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偏压功率如何优化钨刻蚀选择比？

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江苏优众微纳半导体科技有限公司2026-08-05

通过调节偏压功率（100-300W），控制离子轰击能量，优化W刻蚀对光刻胶的选择比（>5:1）。

本回答由 江苏优众微纳半导体科技有限公司 提供

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联系人： 刘娟

手   机： 19827086768

网   址： http://www.yz-micronano.com/about.html

地   址：
江苏省南通市通州区南通高新技术产业开发区双福路126号
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