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存储器是用来保存程序和数据，以及运算的中间结果和之后结果的记忆装置。内存储器与外存储器的区别：1、内存是执行程序时的临时存储区，掉电后数据全部丢失；外存是用来存储原始数据和运算结果的，掉电后数据不会丢失；2、内存的特点是存取速度快，但是容量小、价格贵，而外存的特点是容量大、价格低，但是存取速度慢；3、内存用于存放计算机立即要用的程序和数据，外存用于存放暂时不用的程序和数据。什么是存储器？存储器是用来保存程序和数据，以及运算的中间结果和之后结果的记忆装置。存储器在计算机中的操作动态是什么？天津24AA02E64T-I/SN存储器热卖

SRAM存储器StaticRAM静态随机存储器：是一种可以静态存储数据的存储器，静态是指不需要刷新电路就可以保存数据。SRAM是用触发器作为存储元，触发器只要直流电源一直加在记忆电路上，就会一直保持0或1的状态，电源断电就会失去记忆，也就是说当供电时SRAM可以存储数据，但是一旦断电存储的数据就会消失。SRAM有三组信号线与外部连接：·地址线地址线的条数n的数量指定了存储器的容量为2^n个存储单元。·数据线n条数据线指定了存储器的存储字长为n位。·控制线控制线控制存储器是进行读操作（高电平）还是写操作（低电平）。·SRAM采用双译码方式，以便组织更大的存储容量。24AA02E64T-E/OT存储器24AA02系列存储器存储器的存放需要注意什么？

PROM（ProgrammableROM）：可编程程序只读存储器，是需要利用电流将其烧断，写入所需的资料，但只能写录一次EPROM（ErasableProgrammableROM）：可抹除可编程只读存储器，可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory）：电子式可抹除可编程只读存储器，运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成，完成之后的结果是会再次导入至相关的记忆存储器之中

存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和更终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。存储器的构成构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中更小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节。每个存储单元的位置都有一个编号，即地址，一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数（即5位十六进制数）组成，则可表示220，即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节，则该存储器的存储容量为1KB。存储器中包含的有没有光盘呢？

外部大容量存储器外部大容量存储器就有磁盘存储器(硬盘和软盘)、光盘存储器和SD卡。磁盘存储器，容量大，使用寿命长但价格贵，主要是用在个人PC中，较少用在嵌入式开发中。光盘存储器：用光学方式读取/写入信息的圆盘，一般用于多媒体信息载体，较少出现在嵌入式领域中。SD卡：体积小，安全性也高。简单设计一下外围电路即可支持嵌入式开发，是常见的外部存储器。存储器类型内存储:eRAM，这东西很特殊，很少见，速度极快，现在已知的是用于XBOX360的GPU，其中的eRAM带宽256GB/s。SRAM，速度很快，发热量大，单位容量价格高，用于CPU的缓存，其中一级缓存带宽大约30-50GB/s。DRAM，主要用于内存颗粒。在计算机中，存储器的具体途径是什么？重庆24AA02E48T-I/SN存储器热卖

存储器的相关发展有哪些进程？天津24AA02E64T-I/SN存储器热卖

存储器中的三管组成是三管读出时，先对T4置一预充电信号，使读数据线达高电压VDD，然后由读选择先打开T2，若T1的极间电容Cg存在足够多的电荷"1",是T1导通，则因T2，T1导通接地，使读数据线降为零电平，即“0”，若没有足够多的电荷“0”，T1截止，使读数据线的高电平不变，读出“1”信息。写入时，由写选择线打开T3，这样，Cg变能随输入信息充电（写“1”）或放电（写“0”）将写入信号加到写数据线上。单管（为了提高集成度）读出时，字段上的高电平使T导通，若Cs有电荷，经T管在数据线产生电流，可视为读出“1”。若Cs无电荷，则数据线上无电流，可视为读出“0”。读操作结束时，Cs的电荷已将破坏性对出，必须再生。写入时，字段上的高电平使T导通，若数据线上为高电平，经T管对Cs充电，使其存“1”；若数据线为低电平，则Cs经T放电，使其无电荷而存“0”可以说动态RAM的读过程就是检测电容有无电，而写过程就是对电容充电放电的过程注：T是mos管，不是电源，它能被导通，短的一端有电才能被导通天津24AA02E64T-I/SN存储器热卖