向电流作用下,正向压降也很低,有0.4V左右,而且,随着结温的增加,其正向压降更低。使得肖特基整流二极管特别适用于5V左右的低电压输出电路中。肖特基整流二极管有两大缺点:反向截止电压的承受能力较低,产品大约为100V;反向漏电流较大,使得该器件比其他类型的整流器件更容易受热击穿。

整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。正向导通状态:电流只能从二极管的正极流入,负极流出,因为它包含一个PN结,有正极和负极两个端子整流二极管能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V)反向截止状态:在二极管两端加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。选用整流二极管时,主要应考虑其较大整流电流、较大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数常用参数:较大平均整流电流IF:指二极管长期工作时允许通过的较大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热深圳市凯轩业电子科技有限公司专业设计研发瞬变抑制二极管,欢迎来电咨询。

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11、PIN 型二极管(PIN Diode)这是在 P 区和 N 区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体二极管。PIN 中的 I 是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过 100MHz 时,由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应,其二极管失去整流作用而变成阻抗元件,并且,其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时,“本征”区的阻抗很高;在直流正向偏置时,由于载流子注入“本征”区,而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此,可以把 PIN 二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中。 瞬变抑制二极管原装选深圳市凯轩业科技有限公司。云南什么是瞬变抑制二极管

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二极管的工作原理晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。使用瞬变抑制二极管采购

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