电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量.电容器的英文缩写:C (capacitor)；电容器常见的单位: 毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）；电容器的单位换算: 1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法; ;1pf=10-3nf=10-6uf=10-9mf=10-12f; 电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等； 电容器的特性: 电容器容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关；电容的特性主要是隔直流通交流,通低频阻高频。电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量。电子元器件采购简历
半导体三极管的分类：a;按频率分：高频管和低频管；b;按功率分：小功率管，中间功率管和的功率管；c;按机构分：PNP管和NPN管；d;按材质分：硅管和锗管；e;按功能分：开关管和放大；半导体三极管特性：三极管具有放大功能（三极管是电流控制型器件－通过基极电流或是发射极电流去控制集电极电流；又由于其多子和少子都可导电称为双极型元件）；三极管各区的工作条件：1．放大区：发射结正偏，集电结反偏：2．饱和区：发射结正偏，集电结正偏；截止区：发射结反偏，集电结反偏。电子元件工厂用数字万用表判定电阻的好坏。
电容器的好坏测量：脱离线路时检测——采用万用表Ｒ×１ｋ挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，比较好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。
半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为0.6－0.8V；锗管的导通电压为0.2－0.3V），而工程分析时通常采用的是0.7V.半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。了解更多，欢迎来电咨询。半导体三极管的分类按频率分：高频管和低频管。
DSP芯片，也称数字信号处理器，是一种具有特殊结构的微处理器。DSP芯片的内部采用程序和数据分开的哈佛结构，具有专门的硬件乘法器，普遍采用流水线操作，提供特殊的DSP指令，可以用来快速的实现各种数字信号处理算法。光刻：IC生产的主要工艺手段，指用光技术在晶圆上刻蚀电路。CSP：CSP（Chip Scale Package）芯片级封装。CSP封装是比较新一代的内存芯片封装技术。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，尺寸也只有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，只只相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍什么是电子元器件？欢迎来电咨询。电子元器件3d模型
电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。电子元器件采购简历
目前，集成电路产品有以下几种设计、生产、销售模式：1．IC制造商（IDM）自行设计，由自己的生产线加工、封装，测试后的成品芯片自行销售。2．IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式。设计公司将所设计芯片的物理版图交给Foundry加工制造，同样，封装测试也委托专业厂家完成，成品芯片作为IC设计公司的产品而自行销售。打个比方，Fabless相当于作者和出版商，而Foundry相当于印刷厂，起到产业"头儿"作用的应该是前者。电子元器件采购简历
