EVG®850DB自动解键合机系统全自动解键合，清洁和卸载薄晶圆特色技术数据在全自动解键合机中，经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗，而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光，热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法，都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。特征在有形和无形的情况下，都能可靠地处理变薄的、弯曲和翘曲的晶片自动清洗解键合晶圆程序控制系统实时监控和记录所有相关过程参数自动化工具中完全集成的SECS/GEM界面适用于不同基板尺寸的桥接工具功能模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量技术数据晶圆直径（基板尺寸）高达300毫米高达12英寸的薄膜面积组态解键合模块清洁模块薄膜裱框机选件ID阅读多种输出格式高形貌的晶圆处理翘曲的晶圆处理 EVG的GEMINI FB XT集成熔融键合系统，扩展了现有标准，并拥有更高的生产率，更高的对准和涂敷精度。高精度晶圆键合机服务商推荐
Plessey工程副总裁JohnWhiteman解释说：“GEMINI系统的模块化设计非常适合我们的需求。在一个系统中启用预处理，清洁，对齐（对准）和键合，这意味着拥有更高的产量和生产量。EVG提供的有质服务对于快速有效地使系统联机至关重要。”EVG的执行技术总监PaulLindner表示：“我们很荣幸Plessey选择了我们蕞先进的GEMINI系统来支持其雄心勃勃的技术开发路线图和大批量生产计划。”该公告标志着Plessey在生产级设备投资上的另一个重要里程碑，该设备将GaN-on-Si硅基氮化镓单片microLED产品推向市场。 高精度晶圆键合机服务商推荐EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺，这对当今和未来的器件制造是至关重要。
EVG®850LT特征利用EVG的 LowTemp™ 等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量，高产量环境中运行盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°结合力：蕞高5N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件）
EVG®850键合机EVG®850键合机特征生产系统可在高通量，高产量环境中运行自动盒带间或FOUP到FOUP操作无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50µm，θ：±°结合力：ZUI高5N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件）清洁站清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％浓度（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成旋转：ZUI高3000rpm。 晶圆级涂层、封装，工程衬底知造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底，如SOI（绝缘体上硅）。
Smart View NT键合机特征 适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置） 用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 通用键合对准器（面对面，背面，红外和透明对准） 无需Z轴运动，也无需重新聚焦 基于Windows的用户界面 将键对对准并夹紧，然后再装入键合室手动或全自动配置（例如：在GEMINI系统上集成） Smart View ® NT选件 可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统，EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统 技术数据 基板/晶圆参数 尺寸：150-200、200-300毫米 厚度：0.1-5毫米 蕞/高堆叠高度：10毫米 自动对准 标准 处理系统 3个纸盒站（蕞/大200毫米）或2个FOUP加载端口（300毫米）晶圆级涂层、封装，工程衬底zhi造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底，如SOI（绝缘体上硅）。6 英寸晶圆键合机推荐产品
EVG键合机的键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。高精度晶圆键合机服务商推荐
EVG®810LT技术数据晶圆直径（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp™等离子活化室工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）通用质量流量控制器：自校准（高达20.000sccm）真空系统：9x10-2mbar腔室的打开/关闭：自动化腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）可选功能：卡盘适用于不同的晶圆尺寸无金属离子活化混合气体的其他工艺气体带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3mbar基本压力符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统Si：Si/Si，Si/Si（热氧化，Si（热氧化）/Si（热氧化）TEOS/TEOS（热氧化）绝缘体锗（GeOI）的Si/GeSi/Si3N4玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃化合物半导体：GaAs，GaP，InP聚合物：PMMA，环烯烃聚合物用户可以使用上述和其他材料的“ZUI佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）高精度晶圆键合机服务商推荐
