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电气方面注意事项(1)TVS管、ESD、保险丝等保护器件靠近接口放置;(2)热敏器件远离大功率器件布局;(3)高、中、低速器件分区布局;(4)数字、模拟器件分区布局;(5)电源模块、模拟电路、时钟电路、射频电路、隔离器件布局按器件资料;(6)串联电阻靠近源端放置;串联电容靠近末端放置;并联电阻靠近末端放置;(7)退藕电容靠近芯片的电源管脚;(8)接口电路靠近接口;(9)充分考虑收发芯片距离,以便走线长度满足要求;(10)器件按原理图摆一起;(11)二极管、LED等极性与原理图应保持一致。在布线过程中如何添加 ICT测试点?荆门了解PCB设计怎么样

 射频、中频电路(2)屏蔽腔的设计1、应把不同模块的射频单元用腔体隔离,特别是敏感电路和强烈辐射源之间,在大功率多级放大器中,也应保证级与级之间隔开。2、印刷电路板的腔体应做开窗处理、方便焊接屏蔽壳。3、在屏蔽腔体上设计两排开窗过孔屏,过孔应相互错开,同排过孔间距为150Mil。4、在腔体的拐角处应设计3mm的金属化固定孔,保证其固定屏蔽壳。5、腔体的周边为密封的,一般接口的线要引入腔体里采用带状线的结构;而腔体内部不同模块之间可以采用微带线的结构,这样内部的屏蔽腔采用开槽处理,开槽的宽度一般为3mm、微带线走在中间。6、屏蔽罩设计实例黄石常规PCB设计在PCB设计中如何绘制结构特殊区域及拼板?

SDRAM时钟源同步和外同步1、源同步:是指时钟与数据同时在两个芯片之间间传输,不需要外部时钟源来给SDRAM提供时钟,CLK由SDRAM控制芯片(如CPU)输出,数据总线、地址总线、控制总线信号由CLK来触发和锁存,CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号满足一定的时序匹配关系才能保证SDRAM正常工作,即CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。2、外同步:由外部时钟给系统提供参考时钟,数据从发送到接收需要两个时钟,一个锁存发送数据,一个锁存接收数据,在一个时钟周期内完成,对于SDRAM及其控制芯片,参考时钟CLK1、CLK2由外部时钟驱动产生,此时CLK1、CLK2到达SDRAM及其控制芯片的延时必须满足数据总线、地址总线及控制总线信号的时序匹配要求,即CLK1、CLK2必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。如图6-1-4-3所示。

评估平面层数,电源平面数的评估:分析单板电源总数与分布情况,优先关注分布范围大,及电流大于1A以上的电源(如:+5V,+3.3V此类整板电源、FPGA/DSP的核电源、DDR电源等)。通常情况下:如果板内无BGA封装的芯片,一般可以用一个电源层处理所有的电源;如果有BGA封装的芯片,主要以BGA封装芯片为评估对象,如果BGA内的电源种类数≤3种,用一个电源平面,如果>3种,则使用2个电源平面,如果>6则使用3个电源平面,以此类推。备注:1、对于电流<1A的电源可以采用走线层铺铜的方式处理。2、对于电流较大且分布较集中或者空间充足的情况下采用信号层铺铜的方式处理。地平面层数的评估:在确定了走线层数和电源层数的基础上,满足以下叠层原则:1、叠层对称性2、阻抗连续性3、主元件面相邻层为地层4、电源和地平面紧耦合(3)层叠评估:结合评估出的走线层数和平面层数,高速线优先靠近地层的原则,进行层叠排布。京晓科技与您分享PCB设计工艺以及技巧。

DDR与SDRAM信号的不同之处,1、DDR的数据信号与地址\控制信号是参考不同的时钟信号,数据信号参考DQS选通信号,地址\控制信号参考CK\CK#差分时钟信号;而SDRAM信号的数据、地址、控制信号是参考同一个时钟信号。2、数据信号参考的时钟信号即DQS信号是上升沿和下降沿都有效,即DQS信号的上升沿和下降沿都可以触发和锁存数据,而SDRAM的时钟信号只有在上升沿有效,相对而言DDR的数据速率翻倍。3、DDR的数据信号通常分成几组,如每8位数据信号加一位选通信号DQS组成一组,同一组的数据信号参考相同组里的选通信号。4、为DDRSDRAM接口同步工作示意图,数据信号与选通信号分成多组,同组内的数据信号参考同组内的选通信号;地址、控制信号参考CK\CK#差分时钟信号。PCB设计中FPGA管脚的交换注意事项。恩施哪里的PCB设计

DDR模块中管脚功能说明。荆门了解PCB设计怎么样

SDRAM各管脚功能说明:1、CLK是由系统时钟驱动的,SDRAM所有的输入信号都是在CLK的上升沿采样,CLK还用于触发内部计数器和输出寄存器;2、CKE为时钟使能信号,高电平时时钟有效,低电平时时钟无效,CKE为低电平时SDRAM处于预充电断电模式和自刷新模式。此时包括CLK在内的所有输入Buffer都被禁用,以降低功耗,CKE可以直接接高电平。3、CS#为片选信号,低电平有效,当CS#为高时器件内部所有的命令信号都被屏蔽,同时,CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号,低电平有效,这三个信号与CS#一起组合定义输入的命令。5、DQML,DQMU为数据掩码信号。写数据时,当DQM为高电平时对应的写入数据无效,DQML与DQMU分别对应于数据信号的低8位与高8位。6、A<0..12>为地址总线信号,在读写命令时行列地址都由该总线输入。7、BA0、BA1为BANK地址信号,用以确定当前的命令操作对哪一个BANK有效。8、DQ<0..15>为数据总线信号,读写操作时的数据信号通过该总线输出或输入。荆门了解PCB设计怎么样

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