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PCB设计企业商机

电气方面注意事项(1)TVS管、ESD、保险丝等保护器件靠近接口放置;(2)热敏器件远离大功率器件布局;(3)高、中、低速器件分区布局;(4)数字、模拟器件分区布局;(5)电源模块、模拟电路、时钟电路、射频电路、隔离器件布局按器件资料;(6)串联电阻靠近源端放置;串联电容靠近末端放置;并联电阻靠近末端放置;(7)退藕电容靠近芯片的电源管脚;(8)接口电路靠近接口;(9)充分考虑收发芯片距离,以便走线长度满足要求;(10)器件按原理图摆一起;(11)二极管、LED等极性与原理图应保持一致。PCB设计工艺的规则和技巧。黄冈高速PCB设计哪家好

ICT测试点添加ICT测试点添加注意事项:(1)测试点焊盘≥32mil;(2)测试点距离板边缘≥3mm;(3)相邻测试点的中心间距≥60Mil。(4)测试点边缘距离非Chip器件本体边缘≥20mil,Chip器件焊盘边缘≥10mil,其它导体边缘≥12mil。(5)整板必须有3个孔径≥2mm的非金属化定位孔,且在板子的对角线上非对称放置。(6)优先在焊接面添加ICT测试点,正面添加ICT测试点需经客户确认。(7)电源、地网络添加ICT测试点至少3个以上且均匀放置。(8)优先采用表贴焊盘测试点,其次采用通孔测试点,禁止直接将器件通孔管脚作为测试点使用。(9)优先在信号线上直接添加测试点或者用扇出的过孔作为测试点,采用Stub方式添加ICT测试点时,Stub走线长不超过150Mil。(10)2.5Ghz以上的高速信号网络禁止添加测试点。(11)测试点禁止在器件、散热片、加固件、拉手条、接插件、压接件、条形码、标签等正下方,以防止被器件或物件覆盖。(12)差分信号增加测试点,必须对称添加,即同时在差分线对的两个网络的同一个地方对称加测试点常规PCB设计销售晶体电路布局布线要求有哪些?

布局整体思路(1)整板器件布局整齐、紧凑;满足“信号流向顺畅,布线短”的原则;(2)不同类型的电路模块分开摆放,相对、互不干扰;(3)相同模块采用复制的方式相同布局;(4)预留器件扇出、通流能力、走线通道所需空间;(5)器件间距满足《PCBLayout工艺参数》的参数要求;(6)当密集摆放时,小距离需大于《PCBLayout工艺参数》中的小器件间距要求;当与客户的要求时,以客户为准,并记录到《项目设计沟通记录》。(7)器件摆放完成后,逐条核实《PCBLayout业务资料及要求》中的布局要求,以确保布局满足客户要求。

射频、中频电路(1)射频电路★基本概念1、射频:是电磁波按应用划分的定义,专指具有一定波长可用于无线电通信的电磁波,射频PCB可以定义为具有频率在30MHz至6GHz范围模拟信号的PCB。2、微带线:是一种传输线类型。由平行而不相交的带状导体和接地平面构成。微带线的结构如下图中的图1所示它是由导体条带(在基片的一边)和接地板(在基片的另一边)所构成的传输线。微带线是由介质基片,接地平板和导体条带三部分组成。在微带线中,电磁能量主要是集中在介质基片中传播的,3、屏蔽罩:是无线设备中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下:当在电磁发射源和需要保护的电路之间插入一高导电性金属时,该金属会反射和吸收部分辐射电场,反射与吸收的量取决于多种不同的因素,这些因素包括辐射的频率,波长,金属本身的导电率和渗透性,以及该金属与发射源的距离。4、模块分腔的必要性:腔体内腔器件间或RF信号布线间的典型隔离度约在50-70dB,对某些敏感电路,有强烈辐射源的电路模块都要采取屏蔽或隔离措施,例如:a.接收电路前端、VCO电路的电源、环路滤波电路是敏感电路。b.发射的后级电路、功放的电路、数字信号处理电路、参考时钟和晶体振荡器是强烈的辐射源。整板布线的工艺技巧和规则。

SDRAM时钟源同步和外同步1、源同步:是指时钟与数据同时在两个芯片之间间传输,不需要外部时钟源来给SDRAM提供时钟,CLK由SDRAM控制芯片(如CPU)输出,数据总线、地址总线、控制总线信号由CLK来触发和锁存,CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号满足一定的时序匹配关系才能保证SDRAM正常工作,即CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。2、外同步:由外部时钟给系统提供参考时钟,数据从发送到接收需要两个时钟,一个锁存发送数据,一个锁存接收数据,在一个时钟周期内完成,对于SDRAM及其控制芯片,参考时钟CLK1、CLK2由外部时钟驱动产生,此时CLK1、CLK2到达SDRAM及其控制芯片的延时必须满足数据总线、地址总线及控制总线信号的时序匹配要求,即CLK1、CLK2必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。如图6-1-4-3所示。PCB设计中FPGA管脚的交换注意事项。常规PCB设计销售

布线优化的工艺技巧有哪些?黄冈高速PCB设计哪家好

 DDR模块,DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM,中文名为“双倍数据率SDRAM”,是在SDRAM的基础上改进而来,人们习惯称为DDR,DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的数据传输速率,它允许在时钟的上升沿和下降沿读取数据,因而其速度是标准SDRAM的两倍。(1)DDRSDRAM管脚功能说明:图6-1-5-1为512MDDR(8M×16bit×4Bank)的66-pinTSOP封装图和各引脚及功能简述1、CK/CK#是DDR的全局时钟,DDR的所有命令信号,地址信号都是以CK/CK#为时序参考的。2、CKE为时钟使能信号,与SDRAM不同的是,在进行读写操作时CKE要保持为高电平,当CKE由高电平变为低电平时,器件进入断电模式(所有BANK都没有时)或自刷新模式(部分BANK时),当CKE由低电平变为高电平时,器件从断电模式或自刷新模式中退出。3、CS#为片选信号,低电平有效。当CS#为高时器件内部的命令解码将不工作。同时,CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号,低电平有效。这三个信号与CS#一起组成了DDR的命令信号。黄冈高速PCB设计哪家好

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