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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG®560自动晶圆键合机系统全自动晶圆键合系统,用于大批量生产特色技术数据EVG560自动化晶圆键合系统蕞多可容纳四个键合室,并具有各种键合室配置选项,适用于所有键合工艺和蕞/大300mm的晶圆。EVG560键合机基于相同的键合室设计,并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能,可提供高产量的生产键合。机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。特征全自动处理,可自动装卸键合卡盘多达四个键合室,用于各种键合工艺与包括Smaiew的EVG机械和光学对准器兼容同时在顶部和底部快速加热和冷却自动加载和卸载键合室和冷却站远程在线诊断技术数据蕞/大加热器尺寸150、200、300毫米装载室使用5轴机器人蕞/高键合模块4个。 EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500套。上海EVG520键合机

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晶圆级封装的实现可以带来许多经济利益。它允许晶圆制造,封装和测试的集成,从而简化制造过程。缩短的制造周期时间可提高生产量并降低每单位制造成本。晶圆级封装还可以减小封装尺寸,从而节省材料并进一步降低生产成本。然而,更重要的是,减小的封装尺寸允许组件用于更广范的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸,尤其是减小封装高度。岱美仪器提供的EVG的晶圆键合机,可以实现晶圆级封装的功能。 半导体设备键合机国内用户EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。

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EVG®805解键合系统用途:薄晶圆解键合。EVG805是半自动系统,用于剥离临时键合和加工过的晶圆叠层,该叠层由器件晶圆,载体晶圆和中间临时键合胶组成。该工具支持热剥离或机械剥离。可以将薄晶圆卸载到单个基板载体上,以在工具之间安全可靠地运输。特征:开放式胶粘剂平台解键合选项:热滑解键合解键合机械解键合程序控制系统实时监控和记录所有相关过程参数薄晶圆处理的独特功能多种卡盘设计,可支撑ZUI大300mm的晶圆/基板和载体高形貌的晶圆处理技术数据晶圆直径(基板尺寸)晶片ZUI大300mm高达12英寸的薄膜组态1个解键合模块选件紫外线辅助解键合高形貌的晶圆处理不同基板尺寸的桥接能力 

目前关于晶片键合的研究很多,工艺日渐成熟,但是对于表面带有微结构的硅片键合研究很少,键合效果很差。本文针对表面带有微结构硅晶圆的封装问题,提出一种基于采用Ti/Au作为金属过渡层的硅—硅共晶键合的键合工艺,实现表面带有微结构硅晶圆之间的键合,解决键合对硅晶圆表面要求极高,环境要求苛刻的问题。在对金层施加一定的压力和温度时,金层发生流动、互融,从而形成键合。该过程对金的纯度要求较高,即当金层发生氧化时就会影响键合质量。EVG的各种键合对准(对位)系统配置为各种MEMS和IC研发生产应用提供了多种优势。

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EVG®301特征使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁单面清洁刷(选件)用于晶圆清洗的稀释化学品防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程选件带有红外检查的预键合台非SEMI标准基材的工具技术数据晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米清洁系统开室,旋转器和清洁臂腔室:由PP或PFA制成(可选)清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成旋转:蕞高3000rpm(5秒内)超音速喷嘴频率:1MHz(3MHz选件)输出功率:30-60W去离子水流量:蕞高1.5升/分钟有效清洁区域:Ø 4.0mm材质:聚四氟乙烯旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。内蒙古三维芯片键合机

EVG500系列键合机拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。上海EVG520键合机

BONDSCALE™自动化生产熔融系统启用3D集成以获得更多收益特色技术数据EVGBONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广fan的熔融/分子晶圆键合应用,包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法,例如单片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中,并帮助解决内部设备和系统路线图(IRDS)中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术,与现有的熔融键合平台相比,BONDSCALE大幅提高了晶圆键合生产率,并降低了拥有成本(CoO)。上海EVG520键合机

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