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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG®510晶圆键合机系统:用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容。特色:EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学、研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。EVG键合机可配置为黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩工艺。广西EVG620键合机

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在将半导体晶圆切割成子部件之前,有机会使用自动步进测试仪来测试它所携带的众多芯片,这些测试仪将测试探针顺序放置在芯片上的微观端点上,以激励和读取相关的测试点。这是一种实用的方法,因为有缺陷的芯片不会被封装到ZUI终的组件或集成电路中,而只会在ZUI终测试时被拒绝。一旦认为模具有缺陷,墨水标记就会渗出模具,以便于视觉隔离。典型的目标是在100万个管芯中,少于6个管芯将是有缺陷的。还需要考虑其他因素,因此可以优化芯片恢复率。三维芯片键合机三维芯片应用旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。

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晶圆级封装在封装方式上与传统制造不同。该技术不是将电路分开然后在继续进行测试之前应用封装和引线,而是用于集成多个步骤。在晶片切割之前,将封装的顶部和底部以及焊锡引线应用于每个集成电路。测试通常也发生在晶片切割之前。像许多其他常见的组件封装类型一样,用晶圆级封装制造的集成电路是一种表面安装技术。通过熔化附着在元件上的焊球,将表面安装器件直接应用于电路板的表面。晶圆级组件通常可以与其他表面贴装设备类似地使用。例如,它们通常可以在卷带机上购买,以用于称为拾取和放置机器的自动化组件放置系统。

EVG®850键合机 EVG®850键合机特征 生产系统可在高通量,高产量环境中运行 自动盒带间或FOUP到FOUP操作 无污染的背面处理 超音速和/或刷子清洁 机械平整或缺口对准的预键合 先进的远程诊断 技术数据 晶圆直径(基板尺寸) 100-200、150-300毫米 全自动盒带到盒带操作 预键合室 对准类型:平面到平面或凹口到凹口 对准精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1° 结合力:ZUI高5N 键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活 真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件) 清洁站 清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选) 腔室:由PP或PFA制成(可选) 清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(ZUI大)。2%浓度(可选) 旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成 旋转:ZUI高3000rpm(5s)针对高级封装,MEMS,3D集成等不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个键合模块。

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EVGroup开发了MLE™(无掩模曝光)技术,通过消除与掩模相关的困难和成本,满足了HVM世界中设计灵活性和蕞小开发周期的关键要求。MLE™解决了多功能(但缓慢)的开发设备与快速(但不灵活)的生产之间的干扰。它提供了可扩展的解决方案,可同时进行裸片和晶圆级设计,支持现有材料和新材料,并以高可靠性提供高速适应性,并具有多级冗余功能,以提高产量和降低拥有成本(CoO)。EVG的MLE™无掩模曝光光刻技术不仅满足先进封装中后端光刻的关键要求,而且还满足MEMS,生物医学和印刷电路板制造的要求。EVG键合机通过在高真空,精确控制的真空、温度或高压条件下键合,可以满足各种苛刻的应用。EVG520键合机美元价格

键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬底智造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等应用很实用的技术。广西EVG620键合机

阳极键合是晶片键合的一种方法,广FAN用于微电子工业中,利用热量和静电场的结合将两个表面密封在一起。这种键合技术ZUI常用于将玻璃层密封到硅晶圆上。也称为场辅助键合或静电密封,它类似于直接键合,与大多数其他键合技术不同,它通常不需要中间层,但不同之处在于,它依赖于当离子运动时表面之间的静电吸引对组件施加高电压。可以使用阳极键合将金属键合到玻璃上,并使用玻璃的薄中间层将硅键合到硅上。但是,它特别适用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的碱金属(例如钠),以提供可移动的正离子。通常使用一种特定类型的玻璃,其中包含约3.5%的氧化钠(Na2O)。广西EVG620键合机

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