重庆氮化镓芯片测试

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供Si基GaN微波毫米波器件与芯片技术开发服务，该芯片相对于Si LDMOS，具有工作频率高、功率大、体积小等优势；相对于传统SiC基GaN芯片，具备低成本、高密度集成、大尺寸等优势；适应于C、Ka、W等主流波段的攻放、开关、低噪放等芯片；南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射频器件和电路芯片研制与代工服务；该芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽车雷达、手机终端、人工智能等领域。芯谷高频研究院的热物性测试仪产品主要用于百微米量级厚度材料的热导率分析、微纳级薄膜或界面的热阻分析。重庆氮化镓芯片测试

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台可为客户提供芯片测试服务。在微波测试、直流测试、光电测试、微结构表征分析等方面，都能够提供准确的数据解析。热特性测试也是研究院的专业领域，研究院通过严格的实验流程和先进的设备，确保结果的准确性。研究院的公共技术服务平台为客户提供了一站式的解决方案，满足了半导体领域不同芯片的测试需求。研究院的目标是通过持续创新和技术服务的不断提升，为客户提供更加优良的服务，为推动芯片技术的发展贡献力量。黑龙江氮化镓芯片开发芯谷高频研究院的太赫兹放大器系列产品，是一项可提供太赫兹芯片解决方案的创新科技成果。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务，该系列大功率GaN微波毫米波太赫兹二极管器件产品具有耐功率、高速等优势，工作频率涵盖1GHz~300GHz，截止频率达600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干扰能力；可用于无线输能或远距离无线充电，可大幅提高整流功率和效率，实现装置的小型化；用于太赫兹系统，可提高太赫兹固态源输出功率，实现太赫兹源小型化，为6G通信等未来应用奠定基础。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台在背面工艺方面，拥有键合机、抛光台、磨片机等，可以进行晶片的减薄、抛光以及划片工艺。公司公共技术服务平台支持晶圆键合工艺，可以支持6英寸及以下晶圆的键合，并具备介质、热压、共晶、胶粘等键合能力，键合精度达到2um。键合工艺可以将不同的晶圆材料组合在一起，从而制造出具有更高性能的芯片。凭借研究院的技术实力和专业的服务团队，公共技术服务平台将为客户提供更加优良的技术服务，不断创新晶圆键合工艺，助力高科技产业的发展。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹二极管开发服务。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可以对外提供光电芯片测试服务，包括光电集成芯片在片耦合测试、集成微波光子芯片测试等。在光电芯片测试方面，公司经验丰富，设备先进，能够高效准确地完成多种测试任务。对于光电集成芯片在片耦合性能测试和集成微波光子芯片测试，公司都可以提供专业的测试服务。公司拥有先进的测试设备和设施，可以满足多种测试需求。此外，公司拥有一支专业的研发团队，致力于提高测试技术的精度和效率。公司致力于为客户提供高质量的测试服务，助力光电芯片领域的创新发展。芯谷高频研究院的热物性测试仪产品能够准确、高效地测试材料的热物性，为研究人员提供数据支撑。江苏光电器件及电路器件及电路芯片工艺定制开发

芯谷高频研究院的CVD用固态微波功率源产品可依据客户要求进行各类微波功率大小和功率频率的设计与开发。重庆氮化镓芯片测试

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司公共技术服务平台设备齐全，具备优良的半导体芯片研发条件。公司旨在为客户提供技术支持和服务，以满足不断发展的市场需求。公司不仅具备设备齐全的优势，还在芯片研发方面拥有非常好的人才、场地等条件。通过不断创新和自主研发，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院旨在为客户提供高性能的芯片产品。通过公共技术服务平台，公司将不断提升服务水平和技术能力，为客户提供更加可靠的技术支持，以满足客户多样化的需求。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院将以专业的态度与客户合作，共同推动行业的发展，实现共赢。重庆氮化镓芯片测试