熔融和混合键合系统：熔融或直接晶圆键合可通过每个晶圆表面上的介电层长久连接，该介电层用于工程衬底或层转移应用，例如背面照明的CMOS图像传感器。混合键合扩展了与键合界面中嵌入的金属焊盘的熔融键合，从而允许晶片面对面连接。混合绑定的主要应用是高级3D设备堆叠。EVG的熔融和混合键合设备包含：EVG301单晶圆清洗系统；EVG320自动化单晶圆清洗系统；EVG810LT低温等离子基活系统；EVG850LTSOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统；EVG850SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统；GEMINIFB自动化生产晶圆键合系统；BONDSCALE自动化熔融键合生产系统。同时，EVG研发生产的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。天津键合机技术支持
EVG®850LT特征利用EVG的 LowTemp™ 等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量，高产量环境中运行盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°结合力：蕞高5N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件）EVG850 DB键合机三维芯片应用EVG键合机跟应用相对应，键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。
EVG®301特征使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁单面清洁刷（选件）用于晶圆清洗的稀释化学品防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程选件带有红外检查的预键合台非SEMI标准基材的工具技术数据晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米清洁系统开室，旋转器和清洁臂腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成旋转：蕞高3000rpm（5秒内）超音速喷嘴频率：1MHz（3MHz选件）输出功率：30-60W去离子水流量：蕞高1.5升/分钟有效清洁区域：Ø 4.0mm材质：聚四氟乙烯
EVG的晶圆键合机键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。以上的键合机由岱美仪器供应并提供技术支持。 EVG键合机晶圆键合类型如下：阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。
在将半导体晶圆切割成子部件之前，有机会使用自动步进测试仪来测试它所携带的众多芯片，这些测试仪将测试探针顺序放置在芯片上的微观端点上，以激励和读取相关的测试点。这是一种实用的方法，因为有缺陷的芯片不会被封装到ZUI终的组件或集成电路中，而只会在ZUI终测试时被拒绝。一旦认为模具有缺陷，墨水标记就会渗出模具，以便于视觉隔离。典型的目标是在100万个管芯中，少于6个管芯将是有缺陷的。还需要考虑其他因素，因此可以优化芯片恢复率。 EVG的GEMINI系列是顶及大批量生产系统，同时结合了自动光学对准和键合操作功能。当地价格键合机技术服务
晶圆键合机系统 EVG®520 IS，拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能；200 mm的单个或双腔自动化系统。天津键合机技术支持
在键合过程中，将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间，加热至752-932℃（华氏400-500摄氏度），和几百到千伏的电势被施加，使得负电极，这就是所谓的阴极，是在接触在玻璃中，正极（阳极）与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动，在与硅片的边界附近留下少量的正电荷，然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移，并在到达边界时与硅反应，形成二氧化硅（SiO 2）。产生的化学键将两个组件密封在一起。天津键合机技术支持
