陕西MD二极管模块生产厂家

可控硅模块的简要说明：

可控硅模块的出现已经历史悠久，它的出现也帮助人们解决了很多难题，凭借它的优势，使可控硅模块在电气行业中非常的受欢迎，

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductormodule）。刚开始是在1970年出现在电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。

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实际上，可控硅模块元件的结温不容易直接测量，因此不能用它作为是否超温的判据。通过控制模块底板的温度（即壳温Tc）来控制结温是一种有效的方法。由于PN结的结温Tj和壳温Tc存在着一定的温度梯度，知道了壳温也就知道了结温，而相当高壳温Tc是限定的，由产品数据表给出。借助温控开关可以很容易地测量到与散热器接触处的模块底板温度（温度传感元件应置于模块底板温度相当高的位置）。从温控天关测量到的壳温可以判断模块的工作是否正常。若在线路中增加一个或两个温度控制电路，分别控制风机的开启或主回路的通断（停机），就可以有效地保证晶闸管模块在额定结温下正常工作。

  需要指出的是，温控开关测量到的温度是模块底板表面的温度，易受环境、空气对流的影响，与模块和散热器的接触面上的温度Tc，还有一定的差别（大约低几度到十几度），因此其实际控制温度应低于规定的Tc值。用户可以根据实际情况和经验决定控制的温度。 江西可控硅模块生产厂家奥凯电气是多层次的组织与管理模式。

晶闸管智能模块在手动控制时，对所用电位器有何要求?

电位器的功率 ≥0.5W ，阻值范围从5.1—100K均可。

晶闸管智能模块的散热应注意些什么?

晶闸管智能模块芯片结温不能超过 125 度，当模块工作稳定时，散热器温度勿超过80度（即模块的壳温），否则烧坏模块。

当用户测试模块输出不正常时，自行考虑哪几方面?

（1）模块是否带负载测试。

（2） 12V 电源是否符合模块工作要求。

（3）如果是微机或仪表控制，看控制端是否有放电回路，因 2 、3 脚有一电容可能存贮电荷，使未加信号时导通，需在2、 3 脚间接一个500K电阻。

（4）若用户测试不平衡，首先看其负载是否平衡，测试时数字表红、黑表笔是否应 AB 、BC 、CA 相。

（5）接线是否正确，尤其单相交流模块，两边对应要加零线。

（6）若用户带感性、容性负载或负载不确定的情况下，模块工作不正常，建议用户在纯阻性负载下测试。

（7）对于控制信号不确定的情况下，选用电位器调节来检查模块是否正常。

晶闸管模块的使用注意事项：

     晶闸管应用之前，必须要充分考虑产品各项参数，保证产品的正常使用。选用正高晶闸管模块额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。

  1、选用晶闸管模块的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。

  2、使用晶闸管模块之前，应该用万用表检查晶闸管模块是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。

  3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。

  4、电流为5A以上的晶闸管模块要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与晶闸管模块管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。

  5、按规定对主电路中的晶闸管模块采用过压及过流保护装置。

  6、要防止晶闸管模块控制极的正向过载和反向击穿。 奥凯电气以快的速度提供前列的产品质量和好的价格及完善的售后服务。

调压模块的结构：

一体化三相调压模块结构如图1所示，1、3、5为模块进线端，2、4、6为模块出线端，分别连接电源和负载。左侧6个接线端为控制功能端，分别为4～20 mA信号输入端、0～10 V信号输入端、0～5 V信号输入端、0～10 mA信号输入端及手动控制输入端。当某控制端(如4～20 mA功能端)输入信号由小(4 mA)连续的变化到比较大(20 mA)时，模块的输出线电压由0 V连续的变化到电网电压380 V。

三相交流一体化移相调压模块是一使用简单、可靠性高的新型智能模块，它可直接带动变压器等感性负载或电加热等阻性负载工作。采用它实现功率调节的温度控制系统，可有效地实现浸漆后电机绕组的烘干处理。系统外部接线简单、运行稳定，维护和维修方便。调压模块应用时，应注意模块内可控硅在较小导通角下长时间输出较大电流(即主电路输入电压很高，输出电压很低)，这可能导致模块严重发热。故应考虑负载与模块匹配，使模块在较大的导通角下工作。

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晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 陕西MD二极管模块生产厂家

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