在许多电子产品中,电容器是必不可少的电子元件,它在电路中的功能是整流器的平滑滤波、退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等等。电容器的类型和结构种类比较多,小伙伴们使用时,不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性,而且还必须了解在给定用途下的优缺点、机械或环境的限制条件等。电容定义:电容是表征电容器容纳电荷多少的物理量。电容的符号是C。公式:在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等。各单位的换算关系如下:1法拉(F)=1000毫法(mF)=1000000微法(μF)1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)。一个电容器,如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏,这个电容器的电容就是1法,电容是电容器的固有参数。对于平板电容器:ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离,k则是静电力常量。电容符号:电容是一种储能元件,储存的电场能量为:电容串联电路分析:串联后的等效电容容量倒数等于各个电容容量倒数之和;串联后的各个电容的电荷量相等;串联后的耐压等于各个电容电压之和。电容并联电路分析并联后的等效电容容量等于各个电容容量之和。国巨电容原装现货就找巨新科。龙华区国巨电容触摸屏
以抗电强度测试为例,根据标准,L、N侧为一次电路,需要与PE或GND之间为基本绝缘。因此,需要在L或N对GND之间加交流,持续近1分钟,期间相关漏电流不能超过标准规定值。因此,安规电容,有相当高的耐压要求,同时直流漏电流不能太大。常用的RJ45网口,为了减小EMI,常用到Bob-Smith电路,如下图所示:可以看到电容的耐压都是2kV以上,因为网口通常有变压器,220V交流电的L和N到网线有两个变压器隔离,是双重绝缘,L和N到网线之间也要进行抗电强度测试。双重绝缘,通常要求通过交流3kV或直流。安规电容有高耐压要求,通常使用瓷片电容或者小型薄膜电容。器件选型还要主要两点要求:和结构确认器件的长宽高;对插件封装器件不多时,是不是可以全部使用表贴器件,这样可以省掉波峰焊的工序。坪山区瓷片电容麦克风深圳华科电容代理商公司。
当然电容价格也会高一些。电容的用途非常多,主要有如下几种:隔直流:作用是阻止直流通过而让交流通过。旁路(去耦):为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。耦合:作为两个电路之间的连接,允许交流信号通过并传输到下一级电路滤波:这个对DIY而言很重要,显卡上的电容基本都是这个作用。温度补偿:针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响,而进行补偿,改善电路的稳定性。计时:电容器与电阻器配合使用,确定电路的时间常数。调谐:对与频率相关的电路进行系统调谐,比如手机、收音机、电视机。整流:在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。储能:储存电能,用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯,加热设备等等。(如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准,一个电容储存的电能可以供一个手机使用。
在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。损耗角正切:在规定频率的正弦电压下,电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。在实际应用中,电容器并不是一个纯电容,其内部还有等效电阻。C为电容器的实际电容量,Rs是电容器的串联等效电阻,Rp是介质的绝缘电阻,Ro是介质的吸收等效电阻。对于电子设备来说,要求Rs愈小愈好,也就是说要求损耗功率小,其与电容的功率的夹角δ要小。这个关系用下式来表达:tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs因此,在应用当中应注意选择这个参数,避免自身发热过大,以减少设备的失效性。频率特性随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律。电容器的识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如9μF/450V22μF/50V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或用数字表示。字母表示法:1m=1000μF4P7=1n=1000PF数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇,第三位数宇表示有效数字后面零的个数。深圳国巨电容代理商公司。
比如手机、收音机、电视机。储能:比如超级电容器,储存电能,用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯,加热设备等等。超级电容器。SuperCapacitor)超级电容器:一种相对传统电容器而言具有更高容量的一种电容器。是介于电容器和电池之间的储能器件,它既具有电容器可以快速充放电的特点,又具有电池的储能特性。通过极化电解质来储存能量,它与普通电容的大区别是它是一种电化学的物理部件,但本身并不进行化学反应,超级电容的储电量特别大,达到法拉级的电容量。由于具有功率密度高、循环寿命长、安全可靠等特点,现已已经被广泛应用于混合电动汽车、直流大功率输出设备等多个领域。超级电容器在结构上与电解电容器非常相似,两者的主要区别在于制造电极的材料。早期的超级电容器的电极采用碳,碳电极材料的表面积很大,电容的大小取决于表面积和电极的距离,这种碳电极的大表面积再加上很小的电极距离,使超级电容器的容值可以非常多数超级电容器可以做到法拉级,一般容值范围为1~5000F。[1]如何让超级电容器兼具高功率、高能量,长期以来科学家一直都在寻找理想的材料。巨新科是华科电容原产渠道。安规电容型号
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QualityFactor)和电感一样,可以定义电容的品质因数,也就是Q值,也就是电容的储存功率与损耗功率的比:Qc=(1/ωC)/ESRQ值对高频电容是比较重要的参数。自谐振频率(Self-ResonanceFrequency)由于ESL的存在,与C一起构成了一个谐振电路,其谐振频率便是电容的自谐振频率。在自谐振频率前,电容的阻抗随着频率增加而变小;在自谐振频率后,电容的阻抗随着频率增加而变小,就呈现感性;如下图所示:图出自TaiyoYuden的EMK042BJ332MC-W规格书二、电容的工艺与结构根据电容公式,电容量的大小除了与电容的尺寸有关,与电介质的介电常数(Permittivity)有关。电介质的性能影响着电容的性能,不同的介质适用于不同的制造工艺。常用介质的性能对比,可以参考AVX的一篇技术文档。AVXDielectricComparisonChart电容的制造工艺主要可以分为三大类:·薄膜电容(FilmCapacitor)·电解电容(ElectrolyticCapacitor)·陶瓷电容(CeramicCapacitor)1薄膜电容(FilmCapacitor)FilmCapacitor在国内通常翻译为薄膜电容,但和ThinFilm工艺是不一样的。为了区分,个人认为直接翻译为膜电容好点。薄膜电容是通过将两片带有金属电极的塑料膜卷绕成一个圆柱形,极后封装成型;由于其介质通常是塑料材料。龙华区国巨电容触摸屏
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