吉林电池片打磨

    原位掺杂:PECVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺优势:沉积速度快，沉积温度低，轻微的绕镀，可以用PECVD直接制备多晶硅层，流程相对简化劣势:厚度均匀性较差，纯度低，存在气泡爆膜问题，导致致密度和良率较低目前产业化程度较慢，根据Solarzoom，目前拉普拉斯、捷佳伟创、金辰股份、无锡微导等国内设备厂商已经布局该方法原则上没有绕镀问题，与PERC产线不兼容，更适合新的产线，后续有望通过工艺的成熟改善镀膜稳定性，成为主流技术3.离子注入:LPCVD制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺优势:离子注入技术是单面工艺，掺杂离子无需绕镀，工艺温度低，成膜速度快劣势:扩硼工艺要比扩磷工艺难度大，需要更多的扩散炉和两倍的LPCVD，设备成本高，靶材用量大，方阻均匀性有偏差目前主要是隆基绿能有布局，因占地面积较大，几乎没有绕镀问题但是设备成本昂贵，正逐渐被边缘化成本分析，大部分的TOPCon产线可以从PERC产线升级得来，极大降低设备投资成本TOPCon产线延长了PERC产线生命周期，有助于降低折旧费用主要新增的设备包括:多晶硅/非多晶硅沉积的LPCVD/PECVD/PVD设备、硼扩散设备等。 用NaOH控制，绒面大时，少补加NaOH或干脆就不补加。吉林电池片打磨

    N型新世代电池的产线信息披露较少，明面上解释为企业的竞争性行为，但过度保守本身也意味着企业可能对自己跑出来的中试线数据并不满意，这点在调研中得到印证，现在N型新电池的各条路线中，并没有出现具有确定性优势的选择。曾经的光伏行业信奉旧不如新、后发优势，现在这个信条已经打破，企业愿意承受亏损提前布局，因为Know-How是光伏技术的答案，标准化生产的时代已经成为过往，当下和设备厂商共同定制方案的能力成为了企业的竞争力。实验室数据和产线数据始终有差距，异质结的技术确实在实验室中取得突破，但转化为产线上的供应能力仍需漫长的工业积淀，这正是各企业不计回报抢跑的原因。进一步提升量产电池片效率主要从两方面开展工作：一方面在现有生产线基础上进行技术性改造，包括栅线电极金属化技术等，是针对现有电池片产品本身进行的改进。另一方面，是在现有产品以外的领域进行技术突破，包括产业化设备以及关键辅助材料的研发、产业链配套等。其实这对于三条路线都是共同的，尤其是产业链配套。目前电池片环节还没有一条路线彻底走通，从大尺寸单晶硅的产业链配套来估，在N型产品的经济性被证实之后，仍需要一到两年的时滞才能完成配套。 江苏电池片定制在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。

    1一次清洗与二次清洗的酸液不干净，检查酸液使用的次数有没挥发等2扩散与镀膜前硅片表面带有较脏的水印3在制绒后硅片表面的硅酸钠没能得到很好的去除就会留下不规则的胶体印，到成品后是水纹；这只要我们在制绒后及时进行酸洗，也可提高HF的浓度.如果制绒液的配比没有问题，那么花斑白斑和制绒前的硅片表面质量就显得尤其重要了。原始的解决方法是用强碱来粗剥一下，但随着原材料变薄也可用低一些的浓度与IPA的混合溶液来处理，一般5~6分钟即可；6溶液均匀的方法1超声，缺点是容易造成碎片，即使没有在槽中碎，后道工序也会碎；2循环，使用chemicalpump；3搅拌；4鼓泡；7制绒出现的问题花脸；雨点状斑点；发白；8雨点状斑点问题没写9酒精和IPA1酒精较难控制，无毒，污染小；2IPA做的绒面的均匀性比酒精要好控制的多；10多晶硅一次清洗工艺流程这个省了11制备绒面技术方法1机械刻槽要求硅片厚度大于200um，刻槽深度一般为50um，增加材料成本2等离子蚀刻成本高，耗时长，产量低3激光刻槽绒面的陷光效果好，但处理工序复杂，加工系统昂贵4各向同性的酸腐蚀12酸腐蚀制备绒面的基本原理以HF－HNO3为基础的水溶液体系机理为HNO3给硅表面提供空穴，打破了硅表面的Si2H键。

    未来的电池技术，现在看到我们刚才讲的是P型PERC，未来的我们大家都在探讨，有TOPN型的还有异质结，还有钙钛矿技术。从我个人或者公司内部认为钙钛矿单独的大量利用可能还需要时间，终还是要钙钛矿和硅电池结合起来，这样可能是为了光伏电池技术的发展。如果是把钙钛矿和硅做成叠层的结构电池能够量产，未来我相信电池的转换效率超过30%甚至35%都是完全有可能。组件的封装技术方面，各方面从提高光学利用率包括减少电耗损失以及增加电池密度各方面的技术，由于时间关系就跳过去了。事实上，从30年前开始，未来双面电池将逐渐普及，因为它可以在不同的场景中增加发电能力，降低度电成本，未来双面组件将逐渐成为主流，至少35年后，双面组件将成为主流，因为双面组件可以充分利用散色光。 经破碎，用1：5的氢氟酸和硝酸混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。

    P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子，生成的P2O5淀积在硅片表面与硅继续反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中扩散,制得N型半导体。3刻蚀在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出。

     清洗步骤：置样品入舟——浸入I号液——漂洗——浸入II号液——漂洗。江苏电池片定制

它的构造和生产工艺已定型，产品已用于空间和地面。吉林电池片打磨

    从非硅成本上来看。可以通过使用多主栅技术或使用银铝浆替代银浆来降低成本TOPCon电池的非硅成本已经有能力低于，对比PERC电池仍然有，主要原因系银浆单耗高TOPCon的双面率高，正反面都需要使用银浆，M6型TOPCon电池使用的银浆约130mg，较M6型PERC电池高出约60mg，预计未来可以通过多主栅或背面使用银铝浆来降低非硅成本产品良率TOPCon电池的良率整体低于PERCTOPCon电池的整体良率在93%-95%左右，而PERC电池的整体良率在97%-98%之间良率劣势原因1.隧穿氧化层和多晶硅层的制备工艺路线不统一，且加工步骤较多，TOPCon生产流程共12~13步，PERC为10步左右，HJT为6步左右、脏污的情况仍有待改善产能梳理1.隆基绿能，N/P型TOPCon实验室转换效率达到，实验室单晶双面TOPCon电池效率达到，预计三季度投产2.晶科能源，N型TOPCon实验室转换效率达到，量产效率达到，合肥、海宁合计16GW的N型电池项目已投产3.中来股份，N型TOPCon电池实验室转换效率达到，量产效率达到24%以上，山西16GW产线，其中一期8GW正处于设备安装阶段，预计2022年实现6GW产能4.天合光能，N型i-TOPCon实验室转换效率达到，量产效率可达，宿迁8GW项目预计2022年下半年投产5.晶澳科技，量产效率可达。

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