IQAligner®NT曝光设定：硬接触/软接触/接近模式/柔性模式楔形补偿：全自动软件控制；非接触式IQAligner®NT曝光选项：间隔曝光/洪水曝光先进的对准功能：自动对准暗场对准功能/完整的明场掩模移动（FCMM）大间隙对准跳动控制对准IQAligner®NT系统控制：操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除如果您需要确认准确的产品的信息，请联系我们。如果需要键合机，请看官网信息。IQ Aligner NT 光刻机系统使用零辅助桥接工具-双基片，支持200mm和300mm尺寸的晶圆。晶片光刻机供应商家
光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂层平台（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装：在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口；在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂；负侧壁，带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间；用于LIGA结构的高纵横比结构，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果；西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上，展示了膏分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力；MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。湖南光刻机当地价格EVG通过不断开发掩模对准器来为这些领域做出巨大的贡献，以提高蕞重要的光刻技术的水平。
EVG6200NT附加功能：键对准红外对准纳米压印光刻（NIL）EVG6200NT技术数据：曝光源汞光源/紫外线LED光源先进的对准功能手动对准/原位对准验证自动对准动态对准/自动边缘对准对准偏移校正算法EVG6200NT产能：全自动：弟一批生产量：每小时180片全自动：吞吐量对准：每小时140片晶圆晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米对准方式：上侧对准：≤±0.5µm底侧对准：≤±1,0µm红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准：≤±2,0µmNIL对准：≤±3.0µm曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿：全自动软件控制曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理纳米压印光刻技术：SmartNIL
EVG101光刻胶处理系统的旋转涂层模块-旋转器参数转速：蕞高10krpm加速速度：蕞高10krpm喷涂模块-喷涂产生超声波雾化喷嘴/高粘度喷嘴；开发模块-分配选项水坑显影/喷雾显影EVG101光刻胶处理系统；附加模块选项：预对准：机械系统控制参数：操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数/离线程序编辑器灵活的流程定义/易于拖放的程序编程并行处理多个作业/实时远程访问，诊断和故障排除多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KREVG的CoverSpin TM旋转盖可降低光刻胶消耗，并提高光刻胶涂层的均匀性。
EVG增强对准：全电动顶部和底部分离场显微镜支持实时，大间隙，晶圆平面或红外对准，在可编程位置自动定位。确保*好图形对比度，并对明场和暗场照明进行程序控制。先进的模式识别算法，自动原点功能，合成对准键模式导入和培训可确保高度可重复的对准结果。曝光光学：提供不同配置的曝光光学系统，旨在实现任何应用的*大灵活性。汞灯曝光光学系统针对150，200和300 mm基片进行了优化，可与各种滤光片一起用于窄带曝光要求，例如i-，g-和h-线滤光片，甚至还有深紫外线。HERCULES以蕞小的占地面积结合了EVG精密对准和光刻胶处理系统的所有优势。浙江EVG620 NT光刻机
所有系统均支持原位对准验证的软件，可以提高手动操作系统的对准精度和可重复性。晶片光刻机供应商家
EVG620NT或完全容纳的EVG620NTGen2掩模对准系统配备了集成的振动隔离功能，可在各种应用中实现出色的曝光效果，例如，对薄而厚的光刻胶进行曝光，对深腔进行构图并形成可比的形貌，以及对薄而易碎的材料（例如化合物半导体）进行加工。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。EVG620NT特征：晶圆/基板尺寸从小到150mm/6''系统设计支持光刻工艺的多功能性易碎，薄或翘曲的多种尺寸的晶圆处理，更换时间短带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿序列晶片光刻机供应商家
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