在半导体加工领域,精度和效率是关键。江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮,通过其超细金刚石磨粒和超高自锐性,实现了高磨削效率和低损伤的完美平衡。在东京精密-HRG200X减薄机的实际应用中,6吋和8吋SiC线割片的加工结果显示,表面粗糙度Ra值和总厚度变化TTV均达到了行业先进水平。这种高精度的加工能力,不只满足了半导体制造的需求,还为客户节省了大量时间和成本,助力优普纳在国产碳化硅减薄砂轮市场中占据重要地位。碳化硅晶圆减薄砂轮超细金刚石磨粒与超高自锐性结合,实现高磨削效率与低损伤 表面粗糙度Ra≤3nm TTV≤2μm。进口砂轮使用方法

江苏优普纳碳化硅减薄砂轮凭借超细金刚石磨粒与高自锐性设计,在第三代半导体晶圆加工中实现低损伤、低粗糙度的行业突破。以DISCO-DFG8640设备为例,精磨8吋SiC线割片时,砂轮磨耗比达200%,表面粗糙度Ra≤3nm,TTV精度≤2μm,完全满足5G芯片、功率器件对晶圆平整度的严苛要求。对比进口砂轮,优普纳产品在相同加工条件下可减少磨削热损伤30%,明显提升晶圆良率,尤其适用于新能源汽车电驱模块等高附加值领域。欢迎您的随时致电咨询。进口砂轮使用方法优普纳SiC砂轮,适配多设备,减薄加工无裂纹!

在科技日新月异的当下,非球面微粉砂轮行业的技术创新浪潮汹涌澎湃,江苏优普纳科技有限公司始终勇立潮头。在结合剂技术创新方面,公司取得了重大突破。例如,研发出一种新型复合结合剂,融合了树脂结合剂的良好自锐性与金属结合剂的高刚性。这种结合剂在保证磨粒牢固把持的同时,极大地提升了砂轮的自锐性能,使砂轮在磨削过程中能始终保持高效切削状态,大幅提高了加工效率与表面质量。在磨粒制备技术上,优普纳针对不同光学材料的加工特性,开发出一系列定制化磨粒。对于硬度较高的光学玻璃材料,通过优化金刚石微粉磨粒的粒径、形状及表面处理工艺,使其在磨削时能更高效地切入材料,降低磨削力,减少工件表面损伤风险。此外,在砂轮制造工艺上,引入先进的自动化生产设备与高精度检测技术。自动化设备实现了对砂轮制造过程的精确控制,从磨粒与结合剂的混合比例到砂轮成型的每一个环节,都能确保高度一致性;高精度检测技术则对砂轮的各项性能指标进行实时监测,保证每一片出厂的砂轮都具备稳定且优越的性能,持续推动非球面微粉砂轮技术迈向新高度,为行业发展注入源源不断的活力。
江苏优普纳科技有限公司:碳化硅减薄砂轮已获ISO9001质量管理体系认证,并拥有强度高的陶瓷结合剂、多孔显微调控技术等12项核心专利。第三方的检测数据显示,其砂轮磨削效率、寿命等指标均符合SEMI国际半导体设备与材料协会标准。在国产替代浪潮下,优普纳以技术硬实力打破“卡脖子”困局,成为第三代半导体产业链的关键支撑者。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。优普纳碳化硅晶圆减薄砂轮,以低磨耗比和高表面质量,打破国外技术垄断 为国内半导体企业提供高性价比选择。

在科技飞速发展的如今,精磨减薄砂轮行业的技术创新日新月异,江苏优普纳科技有限公司始终走在技术创新的前沿。在结合剂技术方面,公司取得了重大突破。如研发的用于半导体晶圆减薄砂轮的微晶玻璃结合剂,其软化温度较低,却具备较高的强度和润湿性。这种结合剂能够更好地把持磨粒,同时在磨削过程中,由于其独特的物理化学性质,能使磨粒在合适的时机实现自锐,明显提升了砂轮的磨削性能和使用寿命。在磨粒制备技术上,优普纳针对不同的加工材料,研发出了一系列定制化的磨粒。例如,对于硬度极高的第三代半导体材料,通过优化金刚石磨粒的粒径、形状和表面处理工艺,使其在磨削过程中能够更高效地切入材料,减少磨削力,降低工件表面损伤风险。此外,在砂轮制造工艺上,引入先进的自动化生产设备和精密检测技术,实现了对砂轮制造过程的全程精确控制,确保每一片砂轮都具有稳定且优异的性能,不断推动精磨减薄砂轮技术向更高水平迈进,为行业发展注入新的活力。在8吋SiC线割片的精磨案例中,优普纳砂轮于DISCO-DFG8640减薄机上实现磨耗比200%,Ra≤3nm,TTV≤2μm。进口砂轮使用方法
从材料特性分析到加工工艺定制,优普纳为客户提供全方面的解决方案,确保不同应用场景下的高效性和稳定性。进口砂轮使用方法
激光改质技术是利用高能激光束对材料表面进行局部加热和熔化,从而改变其物理和化学性质的过程。在激光改质层减薄砂轮的生产中,激光束能够精确控制加热区域,使得砂轮表面形成一层致密的改质层。这一改质层不仅提高了砂轮的硬度和耐磨性,还增强了其抗热疲劳和抗氧化能力。与传统的砂轮相比,激光改质层减薄砂轮在磨削过程中产生的磨损更少,能够有效降低砂轮的更换频率,提升生产效率。此外,激光改质技术的应用还使得砂轮的加工精度和表面质量得到了明显提升,满足了现代制造业对高精度、高效率的需求。进口砂轮使用方法