适配砂轮制程工艺

针对第三代半导体材料（SiC/GaN）的减薄需求，优普纳砂轮适配6吋、8吋晶圆，满足衬底片粗磨、精磨全流程。以东京精密HRG200X设备为例，6吋SiC线割片采用2000#砂轮粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂轮，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV稳定在2μm以下。DISCO设备案例中，8吋晶圆精磨后TTV≤2μm，适配性强，可替代日本、德国进口产品。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮，品质有保证，欢迎您的随时致电咨询，为您提供满意的产品以及方案。优普纳砂轮的低磨耗比优势，不仅降低客户成本，还保证加工后的晶圆表面质量，是高性价比的国产化替代方案。适配砂轮制程工艺

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，凭借其专研的**高性能陶瓷结合剂**和**“Dmix+”制程工艺**，在第三代半导体材料加工领域树立了新的目标。这种独特的结合剂配方不只赋予了砂轮强度高和韧性，还通过多孔显微组织的设计，实现了高研削性能和良好的散热效果。在实际应用中，无论是粗磨还是精磨，优普纳的砂轮都能保持稳定的性能，减少振动和损伤，确保加工后的晶圆表面质量优异。这种技术优势不只满足了半导体制造的需求，还为国产化替代提供了坚实的技术支持。高性能砂轮创新在实际案例中，优普纳砂轮于DISCO-DFG8640减薄机上对8吋SiC线割片进行精磨，磨耗比200% Ra≤3nm TTV≤2μm。

随着碳化硅功率器件在新能源汽车中的普及，优普纳砂轮已成功应用于多家头部车企的芯片供应链。例如，某800V高压平台电驱模块的SiC晶圆减薄中，优普纳30000#砂轮精磨后Ra≤3nm，TTV≤2μm，芯片导通损耗降低15%。客户反馈显示，国产砂轮在加工一致性与成本控制上远超进口竞品，单条产线年产能提升30%，为车规级芯片国产化奠定基础。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮，品质有保证，欢迎您的随时致电咨询，为您提供满意的产品以及方案。

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，以其高精度、低损耗、强适配的特性，成为第三代半导体材料加工的优先选择。在实际应用中，无论是粗磨还是精磨，优普纳的砂轮都能展现出优越的性能。在东京精密-HRG200X减薄机上，6吋和8吋SiC线割片的加工结果显示，表面粗糙度Ra值和总厚度变化TTV均达到了行业先进水平。同时，砂轮的磨耗比极低，使用寿命长，为客户节省了大量成本。此外，优普纳的砂轮还能根据客户设备进行定制，适配性强，能够满足不同客户的多样化需求。这种综合优势，使得优普纳在国产碳化硅减薄砂轮市场中脱颖而出，成为行业的目标。砂轮于东京精密-HRG200X减薄机上，使8吋SiC线割片磨耗比达300% Ra≤3nm TTV≤2μm 彰显高精度与高磨耗比优势。

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，展现了强大的设备适配性。其基体优化设计能够根据客户不同设备需求进行定制，无论是东京精密还是DISCO的减薄机，都能完美适配。这种强适配性不只减少了客户在设备调整上的时间和成本，还确保了加工过程的高效性和稳定性。在DISCO-DFG8640减薄机的实际应用中，无论是粗磨还是精磨，优普纳砂轮都能保持稳定的性能，满足不同加工需求。这种综合优势，使得优普纳的砂轮在市场上更具竞争力，能够快速响应客户需求，为客户提供一站式的解决方案。光学/半导体磨削难题？优普纳定制砂轮，专业团队在线等询！减薄工艺砂轮评测

优普纳砂轮在DISCO-DFG8640减薄机上，对6吋SiC线割片进行精磨，磨耗比100%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。适配砂轮制程工艺

衬底粗磨减薄砂轮是半导体制造中的关键工具，尤其在晶圆衬底减薄工艺中发挥着不可替代的作用。随着新能源汽车、轨道交通、消费电子等行业的快速发展，市场对于芯片和功率器件的性能要求越来越高，这直接推动了衬底粗磨减薄砂轮技术的不断进步。在江苏优普纳科技有限公司，我们专注于研发和生产品质高的衬底粗磨减薄砂轮，以满足客户日益增长的需求。我们的砂轮采用先进的金刚石磨料和品质高结合剂，确保在粗磨过程中具有出色的磨削效率和稳定性，同时能更大限度地减少晶圆表面的损伤，提高芯片良率。适配砂轮制程工艺