红外热成像仪和单点红外测温仪同属红外测温设备，原理都是红外辐射测温，但应用方向不同。单点测温仪聚焦单个点的辐射，输出单一温度值，适合快速测某点温度（如电机轴承）；热成像仪则通过阵列探测器同时接收多个点的辐射，将不同点的温度转化为不同颜色（高温红、低温蓝），形成热图像，能直观展示温度分布。原理上，热成像仪的光学系统需覆盖更大区域，探测器是由数百甚至数千个微小探测单元组成的阵列（如 320×240 像素），信号处理需同步处理大量像素的信号并生成图像。两者相辅相成：单点测温仪测准确数值，热成像仪找温度异常区域，结合使用能更准确掌握温度情况。适用多种物体表面，固体、液体均可测。北京国内高温计型号
思捷光电：国内专业红外测温解决方案提供商 常州思捷光电科技有限公司是集红外测温仪研发、生产、销售与售后服务于一体的科技型企业，深耕行业二十余年，掌握红外测温关键技术并拥有自主知识产权，是国内专业的比色（双色）测温产品供应商。其产品覆盖非接触式红外测温仪、检测仪器及工业自动化检测仪表，测温范围跨度极广，从-50℃至3300℃，系列化产品达60多款，其中比色测温产品近20款，可满足多行业细分需求。公司技术实力雄厚，生产工艺成熟，配备先进实验设备与齐全生产设施，从产品设计、零件选型到成品检验、售后服务均实施严格质量管理，还搭建 EMC 测试平台、老化测试平台及无尘实验室，拥有 10 余台覆盖 - 50℃~3000℃的标准黑体炉，保障每台产品精度。此外，公司通过 ISO9001 质量管理体系、环境管理体系及职业健康安全管理体系认证，多款产品获 “常州市高新技术产品” 认定，如 STRONG-SR-6016 双色红外测温仪，凭借专业能力为各行业提供准确测温解决方案。大同国内高温计定制测量精度较高，满足多数日常及工业需求。
思捷光电STRONG-SR系列双色红外测温仪，是针对高温工业场景研发的产品，测温范围覆盖600℃~3200℃（分段），适配高温炉、石墨炉、真空炉及半导体制造等严苛工况。该系列采用Si/Si叠层硅探测器，测温波长为(0.7~1.08)μm/1.08μm，测量精度达±0.5%T（T为测量温度值），分辨率0.1℃，重复精度±2℃，确保高温环境下的准确数据输出。其优势在于双色测温技术——即使检测环境存在灰尘、水汽或目标部分遮挡，信号衰减95%仍不影响测温结果，完美解决传统单色测温仪受环境干扰大的痛点。距离系数涵盖60:1、100:1至200:1，可根据测量距离与目标大小灵活选择，例如距离系数200:1时，150mm~5000mm测量距离内，光斑只有0.75mm~25mm，适配小目标高温测量。此外，产品支持PID恒温控制与全量程温度补偿，避免环境温度（-20℃~+200℃带水冷）对精度的影响，搭配高亮度绿色LED、目镜或视频瞄准（所见即所测），安装调试便捷，是钢铁、半导体等高温行业的理想选择。
光伏单晶硅生产中，从铸锭、拉晶到切片，温度控制直接影响硅料纯度与晶体结构，进而决定光伏组件转换效率。思捷光电针对单晶硅生产全流程，提供多系列红外测温仪解决方案，覆盖单晶硅铸锭炉、单晶炉及晶圆加工环节。单晶硅铸锭炉（800℃~1600℃）采用STRONG-SR-6016双色测温仪，60:1距离系数适配炉体结构，双色模式不受炉内硅蒸汽与石墨粉尘干扰，测量精度±0.5%T，确保铸锭过程温度均匀。单晶炉拉晶环节（1400℃~2000℃）选用MARS-G-3530单色测温仪，InGaAs探测器适配中高温段，100:1距离系数准确测量硅熔体界面温度，5ms响应捕捉拉晶速度变化时的温度波动。晶圆加工的薄膜沉积工艺（300℃~800℃）则用STRONG-GR-2512，250℃~1200℃量程适配低温段，窄带红外滤片减少薄膜材料发射率变化影响。整套方案支持数据存储与曲线分析，帮助企业优化工艺参数，某光伏企业应用后，单晶硅片转换效率提升0.3%，原料损耗降低2.5%。探测器加热温度默认 40℃，40℃~60℃可选。
EX-SMART-F 系列光纤式双色红外测温仪，在功能配置上，它支持双色、单色宽波段（1CB）、单色窄波段（1CS）三种测温模式，主屏与小屏可同步显示不同模式下的实时温度，满足多样化测量需求。配备红色激光瞄准（800℃以下建议关闭以避免影响精度），搭配手动可调焦镜头（焦距 0.15m~5m），准确定位被测目标。同时，具备镜头脏检测功能，当双色信号能量百分比低于设定值（默认 30%）时，PNP 输出 DC24V 报警，提醒及时清洁。丰富的通讯与输出接口（3 路模拟量、RS485/RS232）支持设备联网与数据上传，广泛应用于激光加热、等离子体加热、半导体长晶炉等高精度、复杂环境的温度监测可手动设置报警值、模拟量输出起始值与终点值。齐齐哈尔国产高温计比较
STRONG 系列防护等级达 IP65，可防尘防水。北京国内高温计型号
第三代半导体（如碳化硅、氮化镓）长晶过程对温度精度要求极高，长晶炉内温度需控制在1500℃~2500℃，温差超±5℃即影响晶体质量。思捷STRONG-SR系列双色红外测温仪，凭借高精度、抗干扰特性，成为长晶炉测温的关键设备。该系列采用叠层硅探测器，测温精度±0.5%T，分辨率0.1℃，可实现长晶炉内温度的微差监测。双色测温技术消除炉内惰性气体（如氩气）、粉尘及晶体挥发物对测量的干扰，即使光学通道存在轻微污染，仍保持数据准确。产品支持PID恒温控制，探测器温度稳定在40℃，全量程温度补偿避免环境温度（带水冷-20℃~+200℃）波动影响，确保长期测量精度。此外，视频瞄准功能可清晰观察炉内晶体生长状态，所见即所测，便于准确定位测温点；RS485通讯接口将温度数据实时传输至长晶控制系统，实现温度自动调节。某半导体企业应用后，碳化硅晶体缺陷率下降18%，长晶周期缩短10%，充分体现其技术优势。北京国内高温计型号
