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并部分延伸至所述氧化层上；在所述氧化层远离所述肖特基结的两端进行蚀刻形成防水槽；在所述氧化层远离所述衬底一侧制作钝化层，其中，所述钝化层包括填充于所述防水槽并在所述防水槽的位置形成与防水槽咬合的凸起。在本申请的一种可能实施例中，蚀刻所述氧化层，在所述外延层远离所述衬底的一侧形成半导体环的步骤，包括：在所述氧化层远离所述衬底的一侧均匀涂覆光刻胶层；通过带有半导体环图案的掩模对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上刻出半导体环图案；使用腐蚀溶剂对所述氧化层进行腐蚀，将所述半导体环图案转移到所述氧化层；使用光刻胶溶剂将所述氧化层残留的光刻胶去除；在所述半导体环图案对应区域注入离子，经扩散炉中退火处理在所述半导体环图案对应区域形成半导体环。在本申请的一种可能实施例中，将所述半导体环之间的所述氧化层蚀刻掉，在蚀刻后形成的区域中制作肖特基结的步骤，包括：在所述氧化层远离所述衬底的一侧涂覆光刻胶层；通过带有肖特基结图案的掩模对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上刻出肖特基结图案；用腐蚀溶剂进行腐蚀，将所述肖特基结图案转移到所述氧化层；蚀刻所述肖特基结图案对应区域内残留的氧化层；通过物相淀积法。上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管，有想法的可以来电咨询！正规二极管价格便宜

本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“”、“第二”等用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。经本申请的发明人研究发现，现有肖特基二极管的钝化层和氧化层因材质不同，热膨胀系数不同，在肖特基二极管的使用过程中，由于器件的工作温度的变化，钝化层和氧化层会在彼此结合处存在剪切力，从而在结合处出现微小缝隙。在肖特基二极管存放或使用过程中，环境中的水汽可能会从微小缝隙侵入肖特基结，导致肖特基二极管短路失效。为了解决上述技术问题，发明人创新性地设计以下的肖特基二极管结构。请参照图1。江西智能二极管价钱上海藤谷电子科技有限公司是一家专业提供二极管的公司。

5+)的半导体。由P型半导体和N型半导体相接触时，就产生一个独特的PN结界面，在界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于PN结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的PN结。以PN结为结构，加上引线或引脚形成单向导电的二极管。当外加电压方向由P极指向N极时，导通。晶体二极管分类晶体二极管可按材料不同和PN结结构不同，进行分类。01点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。其PN结的静电容量小，适用于高频电路。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此不能使用于大电流和整流。制作工艺：将细铝丝的一端接在阳极引线上，另一端压在掺杂过的N型半导体上。加上电压后，细铝丝在接触点处融化并渗入融化部分的中。这样，接触点实际上是P型半导体，并附着在N型半导体上形成PN结。02面接触型二极管面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流(几安到几十安)。

本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本发明实施例提供了一种用于整流电路的肖特基二极管，包括：衬底层001、ge层002、压应力层003、金属电极a1、第二金属电极a2，其中，所述ge层002、所述氮化硅层依次层叠设置于所述衬底层001的表面，所述压应力层003设置有电极孔，所述金属电极a1设置于所述ge层002上且设置于所述电极孔中，所述第二金属电极a2设置于所述衬底层001与所述表面相对设置的第二表面。在本发明的一个实施例中，所述ge层002为n型ge层，掺杂浓度为×1014～2×1014cm-3。在本发明的一个实施例中，所述压应力层003为氮化硅层。在本发明的一个实施例中，所述氮化硅层为si3n4膜。在本发明的一个实施例中，所述压应力层003使所述ge层002内产生压应力，所述ge层002中的压应力的大小与制备所述压应力层003的反应温度相关，其中，所述反应温度越高，所述ge层002中的压应力越大。在本发明的一个实施例中，所述ge层002的厚度为700～800nm。在本发明的一个实施例中，所述衬底层001为n型单晶ge层。在本发明的一个实施例中，所述金属电极a1为钨电极。在本发明的一个实施例中，所述电极孔贯穿所述压应力层003且设置于所述压应力层003中部。上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管，期待您的光临！

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13.什么是碳化硅二极管?通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管，但是近比较热门的碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管，其优点：反向恢复特性很好，媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点：正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。早期的碳化硅二极管，还有可承受冲击电流小，可靠性不高等缺点。但是目前已有很大改善。14.什么是砷化镓二极管?说实话，我听说砷化镓材料早于碳化硅，但是后来就较少听说了。目前砷化镓在LED上似乎有些应用，但是功率器件上却还比较少。15.二极管适合并联么?理论上来说硅二极管，由于导通压降随温度上升而下降，所以是不适合并联的，但是现在很多二极管会把两个单管封装在一起，这样温升相对均匀，给并联带来好处。但是碳化硅是的压降是随温度上升而上升，理论上是适合并联的。正规二极管价格便宜

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