武汉打造PCB培训布局

(10)关键的线要尽量粗，并在两边加上保护地。高速线要短而直。(11)元件引脚尽量短，去耦电容引脚尽量短，去耦电容使用无引线的贴片电容。(12)对A/D类器件，数字部分与模拟部分地线宁可统一也不要交*。(13)时钟、总线、片选信号要远离I/O线和接插件。(14)模拟电压输入线、参考电压端要尽量远离数字电路信号线，特别是时钟。(15)时钟线垂直于I/O线比平行I/O线干扰小，时钟元件引脚需远离I/O电缆。(16)石英晶体下面以及对噪声敏感的器件下面不要走线。(17)弱信号电路，低频电路周围不要形成电流环路。(18)任何信号都不要形成环路，如不可避免，让环路区尽量小在多层板PCB中，整层都直接连接上地线与电源。所以我们将各层分类为信号层，电源层或是地线层。武汉打造PCB培训布局

布局整体思路（1）整板器件布局整齐、紧凑;满足“信号流向顺畅，布线短”的原则；（2）不同类型的电路模块分开摆放，相对、互不干扰；（3）相同模块采用复制的方式相同布局；（4）预留器件扇出、通流能力、走线通道所需空间；（5）器件间距满足《PCBLayout工艺参数》的参数要求；（6）当密集摆放时，小距离需大于《PCBLayout工艺参数》中的小器件间距要求；当与客户的要求时，以客户为准，并记录到《项目设计沟通记录》。（7）器件摆放完成后，逐条核实《PCBLayout业务资料及要求》中的布局要求，以确保布局满足客户要求。深圳专业PCB培训原理在正式培训结束后，提供持续的学习资源和支持。

添加特殊字符（1）靠近器件管脚摆放网络名，摆放要求同器件字符，（2）板名、版本丝印：放置在PCB的元件面，水平放置，比元件位号丝印大（常规丝印字符宽度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名丝印，方便识别。添加特殊丝印（1）条码：条码位置应靠近PCB板名版本号，且长边必须与传送方向平行，区域内不能有焊盘直径大于0.5mm的导通孔，如有导通孔则必须用绿油覆盖。条码位置必须符合以下要求，否则无法喷码或贴标签。1、预留区域为涂满油墨的丝印区。2、尺寸为22.5mmX6.5mm。3、丝印区外20mm范围内不能有高度超过25mm的元器件。2）其他丝印：所有射频PCB建议添加标准“RF”的丝印字样。对于过波峰焊的过板方向有明确规定的PCB,如设计了偷锡焊盘、泪滴焊盘或器件焊接方向，需要用丝印标示出过板方向。如果有扣板散热器，要用丝印将扣板散热器的轮廓按真实大小标示出来。放静电标记的优先位置是PCB的元件面，采用标准的封装库。在板名旁留出生产序列号的空间，字体格式、大小由客户确认。

元件排列原则（1）在通常条件下，所有的元件均应布置在PCB的同一面上，只有在顶层元件过密时，才能将一些高度有限并且发热量小的元件（如贴片电阻、贴片电容、贴片IC等）放在底层。（2）在保证电气性能的前提下，元件应放置在栅格上且相互平行或垂直排列，以求整齐、美观。一般情况下不允许元件重叠，元件排列要紧凑，输入元件和输出元件尽量分开远离，不要出现交叉。（3）某些元件或导线之间可能存在较高的电压，应加大它们的距离，以免因放电、击穿而引起意外短路，布局时尽可能地注意这些信号的布局空间。（4）带高电压的元件应尽量布置在调试时手不易触及的地方。（5）位于板边缘的元件，应该尽量做到离板边缘有两个板厚的距离。（6）元件在整个板面上应分布均匀，不要这一块区域密，另一块区域疏松，提高产品的可靠性。在通常情况下，所有的元件均应布置在电路板的同一面上。

在现代科技发展快速的时代，电子产品已经成为我们生活中不可或缺的一部分。其中，PCB（PrintedCircuitBoard印刷电路板）作为电子产品中重要的组成部分之一，起到了承载和连接电子元器件的重要作用。由于其广泛应用于电脑、手机、家电等众多领域，对PCB的需求量也日益增长。因此，掌握PCB设计和制造技术成为了现代人不可或缺的一项技能。为了满足不同人群对PCB技术的需求，许多相关的培训机构相继涌现。这些培训机构致力于向学员传授PCB的相关知识和技能，帮助他们迅速掌握并应用于实际项目中。在保证电气性能的前提下，元件应放置在栅格上且相互平行或垂直排列，以求整齐、美观。深圳专业PCB培训原理

一些元器件或导线有可能有较高的电位差，应加大他们的距离，以免放电引起意外短路。武汉打造PCB培训布局

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。武汉打造PCB培训布局