易维护真空烘箱

一般的电热真空干燥箱都采用先加热真空室壁面、再由壁面向工件进行辐射加热的方式。在这种方式下，控温仪表的温度传感器可以布置在真空室外壁。传感器可以同时接受对流、传导、和辐射热。而处于真空室里的玻璃棒温度计只能接受辐射热，更由于玻璃棒黑度不可能达到1，相当一部分辐射热被折射了，因此玻璃棒温度计反映的温度值就肯定低于仪表的温度读数。一般讲，200℃工况时仪表的温度读数与玻璃棒温度计的读数两者相差30℃以内是正常的。如果控温仪表的温度传感器布置在真空室内，玻璃棒温度计的温度值与仪表的温度读数之间的差异可以适当缩小，但不可能消除，而真空室的密封可靠性增加了一个可能不可靠环节。如果从操作实用角度考虑不希望看到这个差异，可以采用控温仪表特有的显示修正功能解决。加热功率比例可任意调节，革除低端控温无温度弊端。易维护真空烘箱

真空烘箱的真空泵-维护保养1、经常检查油位位置，不符合规定时须调整使之符合要求。以真空泵运转时，油位到油标中心为准。2、经常检查油质情况，发现油变质应及时更换新油，确保真空泵工作正常。3、换油期限按实际使用条件和能否满足性能要求等情况考虑，由用户酌情决定。一般新真空泵，抽除清洁干燥的气体时，建议在工作100小时左右换油一次。待油中看不到黑色金属粉末后，以后可适当延长换油期限。4、一般情况下，真空泵工作2000小时后应进行检修，检查桷胶密封件老化程度，检查排气阀片是否开裂，清理沉淀在阀片及排气阀座上的污物。清洗整个真空泵腔内的零件，如转子、旋片、弹簧等。一般用汽油清洗，并烘干。对橡胶件类清洗后用干布擦干即可。清洗装配时应轻拿轻放小心碰伤。易维护真空烘箱可设定温度、测定温度。

真空干燥箱先抽真空再升温加热的原因1)工件放入真空箱里抽真空是为了抽去工件材质中可以抽去的气体成分。如果先加热工件，气体遇热就会膨胀。由于真空箱的密封性非常好，膨胀气体所产生的巨大压力有可能使观察窗钢化玻璃爆裂。这是一个潜在的危险。按先抽真空再升温加热的程序操作，就可以避免这种危险。2)如果按先升温加热再抽真空的程序操作，加热的空气被真空泵抽出去的时候，热量必然会被带到真空泵上去，从而导致真空泵温升过高，有可能使真空泵效率下降。3)加热后的气体被导向真空压力表，真空压力表就会产生温升。如果温升超过了真空压力表规定的使用温度范围，就可能使真空压力表产生示值误差。正确的使用方法应该先抽真空再升温加热。待达到了额定温度后如发现真空度有所下降时再适当加抽一下。这样做对于延长设备的使用寿命是有利的。

在CCD（电荷耦合器件）制造过程中，颗粒沾污对CCD的薄膜质量、光刻图形完整性等有很大的影响，降低CCD的成品率。CCD制造过程中的颗粒来源主要有两个方面：一个制造过程中工艺环境产生的颗粒；另一个是薄膜的淀积、光刻和离子注入等CCD工艺过程中产生的颗粒。工艺环境的颗粒可来源于墙体、设施、设备、材料和人员，工艺过程的颗粒来源于易产生粉尘的工艺，比如说LPCVD淀积多晶硅和氮化硅及刻蚀工艺等。无尘烘箱，即使在普通环境下使用，能够确保烘箱内部等级达到Class 100，为CCD（电荷耦合器件）制造过程中烘烤提供洁净环境，预防颗粒沾污尽量控制真空泵的流量和扬程在标牌上注明的范围内。

维护保养：13、尽量控制真空泵的流量和扬程在标牌上注明的范围内，以保证真空泵在高效率点运转，才能获得大的节能效果。14、真空泵在运行过程中，轴承温度不能超过环境温度35C，高温度不得超过80C。15、如发现真空泵有异常声音应立即停车检查原因。16、真空泵要停止使用时，先关闭闸阀、压力表，然后停止电机。17、真空泵在工作一个月内，经100小时更换润滑油，以后每个500小时，换油一次。18、经常调整填料压盖，保证填料室内的滴漏情况正常（以成滴漏出为宜）。19、定期检查轴套的磨损情况，磨损较大后应及时更换。20、真空泵在寒冬季节使用时，停车后，需将泵体下部放水螺塞拧开将介质放净。防止冻裂。21、真空泵长期停用，需将泵全部拆开，擦干水分，将转动部位及结合处涂以油脂装好，妥善保管。加热方式有：蒸汽、热水、导热油、电热。易维护真空烘箱

利用真空泵进行抽气抽湿，使工作室内形成真空状态，降低水的沸点，加快干燥的速度。易维护真空烘箱

    为获得平坦而均匀的光刻胶涂层并使光刻胶与晶片之间有良好的黏附性，通常在涂胶前对晶片进行预处理。预处理第一步常是脱水烘烤，在真空或干燥氮气的机台中，以150～200℃烘烤。工艺目的是除去晶片表面吸附的水分，在此温度下，晶片表面大约保留了一个单分子层的水。涂胶后，晶片须经过一次烘烤，称之软烘或前烘。工艺作用是除去胶中大部分溶剂并使胶的曝光特性固定。通常，软烘时间越短或温度越低会使得胶在显影剂中的溶解速率增加且感光度更高，但对比度会有降低。实际上软烘工艺需要通过优化对比度而保持可接受感光度的试凑法用实验确定，典型的软烘温度是90～100℃，时间从用热板的30秒到用烘箱的30分钟。在晶片显影后，为了后面的高能工艺，如离子注入和等离子体刻蚀，也须对晶片进行高温烘烤，称之后烘或硬烘。这一工艺目的在于：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。 易维护真空烘箱