电镀铜工序包括种子层制备、图形化、电镀三大环节，涌现多种设备方案。电镀铜 工艺尚未定型，各环节技术方案包括（1）种子层：设备主要采用 PVD，主要技术分歧 在于是否制备种子层、制备整面/局部种子层和种子层金属选用；（2）图形化：感光材料 分为干膜和油墨，主要技术分歧在于曝光显影环节选用掩膜类光刻/LDI 激光直写/激光 开槽；（3）电镀：主要技术分歧在于水平镀/垂直镀/光诱导电镀。釜川（无锡）智能科技有限公司，以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品，打造光伏设备一体化服务。拥有强大的科研团队，凭借技术竞争力，在清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、电镀铜设备等方面都有独特优势；以高效加工制造、快速终端交付的能力，为客户提供整线工艺设备的交付服务。电镀铜工艺是一种低成本、高效的金属表面处理技术，能够提高生产效率和降低成本。苏州光伏电镀铜设备组件
电镀铜导电性与发电效率双重提升金属栅线电极与透明导电膜之间形成一个非整流的接触——欧姆接触，欧姆接触效果决定电池导电性与发电效率能否达到适合。影响欧姆接触效果的因素有接触面紧密结合度、栅线材料电阻率，电阻率越大，电池片对电子或载流子的负荷越高，电子或载流子的通过率越差。铜栅线导电性强于银浆。铜的导电性与银相近，但银浆属于混合物胶体，铜栅线是纯铜，因此铜栅线的电阻率更低，铜栅线电阻率是1.7Ω/m，银浆的电阻率大约为5-10Ω/m。苏州异质结电镀铜电镀铜设备电镀环节主要包括水平镀、垂直镀、光诱导电镀等。
光伏电镀铜设备工艺铜栅线更细，线宽线距尺寸小，发电效率更高。栅线细、线宽线距小意味着栅线密度更大，更多的栅线可以更好地将光照产生的内部载流子通过电流形式导出电池片，从而提高发电效率，铜电镀技术电池转化效率比丝网印刷高0.3%~0.5%。①低温银浆较为粘稠，印刷宽度更宽。高温银浆印刷线宽可达到20μm，但是低温银浆印刷的线宽大约为40μm。②铜电镀铜离子沉积只有电子交换，栅线宽度更小。铜电镀的线宽大约为20μm，采用类半导体的光刻技术可低于20μm。
电镀铜光刻技术是指利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将设计好的微图形结构转移到覆有感光材料的晶圆、玻璃基板、覆铜板等基材表面上的微纳制造技术。光刻设备是微纳制造的一种关键设备，在泛半导体领域，根据是否使用掩膜版，光刻技术主要分为直写光刻与掩膜光刻，其中掩膜光刻可进一步分为接近/接触式光刻以及投影式光刻。掩膜光刻由光源发出的光束，经掩膜版在感光材料上成像，具体可分为接近、接触式光刻以及投影光刻。其中，投影式光刻更加先进，能够在使用相同尺寸掩膜版的情况下获得更小比例的图像，从而实现更精细的成像。直写光刻也称无掩膜光刻，是指计算机将电路设计图形转换为机器可识别的图形数据，并由计算机控制光束调制器实现图形的实时显示，再通过光学成像系统将图形光束聚焦成像至已涂覆感光材料的基板表面上，直接进行扫描曝光。直写光刻既具有投影光刻的技术特点，如投影成像技术、双台面技术、步进式扫描曝光等，又具有投影光刻不具备的高灵活性、低成本以及缩短工艺流程等技术特点。电镀铜具有高纯度和高密度，可以增强金属的整体性能和美观度。
电镀铜的电流效率是指在电镀过程中，实际沉积在工件表面的铜质量与理论上应沉积的铜质量之比。电流效率的计算公式为：电流效率=实际沉积铜质量/理论沉积铜质量×100%其中，实际沉积铜质量可以通过称量电镀前后工件的重量差来计算，而理论沉积铜质量则可以通过法拉第电解定律来计算。法拉第电解定律表明，在相同的电流密度下，电解质量与电流时间成正比，与电解液中离子浓度成正比。因此，在电镀铜的过程中，需要控制电流密度和电解液中铜离子的浓度，以提高电流效率。同时，还需要注意电镀过程中的温度、搅拌速度、PH值等因素，以保证电镀质量的稳定性和一致性。电镀铜技术路线是对传统丝网印刷环节的替代，可以分为“种子层制备 +图形化+金属化+后处理”四大环节。釜川电镀铜金属化设备
光伏电镀铜工艺，降本增效。苏州光伏电镀铜设备组件
铜电镀与传统丝网印刷的差异主要在TCO膜制备工序之后，前两道的工艺制绒与PVD溅射未变：传统异质结产线在TCO膜制备之后采用银浆印刷和烧结，而铜电镀则把银浆丝网印刷替换成制备铜栅线的图形化和金属化两大工序。图形化工艺：PVD（气相沉积法）设备在硅片TCO表面溅射一层100nm的铜种子层，使用石蜡或油墨印刷机（掩膜一体机）的湿膜法制作掩膜/喷涂感光胶，印刷、烘干后经过曝光机曝光处理后，将感光胶或光刻胶上的图形显影。金属化工艺：特定图形的铜沉积（电镀铜），然后使用不同的抗氧化方法进行处理（电镀锌或使用抗氧化剂制作保护层），除去之前的掩膜/感光胶，刻蚀去除多余铜种子层，避免电镀铜在种子层腐蚀过程中引入缺陷，露出原本的TCO，其后再进行表面处理，至此形成完整的铜电镀工序。整个过程使用的主要设备是电镀设备。苏州光伏电镀铜设备组件
