单路2~6串升降压30~100W移动电源SOC DS6036B是一款高集成、多协议双向快充移动电源应用SOC,集成了同步开关升降压变换器、支持2~6节电池串联,支持30~100W功率选择,支持A+A+CinoutCinoutCinoutCinoutCinout+CinoutCinoutCinoutCinoutCinout任意口快充,支持CC-CV切换,支持//等主流快充协议,集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块,并提供输入/输出的过压/欠压,电池过充/过放、NTCNTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。 移动电源soc芯片 DS5136B 22.5W-27W 单串移动电源.无锡XBM5244 赛芯集成MOS 两节锂保

3或4串电池组的二级保护芯片主要描述XBM4X30系列产品内置高精度的电压检测电路和延迟电路,是一款用于可充电电池组的二级保护芯片,通过检测电池包中每一节电芯的电压,为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能:过充电检测电压-(步进50mV),精度±25mV;过充电电压0-(步进50mV),精度±50mV;过放电检测电压-(步进100mV),精度±80mV;过放电电压0V-(步进100mV),精度±100mV1。保护延时内置可选:可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能(可选):增加了电池使用的安全性1。输出方式可选:有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选:动态输出H、动态输出。 广州DS2730赛芯厂家3串 4串锂电池保护 /NTC/MSOP10多节锂电池保护——二级保护 XBM4X30。

XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片 、6--7串锂电池保护芯片介绍,XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能:对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节:6-7串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定,如果觉得该阈值较小,可以将多个开关MOS管进行并联操作,以增大过流电流,将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能
DS3056B集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、电池过充保护的功能。过压/欠压保护:电池充电过程中,DS3056B实时监测输入电压,并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值,且维持时间达到一定长度时,芯片关闭充电通路。过流保护:充电过程中,利用内部的高精度ADC,实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时,触发过流保护,芯片自动关闭充电通路。过温保护:电池充放电过程中,利用连接在TS管脚上的NTC,实时监测电池温度。当温度超出预设的保护门限时,首先降低功率。如果降低功率仍然无法过温,则自动关闭充电通路。电池过充保护:充电过程中,实时监测电池电压。当电池电压达到充电截止电压时,自动关闭充电通路。 高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片,具有功能全、集成度高,外部电路简单,调节方便。

XBM2138内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路,用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护。各延迟时间由内部电路设置(不需外接电容),连接充电器的端子采用高耐压设计(CS端子和OC端子,***额定值是33V),还具备向0V电池充电功能,可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热,需优化PCB散热(如增加铜箔面积) 内置MOS,集成均衡功能单节至四节镍氢电池进行充电管理。该器件内部包括功率晶体管,不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。深圳6096J9o赛芯代理
太阳能板供电的锂电池、磷酸铁锂电池充电管理芯片。无锡XBM5244 赛芯集成MOS 两节锂保
多节锂电保护产品二级保护解析二级保护的定义和作用在锂电池应用中,由于过充电、过放电以及过充电过放电电流等情况会导致电池内部发生化学副反应,严重影响电池性能与使用寿命,甚至引发安全问题,因此需要对电池进行保护。一级保护通常由IC和MOSFET在充电和放电周期期间为电池组提供,而二级保护则是在一级保护的基础上,确保完整的用户安全,为装置在正常操作范围之外的情况下提供保护14。二级保护的具体体现电压异常保护过充电保护:当电池充电时,若任意一节电池达到充满状态,二级保护会发挥作用。设计的8串15A放电锂电保护板中,任意一节电池充满,相应的OC口会变为低电平,使对应的管子截止,进而让OC变为低电平,结束充电周期。 无锡XBM5244 赛芯集成MOS 两节锂保
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