扬州DS3056赛芯内置MOS 两节锂保

3或4串电池组的二级保护芯片主要描述XBM4X30系列产品内置高精度的电压检测电路和延迟电路，是一款用于可充电电池组的二级保护芯片，通过检测电池包中每一节电芯的电压，为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能：过充电检测电压-（步进50mV），精度±25mV；过充电电压0-（步进50mV），精度±50mV；过放电检测电压-（步进100mV），精度±80mV；过放电电压0V-（步进100mV），精度±100mV1。保护延时内置可选：可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能（可选）：增加了电池使用的安全性1。输出方式可选：有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选：动态输出H、动态输出。芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM3215DGB 现货在售，助力客户高效采购。扬州DS3056赛芯内置MOS 两节锂保

赛芯 XR4981A，在笔记本电脑辅助供电解决方案中应用。笔记本电脑在使用外接设备时，对供电系统的带载能力要求较高，赛芯 XR4981A 的 120W 最大输出功率，能满足外接显示器、移动硬盘等设备的同时供电需求。实际测试表明，搭载该控制器的笔记本扩展坞，在连接 4 个 USB 设备时，输出电压仍能稳定在 20V，确保各设备正常工作。其小型化封装设计使扩展坞体积缩小 15%，便于用户携带。在电池供电模式下，该控制器的高效性能使笔记本续航延长 8%，减少了户外办公时的电量焦虑。此外，其过压保护功能能有效防止电压过高损坏笔记本主板，提升了设备的使用安全性，为移动办公设备的功能扩展提供了稳定的电力支持。惠州6096J9o赛芯原厂芯纳科技作为赛芯芯片代理，XBM3204BCA 型号现货供应，支持按需采购。

DS2730数据手册—降压型PD3.0 C+CA多口快充SOC    特点放电管理高度集成■双路**BuckBuckBuck转换器（开关频率：比较大1MHz）■内置环路补偿电路■比较高放电效率：98%（VIN=2IN=2IN=20V，VBUS=20V@5AVBUS=20V@5AVBUS=20V@5AVBUS=20V@5AVBUS=20V@5AVBUS=20V@5AVBUS=20V@5A）■内置16-bitbit高精度ADC■支持CV/CCCV/CCCV/CCCV/CC模式■内置2路USBUSBTypeTypeTypeType-C接口■输入电压范围：5~30V■集成多路GPIO，可以定制功能■输出电压范围：3.3~.3~.3~20V■放电电压精度：10mV快充协议■最大放电电流：5A，支持线损补偿功能■PD3.0/PPSPD3.0/PPSPD3.0/PPSPD3.0/PPSPD3.0/PPS、PD2.0PD2.0PD2.0PD2.0■支持低功耗模式■QC3.0C3.0C3.0C3.0、QC2.0C2.0C2.0C2.0■支持功率动态分配■AFC■AFC■AFC、FCP、SCP■支持C+CA+CA+CA的双路多口快充，支持直通模式■APPLE2.4A■APPLE2.4A■APPLE2.4A■APPLE2.4A■APPLE2.4A■APPLE2.4A■APPLE2.4A■BC1.2DCPBC1.2DCPBC1.2DCPBC1.2DCPBC1.2DCPBC1.2DCPBC1.2DCPBC1.2DCP典型应用：■充电器封装形式：■储能

XBM2138QFA两串锂电池保护芯片介绍35W以内XBM2138QFA2串锂保集成MOS内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能DS3056B是一款面向小家电/电动工具等电池包快充充电和小功率放电的快充管理SOC。

赛芯XR4981A应用在扫地机器人身上，其高效的能量转换能力使电池续航延长12%，单次充电可覆盖150平方米的清洁面积，减少了中途充电的频率。此外，赛芯XR4981A采用的QFN3*3-16封装体积小巧，为智能家居设备的小型化设计留出更多空间，比如在智能开关面板中，可集成更多功能模块而不增加产品厚度。合作的智能家居品牌反馈，使用该控制器后，设备的电源模块故障率降低15%，主要得益于其完善的过流、过压保护功能，能有效应对家庭电路中的突发电压波动，为智能家居系统的安全稳定运行提供了可靠保障。芯纳科技提供赛芯芯片代理服务，XBM325 现货在售，保障客户生产需求。深圳6096J9m赛芯集成MOS 两节锂保

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保护IC应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计，锂电保护的GND接电池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的，VT脚通常可接芯片GND（B-），或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与，滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰，使得VDD电压尽量稳定，该电阻和电容缺一不可，缺少任何一个都会有少烧芯片的可能，增加生产的不良率（XB5432不加电容）。不同IC的电阻取值有差异，请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等，可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个，可以增强锂电保护电路的系统级ESD，增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用，减小内阻，增强持续电流，多芯片并联使用时，芯片VDD的RC网络，电阻可共用，但电容须要一个保护芯片配一个电容。扬州DS3056赛芯内置MOS 两节锂保