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    延迟荧光掺杂剂152提供高的发光效率和相对宽的fwhm，以及延迟荧光掺杂剂152和磷光掺杂剂154二者都参与发光。因此，oledd1提供高的发光效率和改善的色彩连续性。参照图2，其为示出本公开内容的实施方案的oled的发光机理的示意图，“基质”中生成的激子通过德克斯振能量转移(dexterresonanceenergytransfer，dret)转移到延迟荧光掺杂剂“td”中，并且延迟荧光掺杂剂“td”的单线态能量“s1”和三线态能量“t1”中的至少部分通过dret转移到磷光掺杂剂“pd”中。因此，从磷光掺杂剂“pd”发射红色光。根据本发明的一方面，当磷光掺杂剂“pd”相对于延迟荧光掺杂剂“td”的重量百分比大于约5％时，延迟荧光掺杂剂“td”的能量可能被迅速转移到磷光掺杂剂“pd”中，使得只在磷光掺杂剂“pd”中产光，因此会难以实现由延迟荧光掺杂剂提供的高的发光效率和相对较宽的fwhm，并且会难以改善oled的发光效率和色彩连续性。因此，根据本发明的一方面，在oledd1中，磷光掺杂剂“pd”相对于延迟荧光掺杂剂“td”的重量百分比等于或小于约5％，推荐等于或小于约％，使得延迟荧光掺杂剂“td”的一部分能量保留在延迟荧光掺杂剂“td”中。因此。深圳强茂二极管代理商公司。南京整流二极管销售

    cgl280被定位在发光部分250与第二发光部分270之间。即，发光部分250和第二发光部分270通过cgl280连接。cgl280可以为包括n型cgl282和p型cgl284的p-n结型cgl。n型cgl282被定位在etl256与第二htl272之间，p型cgl284被定位在n型cgl282与第二htl272之间。在图5中，与作为阳极的电极220相邻的eml240包含作为绿色掺杂剂的延迟荧光掺杂剂242和作为红色掺杂剂的磷光掺杂剂244，与作为阴极的第二电极230相邻的第二eml260包含蓝色掺杂剂262。或者，与作为阳极的电极220相邻的eml240可以包含蓝色掺杂剂，与作为阴极的第二电极230相邻的第二eml260可以包含作为绿色掺杂剂的延迟荧光掺杂剂和作为红色掺杂剂的磷光掺杂剂。在oledd2中，发光部分250中的eml240包含作为绿色掺杂剂的延迟荧光掺杂剂242和作为红色掺杂剂的磷光掺杂剂244，并且磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比等于或小于约5％，推荐等于或小于约％。因此，由发光部分250提供红色波长范围的光和绿色波长范围的光。因此，包括发光部分250和包含蓝色掺杂剂262的第二发光部分270的oledd2发射白光。图6是根据本公开内容的显示装置的示意性截面图。图6的显示装置包括图5的根据第二实施方案的oled。如图6所示。深圳强茂二极管厂家华南强茂二极管代理商公司。

    ex4)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：30重量％，磷光掺杂剂：％)7.实施例5(ex5)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：30重量％，磷光掺杂剂：％)8.实施例6(ex6)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：30重量％，磷光掺杂剂：％)9.实施例7(ex7)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：30重量％，磷光掺杂剂：％)10.实施例8(ex8)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：20重量％，磷光掺杂剂：％)11.实施例9(ex9)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：20重量％，磷光掺杂剂：％)12.实施例10(ex10)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％，延迟荧光掺杂剂：40重量％，磷光掺杂剂：％)13.实施例11(ex11)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质：％。

    其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的宽长比之比为1:1:2:4；六pmos管、七pmos管和八pmos管的栅极均连接一pmos管的栅极，其源极均连接电源电压，其漏极分别通过一开关、二开关和三开关后连接所述一电流镜单元的输出端。具体的，所述二电流镜单元包括九pmos管，九pmos管的栅极连接三pmos管的栅极，其源极连接电源电压，其漏极连接所述二电流镜单元的输出端。具体的，所述一运算放大器的输出端和一pmos管的栅极之间还设置有一电平位移电路，所述二运算放大器的输出端和三pmos管的栅极之间还设置有二电平位移电路。具体的，所述一运算放大器和二运算放大器均采用折叠式共源共栅运放结构，所述一运算放大器包括十pmos管、十一pmos管、十二pmos管、十三pmos管、十四pmos管、十五pmos管、十六pmos管、十七pmos管、十八pmos管、十九pmos管、一nmos管、二nmos管、三nmos管、四nmos管、五nmos管、六nmos管、七nmos管、八nmos管和四电阻，其中十八pmos管和十九pmos管作为所述一运算放大器的输入对管，其衬底均连接电源电压；六nmos管的栅极连接七nmos管和八nmos管的栅极以及五nmos管的栅极和漏极并连接基准电流，其源极连接八nmos管的漏极。捷捷微二极管原厂渠道。

    栅极绝缘层324可以被图案化成具有与栅极电极330相同的形状。在栅极电极330上形成有由绝缘材料形成的层间绝缘层332。层间绝缘层332可以由无机绝缘材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光压克力(photo-acryl))形成。层间绝缘层332包括暴露半导体层322的两侧的接触孔334和第二接触孔336。接触孔334和第二接触孔336被定位在栅极电极330的两侧以与栅极电极330间隔开。接触孔334和第二接触孔336形成为穿过栅极绝缘层324。或者，当栅极绝缘层324被图案化成具有与栅极电极330相同的形状时，接触孔334和第二接触孔336形成为只穿过层间绝缘层332。在层间绝缘层332上形成有由导电材料(例如金属)形成的源电极340和漏电极342。源电极340和漏电极342相对于栅极电极330彼此间隔开，并且分别通过接触孔334和第二接触孔336接触半导体层322的两侧。半导体层322、栅极电极330、源电极340和漏电极342构成tfttr。tfttr用作驱动元件。在tfttr中，栅极电极330、源电极340和漏电极342被定位在半导体层322上方。即，tfttr具有共面结构。或者，在tfttr中，栅极电极可以被定位在半导体层下方，并且源电极和漏电极可以被定位在半导体层上方，使得tfttr可以具有倒置交错结构。乐山、强茂、捷捷微二极管找巨新科。肇庆稳压二极管稳压

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