企业商机
二极管基本参数
  • 产地
  • 上海
  • 品牌
  • 藤谷
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
二极管企业商机

本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:本发明实施例提供了一种用于整流电路的肖特基二极管,包括:衬底层001、ge层002、压应力层003、金属电极a1、第二金属电极a2,其中,所述ge层002、所述氮化硅层依次层叠设置于所述衬底层001的表面,所述压应力层003设置有电极孔,所述金属电极a1设置于所述ge层002上且设置于所述电极孔中,所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。在本发明的一个实施例中,所述ge层002为n型ge层,掺杂浓度为×1014~2×1014cm-3。在本发明的一个实施例中,所述压应力层003为氮化硅层。在本发明的一个实施例中,所述氮化硅层为si3n4膜。在本发明的一个实施例中,所述压应力层003使所述ge层002内产生压应力,所述ge层002中的压应力的大小与制备所述压应力层003的反应温度相关,其中,所述反应温度越高,所述ge层002中的压应力越大。在本发明的一个实施例中,所述ge层002的厚度为700~800nm。在本发明的一个实施例中,所述衬底层001为n型单晶ge层。在本发明的一个实施例中,所述金属电极a1为钨电极。在本发明的一个实施例中,所述电极孔贯穿所述压应力层003且设置于所述压应力层003中部。二极管,就选 上海藤谷电子科技有限公司,让您满意,欢迎新老客户来电!云南二极管二极管成本

而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。肖特基二极管和稳压二极管的区别肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。云南二极管二极管成本上海藤谷电子科技有限公司致力于提供二极管,期待您的光临!

可以使用h2so4:h2o2=5:1的化学试剂去除光刻胶。,在半导体环图案对应区域注入离子,经扩散炉中退火处理在半导体环图案对应区域形成半导体环104。具体地,可以在半导体环图案对应区域注入离子(比如硼离子),使用h2so4:h2o2=5:1的化学试剂去除表面沾污,然后送入扩散炉,经过1000℃退火,形成半导体环104。步骤s304,请参照图4d,将半导体环104之间的氧化层103蚀刻掉,在蚀刻后形成的区域中制作肖特基结108。在氧化层103远离衬底101的一侧涂覆光刻胶层。通过带有肖特基结图案的掩模对光刻胶层进行光刻,在光刻胶层上刻出肖特基结图案。再接着,蚀刻肖特基结图案对应区域的氧化层103。具体地,使用腐蚀溶剂boe(nh4f40%+hf7%),在211℃的温度条件下,透过肖特基结图案对氧化层103进行腐蚀,将光刻胶层上的半导体环图案转移到氧化层103上。用化学试剂sc2(hcl:h2o2:h2o=1:1:6-1:2:8)清洗20分钟,去除表面颗粒,然后用hf的水溶液漂30秒去除肖特基结图案内残余氧化层103。,通过物相淀积法,在肖特基结图案对应区域淀积金属和硅形成金属硅化物,得到肖特基结108。通过物相淀积金属(ti/ni/pt/nipt/cr/nicr等金属),金属淀积后放入扩散炉中退火处理。

但若重复施加,这些单个的脉冲能量积累起来,在某些情况下,也会超过TVS器件可承受的脉冲能量。因此,电路设计必须在这点上认真考虑和选用TVS器件,使其在规定的间隔时间内,重复施加脉冲能量的累积不至超过TVS器件的脉冲能量额定值。6.电容CPPTVS的电容由硅片的面积和偏置电压来决定,电容在零偏情况下,随偏置电压的增加,该电容值呈下降趋势。电容的大小会影响TVS器件的响应时间。7.漏电流IR当比较大反向工作电压施加到TVS上时,TVS管有一个漏电流IR,当TVS用于高阻抗电路时,这个漏电流是一个重要的参数。:按极性可分为:单极性和双极性两种;按用途可分为:通用型和型;按封装和内部结构可分为:轴向引线二极管、双列直插TVS阵列、贴片式和大功率模块等。轴向引线的产品峰值功率可达400W、500W、600W、1500W和5000W。其中大功率的产品主要用在电源馈线上,低功率产品主要用在高密度安装场合。对于高密度安装的场合,也可以选择双列直插和表面贴装等封装形式。上海藤谷电子科技有限公司是一家专业提供二极管的公司,欢迎您的来电!

