江门XBM3215DGB赛芯内置MOS 两节锂保

移动电源应用两串锂电池保护芯片介绍、35W以内、XBM2138QFA  2串锂保集成MOS内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能、XBM2138QFA芯纳科技专注赛芯芯片代理，XBM5770 现货在售，可快速响应订单需求。江门XBM3215DGB赛芯内置MOS 两节锂保

深圳市芯纳科技为移动办公设备厂商供应赛芯 XR4981A，在笔记本电脑辅助供电解决方案中应用。笔记本电脑在使用外接设备时，对供电系统的带载能力要求较高，赛芯 XR4981A 的 120W 最大输出功率，能满足外接显示器、移动硬盘等设备的同时供电需求。实际测试表明，搭载该控制器的笔记本扩展坞，在连接 4 个 USB 设备时，输出电压仍能稳定在 20V，确保各设备正常工作。其小型化封装设计使扩展坞体积缩小 15%，便于用户携带。在电池供电模式下，该控制器的高效性能使笔记本续航延长 8%，减少了户外办公时的电量焦虑。此外，其过压保护功能能有效防止电压过高损坏笔记本主板，提升了设备的使用安全性，为移动办公设备的功能扩展提供了稳定的电力支持。北京XBM5254赛芯内置MOS 两节锂保DS1000是拥有专利技术的电容式电池主动均衡芯片。

DS1000是拥有专利技术的电容式电池主动均衡芯片。利用电容在两节电池之间传输电流，从高电压电池向低电压电池充电，直到两节电池达到均衡。相比于被动均衡的方式，具有能量损失小，均衡电流大，功耗低，发热量小，全电压范围均衡的优势.均衡效率比较高达95%，均衡电流比较大500mA,典型工作电流1mA,待机电流3uA.均衡开启和关闭可电平控制。内置电池欠压保护，过温保护。2.特性--主动均衡方式，避免能量损失--电容式均衡不需电感--比较大均衡效率95%--均衡工作电流低于1mA--均衡电压低至15mV--比较大均衡电流500mA--休眠电流低至3uA--欠压电流1uA--电平控制均衡开启或关闭--均衡休眠状态自动检测转换--电池欠压关断--过温关断

    DS3056B充电管理高度集成■高效Buck-Boost变换器（开关频率：比较大400kHz）■内置环路补偿电路■比较高充电效率：98%■内置16-bit高精度ADC■充电输入电压■内置USBType-C接口■电池串数支持2~6串■集成电量计算■电池电压可选■集成LED显示，支持1灯/2灯/4灯的显示方式■充电功率可选：20W/30W/36W/45W/65W/100W（不同的串数支持不同的功率）■集成I2C接口，通过接口可设置充放电的开/关，充电功率，特殊电池电压范围的设置，获取充放电的电压/电流/NTC温度/和工作状态■充电电流精度5mA、电压检测精度10mV■休眠时静态电流＜60μA■具有外部休眠唤醒功能，可配合外部放大器做电流唤醒功能是一款面向小家电/电动工具等电池包快充充电和小功率放电的快充管理SOC，集成了同步升降压快充驱动器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块，支持2-6串电芯，比较大100W充电功率，支持CC-CV切换，支持，、；输出5V/3A。具有输入输出过压/欠压、电池过放过充、过温、过流、充电超时等完备的保护功能。搭载极简的**线路，即可组成小家电和电动工具充电包等快充充放电方案。 芯纳科技是赛芯芯片代理服务商，XBM3214DGB 型号现货供应，支持快速发货。

电源管理芯片广泛应用于各个领域。在消费电子领域，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，它们确保设备在不同的使用场景下（如待机、运行大型程序等）都能实现理想的电源效率，延长电池续航时间。在工业自动化领域，为各种传感器、控制器和执行器提供稳定的电源，保证工业系统的可靠运行。在汽车电子方面，电源管理芯片用于汽车的引擎控制、车载娱乐系统、照明系统等，适应汽车复杂的电源环境和严格的可靠性要求。在医疗设备中，也起着关键作用，保障设备的精确运行和患者的安全。XF5131是赛芯退出的一款集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片。广州DS6036赛芯原厂

DS3056B—2-6串快充充电，功率100W；5V/3A放电管理SOC。江门XBM3215DGB赛芯内置MOS 两节锂保

   PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。江门XBM3215DGB赛芯内置MOS 两节锂保