ICT测试点添加ICT测试点添加注意事项:(1)测试点焊盘≥32mil;(2)测试点距离板边缘≥3mm;(3)相邻测试点的中心间距≥60Mil。(4)测试点边缘距离非Chip器件本体边缘≥20mil,Chip器件焊盘边缘≥10mil,其它导体边缘≥12mil。(5)整板必须有3个孔径≥2mm的非金属化定位孔,且在板子的对角线上非对称放置。(6)优先在焊接面添加ICT测试点,正面添加ICT测试点需经客户确认。(7)电源、地网络添加ICT测试点至少3个以上且均匀放置。(8)优先采用表贴焊盘测试点,其次采用通孔测试点,禁止直接将器件通孔管脚作为测试点使用。(9)优先在信号线上直接添加测试点或者用扇出的过孔作为测试点,采用Stub方式添加ICT测试点时,Stub走线长不超过150Mil。(10)2.5Ghz以上的高速信号网络禁止添加测试点。(11)测试点禁止在器件、散热片、加固件、拉手条、接插件、压接件、条形码、标签等正下方,以防止被器件或物件覆盖。(12)差分信号增加测试点,必须对称添加,即同时在差分线对的两个网络的同一个地方对称加测试点PCB设计中如何评估平面层数?襄阳正规PCB设计销售
DDR的PCB布局、布线要求4、对于DDR的地址及控制信号,如果挂两片DDR颗粒时拓扑建议采用对称的Y型结构,分支端靠近信号的接收端,串联电阻靠近驱动端放置(5mm以内),并联电阻靠近接收端放置(5mm以内),布局布线要保证所有地址、控制信号拓扑结构的一致性及长度上的匹配。地址、控制、时钟线(远端分支结构)的等长范围为≤200Mil。5、对于地址、控制信号的参考差分时钟信号CK\CK#的拓扑结构,布局时串联电阻靠近驱动端放置,并联电阻靠近接收端放置,布线时要考虑差分线对内的平行布线及等长(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供电电源是2.5V,对于控制芯片及DDR芯片,为每个IO2.5V电源管脚配备退耦电容并靠近管脚放置,在允许的情况下多扇出几个孔,同时芯片配备大的储能大电容;对于1.25VVTT电源,该电源的质量要求非常高,不允许出现较大纹波,1.25V电源输出要经过充分的滤波,整个1.25V的电源通道要保持低阻抗特性,每个上拉至VTT电源的端接电阻为其配备退耦电容。武汉什么是PCB设计哪家好京晓科技与您分享等长线处理的具体步骤。
PCBLAYOUT规范PCBLayout整个流程是:网表导入-结构绘制-设计规划-布局-布线-丝印调整-Gerber输出。1.1网表导入网表导入子流程如下:创建PCB文件→设置库路径→导入网表。创建PCB文件(1)建立一个全新PCBLayout文件,并对其命名。(2)命名方式:“项目名称+日期+版本状态”,名称中字母全部大写,以日期加上版本状态为后缀,用以区分设计文件进度。举例:ABC123_1031A1其中ABC123为项目名称,1031为日期,A1为版本状态,客户有特殊指定要求的除外。(3)改版沿用上一版的PCB文件。设置库路径(1)将封装库文件放入LIB文件夹内或库文件内,由客户提供的封装及经我司封装组确认的封装可直接加入LIB文件夹内或库文件内,未经审核的封装文件,不得放入LIB文件夹内或库文件内。(2)对设计文件设置库路径,此路径指向该项目文件夹下的LIB文件夹或库文件,路径指向必须之一,禁止设置多指向路径。
Gerber输出Gerber输出前重新导入网表,保证终原理图与PCB网表一致,确保Gerber输出前“替代”封装已更新,根据《PCBLayout检查表》进行自检后,进行Gerber输出。PCBLayout在输出Gerber阶段的所有设置、操作、检查子流程步骤如下:Gerber参数设置→生成Gerber文件→IPC网表自检。(1)光绘格式RS274X,原点位置设置合理,光绘单位设置为英制,精度5:5(AD精度2:5)。(2)光绘各层种类齐全、每层内容选择正确,钻孔表放置合理。(3)层名命名正确,前缀统一为布线层ART,电源层PWR,地层GND,与《PCB加工工艺要求说明书》保持一致。(4)检查Drill层:(5)孔符层左上角添加CAD编号,每层光绘左下角添加各层层标。PCB典型的电路设计指导。
绘制各禁止布局、布线、限高、亮铜、挖空、铣切、开槽、厚度削边区域大小,形状与结构图完全一致,所在层由各EDA软件确定。对以上相应区域设置如下特性:禁布区设置禁止布局、禁止布线属性;限高区域设置对应高度限制属性;亮铜区域铺相应网络属性铜皮和加SolderMask;板卡金属导轨按结构图要求铺铜皮和加SolderMask,距导轨内沿2mm范围内,禁止布线、打孔、放置器件。挖空、铣切、开槽区域周边0.5mm范围增加禁止布局、布线区域,客户有特殊要求除外。京晓科技给您带来PCB设计布线的技巧。鄂州如何PCB设计布线
布线优化的工艺技巧有哪些?襄阳正规PCB设计销售
DDR2模块相对于DDR内存技术(有时称为DDRI),DDRII内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取,这就意味着,DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力,因此,DDRII则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力;DDR采用了支持2.5V电压的SSTL-2电平标准,而DDRII采用了支持1.8V电压的SSTL-18电平标准;DDR采用的是TSOP封装,而DDRII采用的是FBGA封装,相对于DDR,DDRII不仅获得的更高的速度和更高的带宽,而且在低功耗、低发热量及电器稳定性方面有着更好的表现。DDRII内存技术比较大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDRII可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。襄阳正规PCB设计销售
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