功率二极管是电子工程师不可避免打交道的元器件之一?你又对功率二极管有何见解呢?不清楚的童鞋不慌,本文主要汇总了关于功率二极管知识点,一起学习一下:1.什么是二极管的正向额定电流?二极管的额定电流是二极管的主要标称值,比如5A/100V的二极管,5A就是额定电流。通常额定电流的定义是该二极管所能通过的额定平均电流。但是有些的测试前是方波,也就是可以通过平均值为5A的方波电流。有些得测试前提是直流,也就是能通过5A的直流电流。理论上来说,对于硅二极管,以方波为测试条件的二极管能通过更大的直流电流,因为同样平均电流的方波较于直流电流,会给二极管带来更大损耗。那么5A的二极管是否一定能通过5A的电流?不一定,这个和温度有关,当你的散热条件不足够好,那么二极管能通过的电流会被结温限制。2.什么是二极管的反向额定电压?二极管反向截止时,可以承受一定的反压,那么其比较高可承受的反压就是额定电压。比如5A/100V的二极管,其额定反压就是100V。虽然,所有二极管厂家都会留一定的裕量,100V的二极管通常用到110V都不会有问题,但是不建议这么用,因为超过额定值,厂家就不会保证其可靠性,出了问题就是你的问题了。而且很多电源设计公司。上海藤谷电子科技有限公司致力于提供二极管,有需要可以联系我司哦!内蒙古标准二极管价格便宜

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在每个周期内,终的输出DC电压和电流均为“ON”和“OFF”。由于负载电阻两端的电压在周期的正半部分(输入波形的50%)出现,因此导致向负载提供的平均DC值较低。整流后的输出波形在“ON”和“OFF”状态之间的变化会产生具有大量“波纹”的波形,这是不希望的特征。产生的直流纹波的频率等于交流电源频率。在对交流电压进行整流时,我们希望产生无任何电压变化或波动的“稳定”且连续的直流电压。这样做的一种方法是在输出电压端子上与负载电阻并联连接一个大容量电容器,如下所示。这种类型的电容器通常被称为“蓄水池”或“平滑电容器”。带滤波电容器的半波整流器当使用整流来从交流(AC)电源提供直流(DC)电源时,可以通过使用更大容量的电容器来进一步减少纹波电压,但在成本和尺寸方面都存在限制使用的电容器。对于给定的电容器值,较大的负载电流(较小的负载电阻)将使电容器放电更快(RC时间常数),因此会增加获得的纹波。然后,对于使用功率二极管的单相,半波整流器电路,尝试通过电容器平滑来降低纹波电压不是很实际。在这种情况下,改为使用“全波整流”会更实际。实际上,半波整流器由于其主要缺点而常用于低功率应用中。输出幅度小于输入幅度。云南二极管二极管成本

上海藤谷电子科技,2019-08-01正式启动,成立了功率器件芯片,IGBT器件模块,trench MOS器件,功率二极管等几大市场布局,应对行业变化,顺应市场趋势发展,在创新中寻求突破,进而提升藤谷的市场竞争力,把握市场机遇,推动电子元器件产业的进步。是具有一定实力的电子元器件企业之一,主要提供功率器件芯片,IGBT器件模块,trench MOS器件,功率二极管等领域内的产品或服务。随着我们的业务不断扩展,从功率器件芯片,IGBT器件模块,trench MOS器件,功率二极管等到众多其他领域,已经逐步成长为一个独特,且具有活力与创新的企业。上海藤谷电子科技始终保持在电子元器件领域优先的前提下,不断优化业务结构。在功率器件芯片,IGBT器件模块,trench MOS器件,功率二极管等领域承揽了一大批高精尖项目,积极为更多电子元器件企业提供服务。

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