企业商机
赛芯基本参数
  • 品牌
  • 赛芯微xysemi,上海如韵,上海芯龙
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • DIP,SOP/SOIC,PLCC,SMD,BGA,TQFP,PQFP,QFP,CSP,TSOP,PGA,QFP/PFP,MCM,SDIP
赛芯企业商机

XBM4X30系列产品、3或4串电池组的二级保护芯片主要描述内置高精度的电压检测电路和延迟电路,是一款用于可充电电池组的二级保护芯片,通过检测电池包中每一节电芯的电压,为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能:过充电检测电压-(步进50mV),精度±25mV;过充电电压0-(步进50mV),精度±50mV;过放电检测电压-(步进100mV),精度±80mV;过放电电压0V-(步进100mV),精度±100mV1。保护延时内置可选:可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能(可选):增加了电池使用的安全性1。输出方式可选:有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选:动态输出H、动态输出。多节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM5244 均衡,推挽,充电过流检测.3-4串XBM4X30 开漏,次级保护。汕头6096J9赛芯厂家

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XBM2138QFA    2串锂电池保护芯片介绍  35W以内      XBM2138QFA     内置MOS  2串锂保   内置均衡   :对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节:保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节 ,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能北京XBM3215MDA赛芯集成MOS 两节锂保3~4串集成均衡/NTC/Sense XBM5244.

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XBM3214 用于2串锂电池的保护芯片,芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路,支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能,具备25mV过充电检测精度,采用SOT23 - 6封装多串锂电池保护IC概述锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点,在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言,过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常,影响电池使用寿命。因此,多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池,避免出现危险状况

    快充充电管理SOC是一种高度集成的芯片,将多个功能模块集成在一个芯片上。面向小家电/电动工具,集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计,I2C通信等功能模块。充电功率高:能达到100W充电功率。支持CC-CV切换:可根据充电过程的不同阶段自动切换充电模式。兼容多种主流快充协议:如、、AFC、、DCP等,能满足不同设备的快充需求。具备完备保护功能:提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等保护,确保充电过程的安全可靠。小家电/电动工具应用领域:电动牙刷充电:电动牙刷通常需要定期充电,且使用频率较高。,提高使用便利性。例如,用户在早上发现电动牙刷电量不足时,利用其快充功能,能在短时间内完成充电,不影响正常使用。手持吸尘器充电:手持吸尘器在使用后电量消耗较大,。该SOC可以为手持吸尘器设计快充方案,使其充电时间大幅缩短,提高清洁效率。电钻充电:在建筑装修或家居维修场景中,电钻使用频繁,电量消耗快。DS3056B能满足电钻的快充需求,减少充电等待时间,提高工作效率。电锯充电:电锯在木材加工等行业应用,其工作强度大,电量消耗迅速。 线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。

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锂电保护应用原理图①按锂电池保护芯片的典型原理图设计,锂电保护的GND接电池的B-,不能接外部大地,芯片的VM接外部大地。②带EPAD的芯片,一般EPAD接芯片的GND(B-),请严格按照规格书中的典型原理图来做。③锂电池保护芯片带VT脚的,VT脚通常可接芯片GND(B-),或者悬空。④典型应用图中的100Ω/1KΩ电阻与,滤除电池电压的剧烈波动和外部强烈电压干扰,使得VDD电压尽量稳定,该电阻和电容缺一不可,缺少任何一个都会有少烧芯片的可能,增加生产的不良率(XB5432不加电容)。不同IC的电阻取值有差异,请根据***版的Datesheet的典型应用图或FAE的建议选择电阻的取值。⑤马达应用、LED照明应用、射频干扰应用、负载电流剧烈变化的应用如音频功放等,可能需要增大RC滤波的网络的R和C的值,如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等,比较大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之间靠近管脚加一个,可以增强锂电保护电路的系统级ESD,增强对尖峰电压等外部信号的抗干扰能力。⑦锂电保护芯片可并联使用,减小内阻,增强持续电流,多芯片并联使用时,芯片VDD的RC网络,电阻可共用,但电容须要一个保护芯片配一个电容。3串 集成Sense锂电池保护IC XBM3360.珠海XBM3204BCA赛芯代理

XC3098(磷酸铁锂充电芯片).汕头6096J9赛芯厂家

    PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联,实现几乎是直接翻倍的带载能力,降低内阻,提高效率,但布板清注意:①两个芯片尽量对称,直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地,减小布线内阻和加强散热。③,每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻,并且布的离VDD近些,尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些,也无需多粗,但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小,PCB板上,封装焊盘略大一些,避免虚焊。②,走线经过电阻后,先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND,使整个电容环路**小。④芯片的GND(B-)到VM建议预留一个C2()电容位置,C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD,建议连接芯片的GND(B-)或者悬空。 汕头6096J9赛芯厂家

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