国瑞热控依托 10 余年半导体加热盘研发经验,提供全流程定制化研发服务,满足客户特殊工艺需求。服务流程涵盖需求分析、方案设计、原型制作、性能测试、批量生产五大环节,可根据客户提供的工艺参数(温度范围、控温精度、尺寸规格、环境要求等),定制特殊材质(如高纯石墨、氮化硅陶瓷)、特殊结构(如多腔体集成、异形加热面)的加热盘。配备专业研发团队(含材料学、热力学、机械设计工程师),采用 ANSYS 温度场仿真软件优化设计方案,原型样品交付周期**短 10 个工作日,且提供 3 次**方案迭代。已为国内多家半导体设备厂商定制**加热盘,如为某企业开发的真空腔体集成加热盘,实现加热与匀气功能一体化,满足其特殊制程的空间限制需求。重视客户反馈,持续改进产品服务,体验专业贴心。金山区加热盘定制

国瑞热控半导体测试用加热盘,专为芯片性能测试环节的温度环境模拟设计,可精细复现芯片工作时的温度条件。设备温度调节范围覆盖 - 40℃至 150℃,支持快速升温和降温,速率分别达 25℃/ 分钟和 20℃/ 分钟,能模拟不同工况下的温度变化。加热盘表面采用柔性导热垫层,适配不同厚度的测试芯片,确保热量均匀传递至芯片表面,温度控制精度达 ±0.5℃。配备可编程温度控制系统,可预设多段温度曲线,满足长时间稳定性测试需求。设备运行时无电磁场干扰,避免对测试数据产生影响,同时具备过温、过流双重保护功能,为半导体芯片的性能验证与质量检测提供专业温度环境。无锡涂胶显影加热盘非标定制热场分布均匀,避免局部过热,保护样品质量一致。

针对半导体制造中的高真空工艺需求,国瑞热控开发**真空密封组件,确保加热盘在真空环境下稳定运行。组件采用氟橡胶与金属骨架复合结构,耐温范围覆盖 - 50℃至 200℃,可长期在 10⁻⁵Pa 真空环境下使用无泄漏。密封件与加热盘接口精细匹配,通过多道密封设计提升真空密封性,避免反应腔体内真空度下降影响工艺质量。组件安装过程简单,无需特殊工具,且具备良好的耐磨性与抗老化性能,使用寿命超 5000 次拆装循环。适配 CVD、PVD 等真空工艺用加热盘,与国产真空设备厂商的反应腔体兼容,为半导体制造中的高真空环境提供可靠密封保障,助力提升工艺稳定性与产品良率。
针对车载半导体高可靠性需求,国瑞热控测试加热盘适配 AEC-Q100 标准。采用**级铝合金基材,通过 - 55℃至 150℃高低温循环测试 5000 次无变形,加热面平整度误差小于 0.03mm。温度调节范围覆盖 - 40℃至 200℃,升降温速率达 30℃/ 分钟,可模拟车载芯片在极端环境下的工作状态。配备 100 组可编程温度曲线,支持持续 1000 小时老化测试,与比亚迪半导体、英飞凌等企业适配,通过温度冲击、湿热循环等可靠性验证,为新能源汽车电控系统提供质量保障。重视客户反馈,持续改进产品服务,体验专业高效合作。

无锡国瑞热控 PVD 工艺**加热盘,专为物***相沉积环节的严苛温控需求设计。作为晶圆加工的**载体与射频回路下电极,其采用陶瓷与高纯金属复合基材,经精密研磨确保加热面平面度误差小于 0.02mm,为薄膜均匀生长提供稳定基底。内部螺旋状加热元件与均温层协同作用,使晶圆表面温度均匀性控制在 ±1℃以内,适配 6 英寸至 12 英寸不同规格晶圆。设备整体采用无挥发洁净工艺处理,在高真空环境下无杂质释放,搭配快速升温技术(升温速率达 30℃/ 分钟),完美契合 PVD 工艺中对温度稳定性与生产效率的双重要求,为半导体薄膜制备提供可靠温控支撑。精选耐高温材料,绝缘性能优异,确保使用安全万无一失。虹口区半导体晶圆加热盘定制
严格出厂检测流程,多项性能测试,确保每台设备质量可靠。金山区加热盘定制
国瑞热控快速退火**加热盘以高频响应特性适配 RTP 工艺需求,采用红外辐射与电阻加热复合技术,升温速率突破 50℃/ 秒,可在数秒内将晶圆加热至 1000℃以上。加热盘选用低热惯性的氮化铝陶瓷材质,搭配多组**温控模块,通过 PID 闭环控制实现温度快速调节,降温速率达 30℃/ 秒,有效减少热预算对晶圆性能的影响。表面喷涂抗热震涂层,可承受反复快速升降温循环而无开裂风险,使用寿命超 20000 次循环。设备集成温度实时监测系统,与应用材料 Centura、东京电子 Trias 等主流炉管设备兼容,为先进制程中的离子***、缺陷修复工艺提供可靠支持。金山区加热盘定制
无锡市国瑞热控科技有限公司是一家有着先进的发展理念,先进的管理经验,在发展过程中不断完善自己,要求自己,不断创新,时刻准备着迎接更多挑战的活力公司,在江苏省等地区的电工电气中汇聚了大量的人脉以及**,在业界也收获了很多良好的评价,这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果,这些评价对我们而言是比较好的前进动力,也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神,努力把公司发展战略推向一个新高度,在全体员工共同努力之下,全力拼搏将共同无锡市国瑞热控科技供应和您一起携手走向更好的未来,创造更有价值的产品,我们将以更好的状态,更认真的态度,更饱满的精力去创造,去拼搏,去努力,让我们一起更好更快的成长!
针对原子层沉积工艺对温度的严苛要求,国瑞热控ALD**加热盘采用多分区温控设计,通过仿真优化加热丝布局,确保表面温度分布均匀性符合精密制程标准!设备温度调节范围覆盖室温至600℃,升温速率可达25℃/分钟,搭配铂电阻传感器实现±0.1℃的控温精度,满足ALD工艺中前驱体吸附与反应的温度窗口需求!采用氮化铝陶瓷基底与密封结构,在真空环境下无挥发性物质释放,且能抵御反应腔体内腐蚀性气体侵蚀!适配8英寸至12英寸晶圆规格,通过标准化接口与拓荆、中微等厂商的ALD设备无缝兼容,为原子层沉积的高保形性薄膜制备提供保障!节能环保设计理念,热损失小效率高,助力绿色生产制造。无锡晶圆加热盘定制面向深紫外光刻工...