极高真空闸阀SHIELD GATE VALVE

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，三重防护闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。有-屏蔽闸阀：防止气体和粉末进入阀内的隔离阀，-三重防护闸阀：屏蔽1和2+保护环的3重隔离系统，还有步进电机闸阀和铝闸阀，屏蔽门阀：产品范围：2.5~12英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•响应时间：0.2秒~3秒；三级预防闸阀，三重防护闸阀：产品范围：4~10英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•包括屏蔽功能；步进电机闸阀：产品范围：2.5~10英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•包括屏蔽功能；步进电机闸阀；铝闸阀：产品范围：2.5~12英寸•高压气动•维护前可用次数：10万次•响应时间：0.2秒~3秒；有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司。高压闸阀按阀杆螺纹的位置分外螺纹式、内螺纹式、法兰、焊接等。按介质的流向分，有直通式、直流式和角式。极高真空闸阀SHIELD GATE VALVE

微泰，加热闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*使用加热套或内部加热器加热*加热控制器*应用:去除粉末/气体设备。加热闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：ISO、JIS、ASA、CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。小型闸阀三星半导体闸阀的结构比较简单，一般由阀体、阀座、阀杆、闸板、阀盖、密封圈几部分组成。

半导体主加工设备腔内精确压力控制的解决方案，真空插板阀品牌—微泰。控制系统阀门是安装在半导体• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备中的主要阀门。控制系统阀门起到调节腔内压力的作用，通过控制系统自动调节闸板的开启和关闭。精确控制腔内压力的阀门分为三类：控制系统闸阀、蝶阀、多定位闸阀。控制系统和蝶阀使用步进电机操作，而多定位闸阀、多位置闸阀使用气动控制操作。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。

微泰，屏蔽闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• 溅射• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)• Coating（涂层）• Etch• Diffusion•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*阀体和阻断器之间的间隙小于1mm*防止流入的气体（粉末）进入阀体内部*使用维修配件工具包易于维护*应用:隔离泵，气流中的高水平工艺。屏蔽闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：2.5英寸~ 10英寸、法兰类型：ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：2.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 10˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：2.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 10˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 60 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩介质可向两侧任意方向流动，易于安装。闸阀通道两侧是对称的。

微泰的传输阀、转换阀、输送阀、转移阀是安装在半导体 PVD CVD 设备工艺模块和工艺室之间的阀门系统，起着将工艺模块中的晶圆转移到工艺室的关键作用，就像一条沟槽。这些阀门能极大程度地减少闸板开闭时造成的真空压力变化，使腔室内的真空压力得以稳定维持。负责门控半导体晶圆转移的传输阀、转换阀、输送阀、转移阀分为 I 型和 L 型两种。其产品范围包括多种尺寸规格，如 32 x 222、46 x 236、50 x 336、56 x 500 等。维护前使用周期可达 100 万次，响应时间为 2 秒，并可根据客户要求定制法兰。这些转移阀产品有铝制或不锈钢制两种，用于传输晶圆小于 450 毫米的半导体系统和隔离工艺室。I 型的特点是叶片能在垂直方向上快速移动，保证腔室压力完美维持，它采用具有 LM 导向系统和单连杆的内部机构，确保高耐用性和长寿命。L 型转移阀产品则设计紧凑，易于维护。I 型和 L 型转移阀在闸门开启和关闭过程中能极大限度地减少振动，且对温度变化非常稳定，能确保较长的使用寿命。此外，它们即使长时间使用，产生的颗粒也很少，能避免晶圆缺陷和主器件污染。微泰不断创新，在压力控制和控制阀制造方面持续努力，专注于真空闸阀的研发。微泰，高压闸阀应用于• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）•CVD（化学气相沉积）等设备上。极高真空闸阀SHIELD GATE VALVE

高压闸阀，属于强制密封式阀门，所以在阀门关闭时，必须向闸板施加压力，以强制密封面不泄漏。极高真空闸阀SHIELD GATE VALVE

微泰半导体闸阀的特点：阀门驱动部分的所有滚子和轴承都进行了防护处理，形成屏蔽和保护环（Shield Blocker 和 Protection Ring）用三重预防方式切断粉末（Powder），延长阀门驱动和使用寿命。三重预防驱动方式的Shield功能可防止气体和粉末侵入阀体内部，有三重保护驱动保护环，长久延长GV寿命的Shield方法-供应给海外半导体T公司、M公司和I公司Utility设备。挡板与阀体的距离小于1mm，阻挡内部粉末和气体的流入，屏蔽挡板是采用1.5 t AL材料，考虑了复原力，并采用Viton粉末热压制成。三重保护保护环的主要功能说明-AL材料的重量减轻和保护环内部照明的改善-保护环内部流速的增加-三元环应用确保驱动性能。极高真空闸阀SHIELD GATE VALVE