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收音机终只要其中的上包络信号，下包络信号不用，中间的高频载波信号也不需要。2．电路中各元器件作用说明如表9-43所示是元器件作用解说。表9-43元器件作用解说3．检波电路工作原理分析检波电路主要由检波二极管VD1构成。在检波电路中，调幅信号加到检波二极管的正极，这时的检波二极管工作原理与整流电路中的整流二极管工作原理基本一样，利用信号的幅度使检波二极管导通，如图9-49所示是调幅波形展开后的示意图。图9-49调幅波形时间轴展开示意图从展开后的调幅信号波形中可以看出，它是一个交流信号，只是信号的幅度在变化。这一信号加到检波二极管正极，正半周信号使二极管导通，负半周信号使二极管截止，这样相当于整流电路工作一样，在检波二极管负载电阻R1上得到正半周信号的包络，即信号的虚线部分，见图中检波电路输出信号波形（不加高频滤波电容时的输出信号波形）。检波电路输出信号由音频信号、直流成分和高频载波信号三种信号成分组成，详细的电路分析需要根据三种信号情况进行展开。这三种信号中，重要的是音频信号处理电路的分析和工作原理的理解。1）所需要的音频信号，它是输出信号的包络，如图9-50所示，这一音频信号通过检波电路输出端电容C2耦合。外壳是由塑胶材料制成，且在外壳上有均匀分布的窗口。河北哪里有二极管模块供应

二极管的反向饱和电流受温度影响很大。3、击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生早的半导体器件之一，其应用也非常广。二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降，锗管正向管压降为，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为，黄色发光二极管的压降为—，绿色发光二极管的压降为—，正常发光时的额定电流约为20mA。二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。[1]二极管原理二极管的原理编辑二极管工作原理。福建哪里有二极管模块无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹。

二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。

1N5399硅整流二极管1000V,,1N5400硅整流二极管50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401硅整流二极管100V,3A,1N5402硅整流二极管200V,3A,1N5403硅整流二极管300V,3A,1N5404硅整流二极管400V,3A,1N5405硅整流二极管500V,3A,1N5406硅整流二极管600V,3A,1N5407硅整流二极管800V,3A,1N5408硅整流二极管1000V,3A,1S1553硅开关二极管70V,100mA,300mW,,1S1554硅开关二极管55V,100mA,300mW,,1S1555硅开关二极管35V,100mA,300mW,,1S2076硅开关二极管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2076A硅开关二极管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2471硅开关二极管80V,Ir≤≤,≤2PF,1S2471B硅开关二极管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,1S2471V硅开关二极管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,1S2472硅开关二极管50V,Ir≤≤,≤2PF,1S2473硅开关二极管35V,Ir≤≤,≤3PF,1S2473H硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2AN1二极管5A,f=100KHz2CK100硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2CK101硅开关二极管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK102硅开关二极管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK103硅开关二极管20V,100mA,2PF,100ma,2CK104硅开关二极管35V。整流二极管模块是利用二极管正向导通，反向截止的原理，将交流电能转变为质量电能的半导体器件。

若能运用元器件的某一特性去合理地解释它在电路中的作用，说明电路分析很可能是正确的。例如，在上述电路分析中，只能用二极管的温度特性才能合理解释电路中VD1的作用。2）温度补偿电路的温度补偿是双向的，即能够补偿由于温度升高或降低而引起的电路工作的不稳定性。3）分析温度补偿电路工作原理时，要假设温度的升高或降低变化，然后分析电路中的反应过程，得到正确的电路反馈结果。在实际电路分析中，可以只设温度升高进行电路补偿的分析，不必再分析温度降低时电路补偿的情况，因为温度降低的电路分析思路、过程是相似的，只是电路分析的每一步变化相反。4）在上述电路分析中，VT1基极与发射极之间PN结（发射结）的温度特性与VD1温度特性相似，因为它们都是PN结的结构，所以温度补偿的结果比较好。5）在上述电路中的二极管VD1，对直流工作电压+V的大小波动无稳定作用，所以不能补偿由直流工作电压+V大小波动造成的VT1管基极直流工作电流的不稳定性。5．故障检测方法和电路故障分析这一电路中的二极管VD1故障检测方法比较简单，可以用万用表欧姆档在路测量VD1正向和反向电阻大小的方法。当VD1出现开路故障时，三极管VT1基极直流偏置电压升高许多。光电二极管又称光敏二极管。江苏哪里有二极管模块货源充足

当制成大面积的光电二极管时，可当作一种能源而称为光电池。河北哪里有二极管模块供应

一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。中文名整流二极管外文名rectifierdiode类别半导体器件特性单方向导电电流流向正极流入，负极流出包含PN结，有正极和负极两个端子损坏原因运行条件恶劣、运行管理欠佳等目录1概述2选用3特性4常用参数5损坏原因6代换7检查方法8常用型号9高频整流二极管的特性与参数整流二极管概述编辑整流二极管(rectifierdiode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。河北哪里有二极管模块供应