衬底砂轮

在半导体制造领域，晶圆衬底的材质多种多样，包括单晶硅、多晶体、蓝宝石、陶瓷等。不同材质的晶圆对衬底粗磨减薄砂轮的要求也不同。江苏优普纳科技有限公司拥有丰富的砂轮制造经验和技术实力，能够根据客户的具体需求，提供定制化的砂轮解决方案。无论是硬度较高的碳化硅晶圆，还是脆性较大的氮化镓晶圆，我们都能提供合适的砂轮，确保在粗磨过程中获得更佳的加工效果。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮，品质有保证，欢迎您的随时致电咨询，为您提供满意的产品以及方案。在东京精密-HRG200X减薄机上，优普纳砂轮对6吋SiC线割片进行粗磨，磨耗比15%，Ra≤30nm，TTV≤3μm。衬底砂轮

江苏优普纳科技有限公司：碳化硅减薄砂轮已获ISO9001质量管理体系认证，并拥有强度高的陶瓷结合剂、多孔显微调控技术等12项核心专利。第三方的检测数据显示，其砂轮磨削效率、寿命等指标均符合SEMI国际半导体设备与材料协会标准。在国产替代浪潮下，优普纳以技术硬实力打破“卡脖子”困局，成为第三代半导体产业链的关键支撑者。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮，品质有保证，欢迎您的随时致电咨询，为您提供满意的产品以及方案。SiC晶圆磨削砂轮使用方法通过优化砂轮的显微组织结构，优普纳产品实现高研削性能和良好的散热效果，避免加工过程中的热损伤。

优普纳砂轮以国产价格提供进口品质，单次加工成本降低40%。例如，进口砂轮精磨8吋SiC晶圆磨耗比通常超过250%，而优普纳产品只需200%，且Ra≤3nm的精度完全满足5G、新能源汽车芯片制造需求。客户反馈显示，国产替代后设备停机更换频率减少50%，年维护成本节省超百万元。针对不同设备（如DISCO-DFG8640、东京精密HRG200X），优普纳提供基体优化设计砂轮，增强冷却液流动性，减少振动。支持定制2000#至30000#磨料粒度，适配粗磨、半精磨、精磨全工艺。案例中，6吋SiC晶圆使用30000#砂轮精磨后TTV≤2μm，表面质量达国际先进水平。

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，凭借其高性能陶瓷结合剂和“Dmix+”制程工艺，为第三代半导体材料的加工提供了高效、稳定的解决方案。在实际应用中，优普纳的砂轮展现了优越的高精度加工能力，无论是粗磨还是精磨，都能确保加工后的晶圆表面粗糙度极低，总厚度变化控制在微米级别以内。同时，砂轮的磨耗比极低，使用寿命长，为客户节省了大量成本。此外，优普纳的砂轮还能根据客户设备进行定制，适配性强，能够满足不同客户的多样化需求。这种综合优势，使得优普纳在国产碳化硅减薄砂轮市场中脱颖而出，成为行业的目标，助力国产化替代进程。优普纳碳化硅晶圆减薄砂轮，以低磨耗比和高表面质量，打破国外技术垄断 为国内半导体企业提供高性价比选择。

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，以其优越的**低损耗特性**，为客户节省了大量的成本。其独特的多孔显微组织调控技术，使得砂轮在高磨削效率的同时，磨耗比极低。在实际应用中，6吋SiC线割片的磨耗比只为15%，而8吋SiC线割片的磨耗比也只为35%。这意味着在长时间的加工过程中，砂轮的磨损极小，使用寿命更长。低损耗不只体现在砂轮本身的使用寿命上，还体现在加工后的晶圆表面质量上，损伤极小，进一步提升了产品的性价比，助力优普纳在国产化替代进程中占据优势。优普纳碳化硅晶圆减薄砂轮，以高性能陶瓷结合剂和“Dmix+”制程工艺为基础，不断优化产品性能。陶瓷结合剂砂轮大概多少钱

在东京精密-HRG200X减薄机上，优普纳砂轮对8吋SiC线割片进行精磨，磨耗比300%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。衬底砂轮

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅减薄砂轮，采用自主研发的强度高微晶增韧陶瓷结合剂及多孔砂轮显微组织调控技术，打破国外技术垄断，实现国产化替代。相比进口砂轮，产品磨耗比降低至15%-35%（粗磨）及100%-300%（精磨），表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度达2μm以内，适配东京精密、DISCO等国际主流设备。例如，在8吋SiC线割片加工中，砂轮磨耗比只为30%（粗磨）和200%（精磨），效率提升20%以上，明显降低客户综合成本。欢迎您的随时咨询~衬底砂轮