*运行地点无导电及性尘埃，无腐蚀金属及破坏绝缘的气体或蒸汽。*无剧烈震动和冲击。■安装使用须知:*使用前认真阅读本说明书，严格按要求接线使用。*接线时要严格保持主电路电源RST与触发板电源、控制信号相位一致。*主电路与控制电路配线时务必不要束在一起。*要避免环境温度超过75℃，盘内温度超过75℃时，请充分考虑盘内通风问题。*安装时建议各方均留出20mm的空间。*请采用，电压电流反馈及电位器连接导线请分别用绞和线连接。*关于可控硅输出电压、电流的测量请使用测量非正弦量“有效值”的仪表。如：电磁式（动铁式）或电动势电压表、电流表。■技术规格:输入额定电压3ΦAC380V±15%,50Hz控制电源≤20VA输出额定电压输入电压的0～95%负载特性电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧主要控制特性控制信号0．DC4～20mA输入阻抗100Ω1．DC0～10mA输入阻抗100Ω2．DC0～5V输入阻抗>20KΩ3．DC0～10V输入阻抗>20KΩ4．其它信号（用户订货时提出）软起动时间1～10s，出厂时整定在2s故障报警LED显示，报警触点：AC250V/3A，阻性(故障时闭合)斜率设定范围0～***下点设定范围0～***保护断相保护输入电源断相时保护过流保护输出电流≥。半导体PN结在正向偏置时电流很大，反向偏置时电流很小。旋转可控硅货源
自由调节输出负载的能力较好。附图说明图1是本实用新型实施例相交流固态调压器的电路示意图。具体实施方式下面结合附图并通过实施例对本实用新型作进一步的详细说明，以下实施例是对本实用新型的解释而本实用新型并不局限于以下实施例。参见图1，本实施例一种单相交流固态调压器，其电路结构如下：整流桥的其中两个脚连接交流电源的两端，整流桥的其余两脚分别连接电阻R4的一端和稳压二极管的正极，稳压二极管的正极连接电容C4的一端和变压器B2输入端2，稳压二极管的负极连接电阻R4的另一端、光耦OC的脚4、NPN三极管T1的集电极、单结晶体管T2的发射极b2、单向可控硅SCR1的A极、单向可控硅SCR2的K极以及电源输出端1，所述光耦OC的脚1连接输入控制端的正极，光耦OC的脚2经由电阻R5连接输入控制端的负极，光耦OC的脚3连接NPN三极管T1的基极，NPN三极管T1的发射极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接电容C4的另一端以及单结晶体管T2的发射极b1，单结晶体管T2的发射极b1连接变压器B1的输入端1，变压器B1的输入端2连接变压器B2输入端1，变压器B1的输出端1连接电源输出端1，变压器B2的输出端2连接电源输出端2，所述单向可控硅SCR1的G极连接变压器B2的输出端1。无锡灵敏可控硅常用的半导体整流器有硅整流器和硒整流器，产品规格很多，电压从几十伏到几千伏，电流从几安到几千安。
选用具有温度补偿特性的2CW234系列硅稳压管作为基准源，并选择其稳定电压为6．4V。由特性较好的三端集成稳压器供电，限流电阻采用精密金属膜电阻R（温度系数约为±1×10－5／℃）。为了减小噪声的影响，将稳压管封装在盛油的小容器里，噪声指标将会有明显的改善。电压取样如图2所示。分别将调整管的集－射极电压经电阻分压，并将分压后的射极电压通过一电阻送入比较放大器反相端；在集电极电压的取样电路中串入一稳压管，由该管决定调整管压降大小。此处选3．3V。并将集电极电压减去稳压管稳压值后分压送入比较放大器的同相端。为保证取样精度，应使集－射极采样电阻完全对称，并选取温度特性较好、同一型号的精密金属膜电阻。比较放大器采用集成运放并接成负反馈。令R1＝R3，R2＝R4；设分压系数n＝R2／（R1＋R2）；集成运算放大器输出为Uo；放大系数为K；调整管集电极电压为UC；调整管发射极电压为UE；A点电压为UA；B点电压为UB；有：当调整管压降增大，UcE上升，使Uo增大，即触发器的控制电压Ub增大，而集成触发器KJ785是负极型的：控制电压增大，导通角减小。因此，触发脉冲后移，整流输出减小。可控硅整流担任***步的稳压工作。
