F60系列生产环境的自动测绘FilmetricsF60-t系列就像我们的F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率，但它增加了许多用于生产环境的功能。这些功能包括凹槽自动检测、自动基准确定、全封闭测量平台、预装软件的工业计算机，以及升级到全自動化晶圆传输的机型。不同的F60-t仪器根据波长范围加以区分。较短的波长(例如，F60-t-UV)一般用于测量较薄的薄膜，而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。包含的内容：集成平台/光谱仪/光源装置（不含平台）4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准真空泵备用灯所有的 Filmetrics 型号都能通过精确的光谱反射建模来测量厚度 (和折射率)。ITO导电膜膜厚仪现场服务
集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度多层膜膜厚仪保修期多久F30样品层:分子束外延和金属有机化学气相沉积: 可以测量平滑和半透明的，或轻度吸收的薄膜。
FSM8018VITE测试系列设备VITE技术介绍：VITE是傅里叶频域技术，利用近红外光源的相位剪切技术（Phasesheartechnology）设备介绍适用于所有可让近红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业,而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。测量范例氮化硅薄膜作为电介质，钝化层，或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中，我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系数。有趣的事，氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型，F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质，不管他们是富硅，贫硅，还是分子当量。F20-EXR测厚范围：15nm - 250µm；波长：380-1700nm。
不管您参与对显示器的基础研究还是制造，Filmetrics都能够提供您所需要的...测量液晶层-聚酰亚胺、硬涂层、液晶、间隙测量有机发光二极管层-发光、电注入、缓冲垫、封装对于空白样品，我们建议使用F20系列仪器。对于图案片，Filmetrics的F40用于测量薄膜厚度已经找到了显示器应用广范使用。测量范例此案例中，我们成功地测量了蓝宝石和硼硅玻璃基底上铟锡氧化物薄膜厚度。与Filmetrics专有的ITO扩散模型结合的F10-RTA-EXR仪器，可以很容易地在380纳米到1700纳米内同时测量透射率和反射率以确定厚度，折射率，消光系数。由于ITO薄膜在各种基底上不同寻常的的扩散，这个扩展的波长范围是必要的。FSM413SP半自动机台人工取放芯片。官方授权分销膜厚仪供应商家
一般较短波长 (例如， F50-UV) 可用于测量较薄的薄膜，而较长波长可以测量更厚、更不平整和更不透明的薄膜。ITO导电膜膜厚仪现场服务
厚度标准：所有Filmetrics厚度标准都是得到验证可追溯的NIST标准。S-Custom-NIST：在客户提供的样品上定制可追溯的NIST厚度校准。TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约3100A，4"晶圆。TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约10000A，4"晶圆。TS-Hardcoat-4µm：丙烯酸塑料硬涂层厚度标准，厚度大约4um，直径2"。TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂层，可用于透射测量。TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约4um，直径2"。TS-Parylene-8um：硅基上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约8um，23mmx23mm。TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度标准，厚度大约7200A，4"晶圆。TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的NISTSiO2-4-7200厚度标准。TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅标准:125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和10000埃米(+/-10%误差)，6英寸晶圆。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3样品平台設計之二氧化硅厚度标准片,厚度大约為8000A。ITO导电膜膜厚仪现场服务
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