江苏优普纳碳化硅减薄砂轮凭借超细金刚石磨粒与高自锐性设计,在第三代半导体晶圆加工中实现低损伤、低粗糙度的行业突破。以DISCO-DFG8640设备为例,精磨8吋SiC线割片时,砂轮磨耗比达200%,表面粗糙度Ra≤3nm,TTV精度≤2μm,完全满足5G芯片、功率器件对晶圆平整度的严苛要求。对比进口砂轮,优普纳产品在相同加工条件下可减少磨削热损伤30%,明显提升晶圆良率,尤其适用于新能源汽车电驱模块等高附加值领域。欢迎您的随时致电咨询。在8吋SiC线割片的精磨案例中,优普纳砂轮于DISCO-DFG8640减薄机上实现磨耗比200%,Ra≤3nm,TTV≤2μm。适配砂轮

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮,展现了强大的**设备适配性**。其基体优化设计能够根据客户不同设备需求进行定制,无论是东京精密还是DISCO的减薄机,都能完美适配。这种强适配性不只减少了客户在设备调整上的时间和成本,还确保了加工过程的高效性和稳定性。在DISCO-DFG8640减薄机的实际应用中,无论是粗磨还是精磨,优普纳砂轮都能保持稳定的性能,满足不同加工需求。这种综合优势,使得优普纳的砂轮在市场上更具竞争力,能够快速响应客户需求,为客户提供一站式的解决方案。半导体设备砂轮哪家好优普纳碳化硅晶圆减薄砂轮,以高性能陶瓷结合剂和“Dmix+”制程工艺为基础,不断优化产品性能。

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮,以其优越的低损耗特性,为客户节省了大量的成本。其独特的多孔显微组织调控技术,使得砂轮在高磨削效率的同时,磨耗比极低。在实际应用中,6吋SiC线割片的磨耗比只为15%,而8吋SiC线割片的磨耗比也只为35%。这意味着在长时间的加工过程中,砂轮的磨损极小,使用寿命更长。低损耗不只体现在砂轮本身的使用寿命上,还体现在加工后的晶圆表面质量上,损伤极小,进一步提升了产品的性价比,助力优普纳在国产化替代进程中占据优势。
江苏优普纳科技有限公司的碳化硅减薄砂轮,采用自主研发的强度高微晶增韧陶瓷结合剂及多孔砂轮显微组织调控技术,打破国外技术垄断,实现国产化替代。相比进口砂轮,产品磨耗比降低至15%-35%(粗磨)及100%-300%(精磨),表面粗糙度Ra≤3nm,TTV精度达2μm以内,适配东京精密、DISCO等国际主流设备。例如,在8吋SiC线割片加工中,砂轮磨耗比只为30%(粗磨)和200%(精磨),效率提升20%以上,明显降低客户综合成本。欢迎您的随时咨询~通过优化砂轮的基体设计,优普纳产品有效减少加工过程中的振动,提升加工精度,增强冷却效果 延长使用寿命。

江苏优普纳科技有限公司的非球面微粉砂轮具备一系列令人瞩目的产品特性,使其在激烈的市场竞争中脱颖而出。首先是超高的磨削精度,通过对磨粒粒度的精确筛选与排布控制,以及结合剂性能的优化,砂轮能够实现纳米级别的磨削精度。在加工非球面镜片时,可将表面粗糙度控制在极低水平,面型精度达到亚微米级,满足光学领域对镜片质量的严苛要求。其次是出色的耐磨性,选用的品质高磨粒,如针对不同光学材料特性定制的金刚石微粉磨粒,具有极高的硬度和化学稳定性。在长时间、强度高的磨削作业中,磨粒能保持自身形状与锋利度,相比传统砂轮,明显延长了使用寿命,减少了砂轮的更换频率,提高了生产效率,降低了生产成本。再者,砂轮具有良好的自锐性,在磨削过程中,当磨粒磨损到一定程度,结合剂能够及时释放磨粒,新的锋利磨粒迅速接替工作,维持稳定的磨削效率,避免因磨粒钝化导致加工质量下降。同时,优普纳的非球面微粉砂轮还具备优良的散热性能,在高速磨削产生大量热量的情况下,能有效将热量传导出去,减少热变形对工件精度的影响,全方面保障加工过程的稳定性与产品质量的可靠性。通过与国内外主流减薄设备的完美适配,优普纳砂轮为客户提供灵活加工解决方案,提升生产效率降低综合成本。磨削砂轮推荐
优普纳砂轮在DISCO-DFG8640减薄机上,对6吋SiC线割片进行精磨,磨耗比100%,Ra≤3nm,TTV≤2μm。适配砂轮
在全球市场竞争日益激烈的背景下,江苏优普纳科技有限公司始终坚持以客户为中心,不断提升产品质量和服务水平。我们的衬底粗磨减薄砂轮已经在国内外的半导体制造企业中得到了广泛应用和认可。未来,我们将继续加大研发投入和技术创新力度,为客户提供更加品质高、高效的砂轮产品和服务,推动半导体行业的持续发展和进步。同时,我们也期待与更多的合作伙伴携手共进,共同开创半导体制造领域的美好未来。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。适配砂轮