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赛芯微XBL6015-SM二合一锂电保护，集成MOS，支持船运模式，关机电流低至1nA。 XB6015-SM的特点： 1.低功耗，工作电流0.4uA,关机电流1nA； 2.更贴近应用的保护电流，充电过流300mA，放电过流150mA，短路电路450mA； 3.高集成度，集成MOS，支持船运模式，集成虚焊保护功能； 4.高可靠性，支持充电器反接功能，支持带负载电芯防反接功能，ESD 8KV； 5.更好的匹配性，锂电保护无管压降，可以支持不同类型的充电芯片； 6.系列化，支持4.2-4.5V的电芯平台。任一输出口的输出电流小于约 80mA时，持续 15s 后会自动关闭该口。1oFB

DS6036B 集成高压输出的同步开关转换器系统，支持 3V~21V 宽电压范围输出。同步开关升降压系统可提供上限 100W的 输出能力。DS6036B 内置软启动功能，防止在启动时冲击电流过大引起故障。DS6036B 集成输出过流、短路、过压、过温等保护功能，确保系统稳定可靠的工作。USBC1 口或者 USBC2 插入充电电源，可直接启动充电。如果 USB-C 上插入 USB-C UFP 设备或者 USB-A 上插入用电设备，可自动开启放电功能。 如果有按键动作，USB-A1、USB-A2 上有负载连接时才会开启，否则会保持关闭状态。USBC1 口或者 USBC2 有电源插入，优先启动充电。在单充电的模式下，支持自动识别电源的快充模式，匹配合适的充电电压和充电电流。4R1FAE支持快充适配器插拔自动检测和快充协议的智能识别。

芯纳科技xinnasemi提供高质量的锂电池保护IC和二合一锂电保护IC,保障电池的安全和稳定性。

代理XYSEMI/赛芯微型号有：

XB5128A、XB5136IS、XB5152I2SZR、XB5152J2SZR、XB5153I2S、XB5153J2S、XB5153J2SWY、XB5225I2SZR、XB5306A、XB5307A、XB5307H、XB5332A、XB5332B、XB5350A、XB5350D0、XB5351A0、XB5352A、XB5352AR、XB5352AR12、XB5352AZ、XB5352G、XB5352M、、XB5353A、XB5358D0、XB5358G、XB5358K、XB5401A、XB5556A、0XB5606A、XB5606AJ、XB5606GJ、XB5608A、XB5608AJ、XB5608G、XB5891A、XB5806AE、XB6006AE、XB6008H2、XB6030J2S-SM、XB6030Q2S-SM、XB6040I2、XB6040I2S、XB6042I2、XB6042I2S、XB6042J2S、XB6042K2SV、XB6042M2S、XB6042Q2SV、XB6052M2S、XB6060I2、XB6060I2S、XB6060J2、XB6060M2S、XB6061I2、XB6061I2S、XB6061J2S、XB6090I、XB6091I2S、XB6091I2SV、XB6091ISC、XB6091J2SV、XB6092I2、XB6092J2、XB6094UA2S、XB6096IS、XB6096J、XB6096JS、XB6097IS、XB6156G、XB6166IS、XB6166ISA、XB6206AE、XB6366D、XB6706A、XB6706AHY、XB6706H2、XB6706U0、XB7608A、、XB7608AF、XB7608AJ、XB7608AJL、XB7608AR、XB7608G、XB7608GF、XB7608GJ、XB7608MF等

CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器，用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V，驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET)，LED电流通过外部电流检测电阻设置。 CN5815内部集成有基准电压源单元，误差放大器，330KHz振荡器，斜坡补偿发生器，电流模式PWM控制单元，电感过流保护电路，LED亮度调整单元，芯片关断单元，软启动电路和栅极驱动电路等模块。 CN5815采用电流模式PWM控制，改善了瞬态响应特性，简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。 其它功能包括芯片关断功能，过压保护，LED亮度调整，内置5V电压调制器和斜坡补偿等。 CN5815采用10管脚SSOP封装。可实现双C输入输出；性价比高，成本优；支持在线烧录。

一个是防止充电器的浪涌，与10uF电容一起做RC滤波，保护充电管理. 对充电器频繁热插拔的高压浪涌、对目前市场上的各种参差不齐的手机充电器，加这个电阻对产品的可靠性增加，从某种程度上说有一点系统TVS的效果。 所以这个电阻的功率稍微留点点余量。 二个是可以起到分压的作用，因为是线性充电，如果电池电压3.3V，这时充电处于快充阶段（设定450mA），如果输入5V，芯片自身将产生（5-3.3）*0.45=765mW的热量，芯片太烫，充电电流就会变得小些。而如果加0.5ohm电阻，该电阻将产生0.225V的压降，将能降低一些芯片的功耗，进而降低芯片温度，使得芯片可以保证以设定的450mA持续快速充电。但这个电阻不能大，因为如果大，上面产生的压差大，会影响电池电压4V以上时的快速充电，也会影响充电器输入电压偏低时仍然能以较大电流快速充电。专业供应电源IC.DC/DC升压芯片。二合一单晶圆锂电池保护IC

移动电源 SOC 为例，集成了多个功能模块后，使得移动电源的电路设计更加简洁，体积更小，便于携带。1oFB

 5301C、6501C、STP01、STP02、3IS1、A0v、3A、6A、6D、6B、XBaca、XBaaA、2h1Hj、XB4908、5136IS、5152I2SZ、3IS3、H3A3b1、3A3d1、6A3Z、6D3K、XBaaA3b1、XBaaA3b2、XB4908AJ、XB4908AJ3K2、XB4908GJ1w1、XB4908GJ3d1、5306A3T、5306A3W、5307A3A、5332A2W5、5332A2w、55352A3T、5352AR、3Q5352G2n、5352G3T、5352G3T/、5352G2r、5353A3T、5353A3W、5606AJ2s3、5606AJ2u1、5606AJ2v、15606AJ2z6、5606GJ1E、5608AJ2z、5608AJ3K、XB6008H3Q、3J131dA、6096J9o、6096J9q、6096JS0N、XB7608A2S3、XB7608A2S6、XB7608AJ3c1、XB7608AJL3a1、XB7608GJ3Z、XB7608GJ3d、XB8089D2h、XB8089D3T、XB8089D3U、XB8089G2n、XB8608AJ2W、XB8608AJ2s、XB8886A3B4、XB8886A3X1、XB8886A3b4、XB8886G3H、XB8989A2x、XB8989A3V31ihv、XC30713M、XC31012u、3105AN1w、50150y、50151P、AN1R、AN1S、XR29812e/、XR29812g。1oFB