菲涅尔透镜基本参数
  • 品牌
  • 芯华利,普恩,新加坡雅捷信
  • 型号
  • 型号丰富
  • 制作工艺
  • 集成,薄膜,厚膜,陶瓷
  • 输出信号
  • 模拟型,开关型,膺数字型
  • 材料物理性质
  • 半导体,导体,绝缘体,磁性材料
  • 材料晶体结构
  • 单晶,多晶,非晶
菲涅尔透镜企业商机

菲涅尔透镜基本工作原理十分简单:假设一个透镜的折射能量只只发生在光学表面(如:透镜表面),拿掉尽可能多的光学材料,而保留表面的弯曲度。另外一种理解就是,透镜连续表面部分“坍陷”到一个平面上。从剖面看,其表面由一系列锯齿型凹槽组成,中心部分是椭圆型弧线。每个凹槽都与相邻凹槽之间角度不同,但都将光线集中一处,形成中心焦点,也就是透镜的焦点。每个凹槽都可以看做一个单独的小透镜,把光线调整成平行光或聚光。这种透镜还能够消除部分球形像差。菲涅尔透镜的应用发展趋势。中山vr菲涅尔透镜

一个或多个***vcsel和一个或多个第二vcsel被配置为发射红外辐射。示例14包括示例10至13中任一项的主题,其中,一个或多个***vcsel中的每个***vcsel被配置为发射具有两个或更多个横向模式的辐射。示例15包括示例14的主题,其中,一个或多个第二vcsel中的每个第二vcsel被配置为发射具有单个横向模式的辐射。示例16包括示例10至15中任一项的主题,其中,激光源还包括在衬底的表面上的一个或多个第三垂直腔面发射激光器(vcsel)结构,每个第三vcsel结构具有不同于***孔径宽度和第二孔径宽度的第三孔径宽度并且单独地在衬底的表面上方延伸。示例17包括一种降低来自激光源的斑点噪声的方法。该方法包括:从布置在衬底上的一个或多个***vcsel结构发射具有***波长的辐射;以及从布置在衬底上的一个或多个第二vcsel结构发射具有第二波长的辐射,其中,第二波长不同于***波长。具有***波长的辐射包括***数目的横向模式,具有第二波长的辐射包括第二数目的横向模式,第二数目的横向模式不同于***数目的横向模式。示例18包括示例17的主题,其中,发射具有***波长的辐射包括发射红外辐射,并且其中,发射具有第二波长的辐射包括发射红外辐射。示例19包括示例17或18的主题,其中。佛山zemax 菲涅尔透镜菲涅尔透镜组生产厂家电话多少?

菲涅尔透镜在很多时候相当于红外线及可见光的凸透镜,效果较好,但成本比普通的凸透镜低很多。多用于对精度要求不是很高的场合,如幻灯机、薄膜放大镜、红外探测器等。菲涅尔透镜利用透镜的特殊光学原理,在探测器前方产生一个交替变化的“盲区”和“高灵敏区”,以提高它的探测接收灵敏度。当有人从透镜前走过时,人体发出的红外线就不断地交替从“盲区”进入“高灵敏区”,这样就使接收到的红外信号以忽强忽弱的脉冲形式输入,从而强其能量幅度。

菲涅尔透镜现阶段主要应用领域包括投影以及太阳能光伏领域。因为菲涅尔透镜射出的光线边缘较为柔和,故它常用在染色灯上。在透镜前方的支架上放置一块有颜色的塑料膜给光线染色,也可放置金属纱网或磨砂塑料使光线弥散。许多含有菲涅尔透镜的设备都允许灯在焦点前后移动,以放大或缩小光束的大小,其非常适合在透镜式投影仪、背投电视、幻灯机以及准直器上使用。不只因为透过它的光线比透过普通透镜的亮度高,也由于透过它的整束光线在各个部位的亮度都相对一致。菲涅尔透镜规格厂家供应。

该计算机或计算系统或类似电子计算设备将被表示为计算机系统的寄存器和/或存储器单元内的物理量(例如,电子的)的数据操纵和/或变换为被类似地表示为寄存器、存储器单元、或者计算机系统的其他这种信息存储传输或显示器中的物理量的其他数据。实施例不限于本上下文。本文中的任意实施例中使用的术语“电路”或“电子电路”可以包括例如,单独或组合的硬连线电路、诸如包括一个或多个个体指令处理核的计算机处理器的可编程电路、状态机电路、和/或存储由可编程电路执行的指令的固件。电子电路可以包括被配置为执行一个或多个指令以执行本文描述的一个或多个操作的处理器和/或控制器。指令可以被具体化为例如,被配置为促使电子电路执行任意前述操作的应用、软件、固件等。软件可以被具体化为软件包、代码、指令、指令集、和/或记录在计算机可读存储设备上的数据。在层级方式中,软件可以被具体化或实现为包括任意数目的过程,并且这些过程又可以被具体化或实现为包括任意数目的线程等。固件可以被具体化为硬编码(例如,非易失性)在存储器设备中的代码、指令或指令集、和/或数据。电子电路可以统一或分别被具体化为形成更大的系统的一部分的电路,该更大的系统是例如。菲涅尔透镜卖家厂家供应。自动化菲涅尔透镜售价

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图3示出了根据实施例的光源202或者光源202的至少一部分的自顶向下的视图。光源202包括衬底302,该衬底具有布置在衬底302的表面上的多个vcsel结构304。在一些实施例中,衬底302可以是:包括第iv族半导体材料(例如,si、ge、sige)、第iii-v族半导体材料(例如,gaas、gaassb、gaasin)、和/或根据本公开将明白的任何一种或多种其他适当材料的大块衬底;绝缘体上的x(xoi)结构,其中,x是前述材料(例如,第iv和/或iii-v族半导体材料)之一,绝缘体材料是氧化物材料或介电材料或者一些其他电绝缘材料,从而xoi结构包括两个半导体层之间的电绝缘材料层;或者一些其他适当的多层结构,其中,顶层包括前述半导体材料(例如,第iv和/或iii-v族半导体材料)之一。这里使用的“第iv族半导体材料”(或“第iv族材料”或统称“iv”)在包括至少一种第iv族元素(例如,硅、锗、碳、锡),例如,硅(si)、锗(ge)、硅锗(sige)等。这里使用的“第iii-v族半导体材料”(或“第iii-v族材料”或统称“ii-v”)包括至少一种第iii族元素(例如,铝、镓、铟)和至少一种第v族元素(例如,氮、磷、砷、锑、铋),例如,砷化镓(gaas)、砷化镓铟(ingaas)、砷化铝铟(inalas)、磷化镓(gap)、锑化镓(gasb)、磷化铟。中山vr菲涅尔透镜

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