广东4GB内存颗粒AIOT设备

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三星内存颗粒：K4A4G045WE-BCRC、K4A4G045WE-BCTD、K4A4G085WE-BCPB、K4A4G085WE-BCRC、K4A4G085WE-BCTD、K4A4G085WE-BIRC、K4A4G085WE-BITD、K4A4G165WE-BCPB、K4A4G165WE-BCRC、K4A4G165WE-BCTD、K4A4G165WE-BIRC、K4A4G165WE-BITD、K4A4G165WE-BIWE、K4A8G045WC-BCTD、K4A8G085WC-BCTD、K4A8G165WC-BCPB、K4A8G165WC-BCRC、K4A8G165WC-BCTD。

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内存颗粒CSP封装形式：

CSP（Chip Scale Package），是芯片级封装的意思。CSP封装蕞新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝の对尺寸也只有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。

CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的蕞有效散热路径只有0.2毫米，大の大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显の著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。

CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻40℃/W。 浙江DDR内存颗粒AIOT设备内存颗粒品质决定速度，深圳东芯科达领の先。

内存颗粒作为电子设备的“存储核芯”，是构成内存模块的基础物理芯片，本质是通过电容电荷存储、晶体管电路状态转换等原理实现数据临时存储与高速读写的核芯部件。它直接决定设备运行速度、稳定性与数据处理效率，根据技术类型可分为DRAM（动态随机存取存储器）、SRAM（静态随机存取存储器）等，广泛应用于电脑、手机、智能设备等各类电子产品，是数字化时代不可或缺的关键硬件。深圳市东芯科达科技有限公司深耕存储领域，专注内存颗粒及相关存储产品的研发、生产与销售，是集OEM/ODM服务与品牌代理分销于一体的方案供应商。公司主营DDR内存颗粒、BGA存储颗粒等全系列产品，通过CE、FCC、ROHS等国际认证，构建了覆盖原材料筛选、生产加工到成品检测的全流程品控体系，确保产品在读写速度、稳定性、环境适应性上的优异表现。依托专业研发团队与灵活定制能力，东芯科达的内存颗粒可适配英特尔、AMD等主流芯片组，覆盖安防监控、智能家居、车载电子、教育设备、工业控制等多元场景，其低功耗、抗干扰、耐高温等特性满足不同设备的特殊需求，为各行业数字化升级提供坚实存储支撑。

深圳市东芯科达科技有限公司，专注于存储数据模组产品，为各行业电子产品用户提供切实可行的存储解决方案，是一家集OEM/ODM研发、生产、销售，名品牌代理分销于一体的存储产品方案供应商。

现货内存颗粒：KLM8G1GETF-B041006、KLMBG2JETD-B041003、MT41K256M16TW-107:P、MT41K128M16JT-125:K、H54G68CYRBX248N、H9HCNNNCPMMLXR-NEE、KLMCG2UCTA-B041TY0、KLMCG4JEUD-B04Q058、EMMC16G-TB28-A20、GDQ2BFAA-CQ、H5ANAG6NCJR-XNC、H5AN8G6NCJR-VKC、H5AN8G6NCJR-VKI、MT40A512M16LY-062E:E、K4B4G0846D-BCMA000、K4B4G0846D-BYK0000、NT5CC128M16JR-EK、TC58NVG2S0HTA00、TC58BVG0S3HTA00、S34ML04G300TFI000，含税。 深圳东芯科达的内存颗粒产品适用于安防领域，其稳定性能确保监控数据实时存储与快速调取。

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怎么查看内存颗粒？？

例：SamsungK4H280838B-TCB0

主要含义：

第1位——芯片功能k，代の表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代の表dram。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代の表sdram、h代の表ddr、g代の表sgram。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代の表64mbit的容量；28、27、2a代の表128mbit的容量；56、55、57、5a代の表256mbit的容量；51代の表512mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代の表8位数据；16代の表16位数据；32代の表32位数据；64代の表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。 广东4GB内存颗粒AIOT设备

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