RPS基本参数
  • 品牌
  • 晟鼎精密
  • 型号
  • SPR-08
  • 用途
  • 工业用
  • 清洗方式
  • 远程等离子
  • 外形尺寸
  • 467*241*270
  • 产地
  • 广东
  • 厂家
  • 晟鼎
  • 制程气体
  • NF3、O₂、CF4
  • 点火气体/流量/压力
  • 氩气(Ar)/1-6AR sIm/1-8 torr
  • 制程气体流量
  • 8NF3sLm
  • 工作气压
  • 1-10torr
  • 离化率
  • ≥95%
  • 进水温度
  • 30℃
RPS企业商机

RPS远程等离子源在柔性电子制造中的适应性柔性电子使用塑料或薄膜基板,对热和机械应力敏感。RPS远程等离子源通过低温操作,避免了基板变形或降解。其非接触式清洗去除了污染物,提升了导电迹线的附着力。在OLED照明或可穿戴设备制造中,RPS远程等离子源确保了工艺的可重复性。随着柔性市场增长,该技术提供了必要的精度和灵活性。RPS远程等离子源的未来发展趋势随着制造业向更小节点和更复杂材料发展,RPS远程等离子源正不断进化。未来版本可能集成AI实时优化,或支持更高频率的等离子体生成。在可持续发展方面,RPS远程等离子源将聚焦于更节能的设计和可回收气体。其应用也可能扩展到新能源或生物医学领域。东莞市晟鼎精密仪器有限公司致力于创新,推动RPS远程等离子源成为智能制造的基石。在声学器件制造中提升谐振性能。安徽国内RPScvd腔体清洗

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随着3D NAND堆叠层数突破500层,深孔刻蚀后的残留物清洗成为技术瓶颈。RPS远程等离子源利用其优异的自由基扩散能力,可有效清理 深宽比超过60:1结构底部的聚合物残留。通过优化远程等离子体参数,在保持刻蚀选择比大于100:1的同时,将晶圆损伤深度控制在2nm以内。某存储芯片制造商在引入RPS远程等离子源后,将深孔清洗工序的良品率从87%提升至96%,单 wafer 处理成本降低30%。RPS远程等离子源在化合物半导体工艺中的优势在GaN、SiC等宽禁带半导体制造中,RPS远程等离子源展现出独特价值。其低温处理特性(<150℃)有效避免了化合物材料的热分解风险。通过采用Cl2/BCl3混合气体的远程等离子体刻蚀,实现了GaN材料的各向异性刻蚀,侧壁垂直度达89±1°。在HEMT器件制造中,RPS远程等离子源将界面态密度控制在1010/cm²·eV量级,明显 提升了器件跨导和截止频率。江苏国内RPS工厂直销Remote Plasma Source,RPS 通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺。

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远程等离子体源RPS腔体结构,包括进气口,点火口,回流腔连通电离腔顶端与进气腔靠近进气口一侧顶部,气体由进气口进入经过进气腔到达电离腔,点火发生电离反应生成氩离子然后通入工艺气体,通过出气口排出至反应室内,部分电离气体经回流腔流至进气腔内,提高腔体内部电离程度,以便于维持工艺气体的电离,同时可提高原子离化率;电离腔的口径大于进气腔,气体在进入电离腔内部时降低了压力,降低了F/O原子碰撞导致的原子淬灭问题,保证电离率,提高清洁效率。

显示面板制造(如OLED或LCD)涉及多层薄膜沉积,腔室污染会直接影响像素均匀性和亮度。RPS远程等离子源通过非接触式清洗,有效去除有机和无机残留物,确保沉积工艺的重复性。其高均匀性特性特别适用于大尺寸基板处理,避免了边缘与中心的清洁差异。同时,RPS远程等离子源的低热负荷设计防止了对温度敏感材料的损伤。在柔性显示领域,该技术还能用于表面活化,提升涂层附着力。通过整合RPS远程等离子源,面板制造商能够降低缺陷率,提高产品性能。为光学镜头镀膜前提供超洁净表面处理条件。

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RPS远程等离子源与5G技术发展的关联5G设备需要高频PCB和射频组件,其性能受表面清洁度影响极大。RPS远程等离子源可用于去除钻孔残留或氧化物,确保信号完整性。在陶瓷基板处理中,它能清洁通孔,提升金属化质量。其精确控制避免了介质损伤,保持了组件的高频特性。随着5G网络扩张,RPS远程等离子源支持了更小、更高效设备的制造。PS远程等离子源在食品安全包装中的创新PVDC等阻隔涂层用于食品包装以延长保质期,但沉积腔室的污染会影响涂层质量。RPS远程等离子源通过定期清洁,确保涂层均匀性和附着力。其非接触式过程避免了化学残留,符合食品安全标准。此外,RPS远程等离子源还能用于表面活化,提升印刷或层压效果。在可持续包装趋势下,该技术帮助制造商实现高性能和环保目标。RPS 通过将气体输送到装置中,利用电场或者磁场产生等离子体,然后将等离子体传输到需要处理的表面区域。安徽国内RPScvd腔体清洗

RPS利用原子的高活性强氧化特性,达到清洗CVD或其他腔室后生产工艺的目的。安徽国内RPScvd腔体清洗

RPS远程等离子源采用独特的空间分离设计,将等离子体激发区与工艺处理区物理隔离。在激发腔内通过射频电源将工艺气体(如O2、CF4、N2等)电离形成高密度等离子体,而长寿命的活性自由基则通过输运系统进入反应腔室。这种设计使得RPS远程等离子源能够在不直接接触工件的情况下,实现表面清洗、刻蚀和活化等工艺。在半导体前端制造中,RPS远程等离子源特别适用于栅极氧化前的晶圆清洗,能有效去除有机残留和金属污染物,同时避免栅氧层损伤。其自由基浓度可稳定控制在1010-1012/cm³范围,确保工艺重复性优于±2%。安徽国内RPScvd腔体清洗

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