IC芯片基本参数
  • 品牌
  • TI /德州仪器,ST/意法,NXP/恩智浦,ADI/亚德诺
  • 型号
  • 通用类型
  • 封装形式
  • DIP,SOP/SOIC,SMD,BGA,TQFP,QFP,PQFP,TSOP,PGA,QFP/PFP,MCM
IC芯片企业商机

IC工艺线宽:线宽:4微米、1微米、0.6微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米等, 是指IC生产工艺可达到的比较小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标。线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元。前工序:IC制造工程中,晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为前工序,这是IC制造比较要害的技术。后工序晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序。了解更多相关资讯,欢迎来电咨询;我们真诚期待您的来电。DSP芯片,也称数字信号处理器。电子器件生产厂家

随着微处理器和PC机的广泛应用和普及(特别是在通信、工业控制、消费电子等领域),IC产业已开始进入以客户为导向的阶段。一方面标准化功能的IC已难以满足整机客户对系统成本、可靠性等要求,同时整机客户则要求不断增加IC的集成度,提高保密性,减小芯片面积使系统的体积缩小,降低成本,提高产品的性能价格比,从而增强产品的竞争力,得到更多的市场份额和更丰厚的利润;另一方面,由于IC微细加工技术的进步,软件的硬件化已成为可能,为了改善系统的速度和简化程序,故各种硬件结构的ASIC如门阵列、可编程逻辑器件(包括FPGA)、标准单元、全定制电路等应运而生,其比例在整个IC销售额中1982年已占12%;其三是随着EDA工具(电子设计自动化工具)的发展,PCB设计方法引入IC设计之中,如库的概念、工艺模拟参数及其仿真概念等,设计开始进入抽象化阶段,使设计过程可以单独于生产工艺而存在。电子元件碎屑检测中心半导体三极管按材质分:硅管和锗管。

特别是96、97、98年持续三年的DRAM的跌价、MPU的下滑,世界半导体工业的增长速度已远达不到从前17%的增长值,若再依靠高投入提升技术,追求大尺寸硅片、追求微细加工,从大生产中来降低成本,推动其增长,将难以为继。而IC设计企业更接近市场和了解市场,通过创新开发出高附加值的产品,直接推动着电子系统的更新换代;同时,在创新中获取利润,在快速、协调发展的基础上积累资本,带动半导体设备的更新和新的投入;IC设计业作为集成电路产业的"头儿",为整个集成电路产业的增长注入了新的动力和活力。

DSP芯片,也称数字信号处理器,是一种具有特殊结构的微处理器。DSP芯片的内部采用程序和数据分开的哈佛结构,具有专门的硬件乘法器,普遍采用流水线操作,提供特殊的DSP指令,可以用来快速的实现各种数字信号处理算法。光刻:IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路。CSP:CSP(Chip Scale Package)芯片级封装。CSP封装是比较新一代的内存芯片封装技术。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14,已经相当接近1:1的理想情况,尺寸也只有32平方毫米,约为普通的BGA的1/3,只只相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比,同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍电容的分类:根据极性可分为有极性电容和无极性电容.我们常见到的电解电容就是有极性的,是有正负极之分。

半导体二极管的伏安特性:二极管的基本特性是单向导电性(注:硅管的导通电压为0.6-0.8V;锗管的导通电压为0.2-0.3V),而工程分析时通常采用的是0.7V.半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。了解更多,欢迎来电咨询。怎么判别半导体三极管基极?电子元器件采购简历

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电阻器好坏的检测:将万用表的两表笔分别和电阻器的两端相接,表针应指在相应的阻值刻度上,如果表针不动和指示不稳定或指示值与电阻器上的标示值相差很大,则说明该电阻器已损坏.用数字万用表判定电阻的好坏;首先将万用表的档位旋钮调到欧姆档的适当档位,一般200欧姆以下电阻器可选200档,200-2K欧姆电阻器可选2K档,2K-20K欧姆可选20K档,20K-200K欧姆的电阻器可选200K档,200K-200M欧姆的电阻器选择2M欧姆档.2M-20M欧姆的电阻器选择20M档,20M欧姆以上的电阻器选择200M档.电子器件生产厂家

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