变革："四业分离"的IC产业90年代，随着INTERNET的兴起，IC产业跨入以竞争为导向的高级阶段，国际竞争由原来的资源竞争、价格竞争转向人才知识竞争、密集资本竞争。以DRAM为中心来扩大设备投资的竞争方式已成为过去。如1990年，美国以Intel为意味，为抗争日本跃居世界半导体榜首之威胁，主动放弃DRAM市场，大搞CPU，对半导体工业作了重大结构调整，又重新夺回了世界半导体霸主地位。这使人们认识到，越来越庞大的集成电路产业体系并不有利于整个IC产业发展，"分"才能精，"整合"才成优势。于是，IC产业结构向高度专业化转化成为一种趋势，开始形成了设计业、制造业、封装业、测试业单独成行的局面（如下图所示），近年来，全球IC产业的发展越来越显示出这种结构的优势。如中国台湾IC业正是由于以中小企业为主，比较好地形成了高度分工的产业结构，故自1996年，受亚洲经济危机的波及，全球半导体产业出现生产过剩、效益下滑，而IC设计业却获得持续的增长。常用的电子元器件有哪些？OPA4197IPWR
电容器的好坏测量：脱离线路时检测——采用万用表Ｒ×１ｋ挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，比较好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。MSP430F235TPM半导体三极管的主要参数有哪些呢？
半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。半导体二极管的识别方法：a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.c;测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
晶振在线路中的符号是＂X”,＂Y”；晶振的名词解释:能产生具有一定幅度及频率波形的振荡器.晶振的测量方法:测量电阻方法:用万用表RX10K档测量石英晶体振荡器的正,反向电阻值.正常时应为无穷大.若测得石英晶体振荡器有一定的阻值或为零,则说明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏.动态测量方法:用是波器在电路工作时测量它的实际振荡频是否符合该晶体的额定振荡频率,如果是,说明该晶振是正常的,如果该晶体的额定振荡频率偏低,偏高或根本不起振,表明该晶振已漏电或击穿损坏IC芯片贴片封装与直插封装的区分。
集成电路行业经过多年发展，产业分工不断细化。作为一个技术资本密集型行业，IC产业链又分为上、中、下游三个环节，当中包含了IC设计、晶圆制造、晶圆加工、封装测试以及**终的销售环节。在整个IC产业中，根据企业涉及的业务环节又分为以下几种运作模式：Fabless、Foundry、封装和测试以及IDM等企业类型，Fabless指的是无晶圆厂的集成电路设计企业，其主要从事集成电路的设计和销售，而将晶圆制造、封装及测试环节通过委外方式进行。该模式下，集成电路设计企业可以专注于集成电路的研发，而不必投资大量资金建设晶圆生产线、封装测试工厂等。目前，全球绝大多数集成电路企业均为Fabless模式，包括美国高通、Synaptics（新突思）、和本公司等。IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式。CC0402KRX7R9BB103
交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。OPA4197IPWR
IT：IT信息技术。指以计算机为基础的能采集、存储、处理、管理和传输信息的技术。CPU：CPU中心处理器。CPU是计算机的心脏，包括运算部件和控制部件，是完成各种运算和控制的关键，也是决定计算机性能的比较重要的部件。主要的参数是工作的主频和一次传送或处理的数据的位数。芯片组：主芯片的类型或具体型号；存储器：专门用于保存数据信息的IC。逻辑电路：以二进制为原理的数字电路。了解更多相关资讯，欢迎来电咨询，我们真诚期待您的来电；OPA4197IPWR
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