2具体电路实现电路结构框图如图1所示。该电路选取单向桥式半控整流电路，降低了成本。大功率或大电流的稳压电源，一般采用L－C滤波电路。但是，大电流的滤波电抗器体积大，重量重，价格也较贵，因此，在该稳压电源的设计中仍采用大电容滤波。线性稳压器部分仍采用串联反馈调整型稳压器原理，构成一个闭环反馈系统。主要包括：调整管，取样电路，基准电压源，误差比较放大器。由于该稳压电源输出电流20A，电流很大，所以，为减小调整管功耗，采用并联形式，在本电源中，调整管用两个大功率三极管并联，使每管流过电流为10A左右。这样，每个管子的功耗不大于40W，减小了调整管功耗。调整管集电极电流为10A左右，因此应采用大功率晶体三极管，选取β＝40～50，这样，基极电流应达2×0．3A，即600mA。而一般集成运算放大器输出电流只有几十毫安级，不能让比较放大电路的输出端直接来推动调整管，因此在比较放大电路的输出端与调整管的基极之间，加入推动级，此处选择一个小功率三极管，构成复合管的形式。启动电阻Rc取2k。防振电容C取10μF。在稳压电路中，基准源是整个稳压系统工作的参考，稳压的**终效果取决于基准源的水平。因此，该电源中。整流器可以由真空管，引燃管，固态矽半导体二极管，汞弧等制成。
上海凯月电子科技有限公司是一家集科研开发、制造、销售于一体的高科技民营企业，专业生产销售可控硅触发器、大功率高精度可控硅触发板、电力调整器、软启动器、智能调压模块、中小型固态继电器、中频电源和节电设备等700多个产品规格。广泛应用于工业机床、加热设备、节能、电力驱动等自动化控制领域。
公司拥有先进的研发测试生产设备，雄厚的技术力量。公司视质量为企业***生命，严格按照国际ISO9001质量体系组织设计生产。产品均采用无铅自动焊接技术全自动电脑贴片生产，每台产品须通过电磁兼容测试，须在高温及高压环境下老化48小时工作以上，确保能够生产出高质量、高精度、高可靠的产品。主要技术指标均达国际标准。质量的优化，从而使本公司的销售网络广褒千里，纵横全国，部分产品远销中东、马来西亚、等***和中国台湾地区。 触发板应用于工业各领域的电压电流调节，用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧及各种整流装置等。旋转可控硅货源
三相恒压|恒流|恒功率晶闸管功率控制器是移相触发型的晶闸管电力控制器。旋转可控硅货源
正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极**致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:***，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，***垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介绍检测VMOS管的方法。旋转可控硅货源
上海凯月电子科技有限公司是一家有着雄厚实力背景、信誉可靠、励精图治、展望未来、有梦想有目标，有组织有体系的公司，坚持于带领员工在未来的道路上大放光明，携手共画蓝图，在上海市等地区的电子元器件行业中积累了大批忠诚的客户粉丝源，也收获了良好的用户口碑，为公司的发展奠定的良好的行业基础，也希望未来公司能成为*****，努力为行业领域的发展奉献出自己的一份力量，我们相信精益求精的工作态度和不断的完善创新理念以及自强不息，斗志昂扬的的企业精神将**上海凯月电子科技供应和您一起携手步入辉煌，共创佳绩，一直以来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，员工精诚努力，协同奋取，以品质、服务来赢得市场，我们一直在路上！
