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    也称为塑料薄膜电容;其内部结构大致如下图所示:原图来自于维基百科薄膜电容根据其电极的制作工艺,可以分为两类:金属箔薄膜电容(Film/Foil)金属箔薄膜电容,直接在塑料膜上加一层薄金属箔,通常是铝箔,作为电极;这种工艺较为简单,电极方便引出,可以应用于大电流场合。金属化薄膜电容(MetallizedFilm)金属化薄膜电容,通过真空沉积(VacuumDeposited)工艺直接在塑料膜的表面形成一个很薄的金属表面,作为电极;由于电极厚度很薄,可以绕制成更大容量的电容;但由于电极厚度薄,只适用于小电流场合。金属化薄膜电容就是具有自我修复的功能,即假如电容内部有击穿损坏点,会在损坏处产生雪崩效应,气化金属在损坏处将形成一个气化集中面,短路消失,损坏点被修复;因此,金属化薄膜电容可靠性非常高,不存在短路失效;薄膜电容有两种卷绕方法:有感绕法在卷绕前,引线就已经和内部电极连在一起;无感绕法在绕制后,会采用镀金等工艺,将两个端面的内部电极连成一个面,这样可以获得较小的ESL,应该高频性能较高;此外,还有一种叠层型的无感电容,结构与MLCC类似,性能较好,便于做成SMD封装。极早的薄膜电容的介质材料是用纸浸注在油或石蜡中。深圳国巨电容代理商公司。龙华区车规 电容哪里买

    精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-。+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。额定电压在低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的长久损坏。电容器应用在高压场合时,必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的,它除了可以产生损坏设备的寄生信号外,还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下,电晕特别容易发生。对于所有的电容器,在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值。绝缘电阻直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻.当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越小越好。电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。损耗角正切(tgδ):电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。龙华区车规 电容哪里买风华车规电容原装现货。

    湿式的钽电容主要长这样:截图于Vishay技术文档引申阅读:·GuideforTantalumSolidElectrolyteChipCapacitorswithPolymerCathode·WetElectrolyteTantalumCapacitors铌电解电容(Niobiumelectrolyticcapacitors)铌电解电容与钽电解电容类似,就是铌及其氧化物代替钽;铌氧化物(五氧化二铌)的介电常数比钽氧化物(五氧化二钽)更高;铌电容的性能更加稳定,可靠性更高。AVX有铌电容系列产品,二氧化锰钽电容外观是黄色,而铌电容外观是橙红色,大致长这样:图片出自AVX网站引申阅读:·TantalumPolymerandNiobiumOxideCapacitors·OxiCap®-niobiumoxidecapacitor电解电容对比表,数据来源于维基百科,只供参考。引申阅读:·Electrolyticcapacitor3陶瓷电容(CeramicCapacitor)陶瓷电容是以陶瓷材料作为介质材料,陶瓷材料有很多种,介电常数、稳定性都有不同,适用于不同的场合。陶瓷电容,主要有以下几种:瓷片电容(CeramicDiscCapacitor)瓷片电容的主要优点就是可以耐高压,通常用作安规电容,可以耐250V交流电压。其外观和结构如下图所示:原图出自本小节两篇引申阅读引申阅读:·Capacitors|DE1serieslineup·CeramicCapacitor多层陶瓷电容。

    电容并联电路分析并联后的等效电容容量等于各个电容容量之和。并联后的各个电容两端电压相等;并联后的耐压取决于耐压小的那个电容电压。电容器的类型电容器是一种两块导体中间夹着一块绝缘体(介质)构成的电子元件。电容的类型按照容量是否可变分为固定电容器和可变电容器两大类;按照介质类型可分为无机介质电容器、有机介质电容器和电解电容器三大类。不同介质的电容,在结构、成本、特性、用途方面都大不相同。无机介质电容器:包括陶瓷电容以及云母电容等。在CPU上我们会经常看到陶瓷电容。陶瓷电容的综合性能很好,可以应用GHz级别的超高频器件上,比如CPU/GPU。当然,它的价格也很贵。云母电容(CY)电容量:10p--0。1μ额定电压:100V--7kV主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小。应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路高频瓷介电容(CC)电容量:1--6800p额定电压:63--500V主要特点:高频损耗小,稳定性好。应用于高频电路。低频瓷介电容(CT)电容量:10p--4。7μ额定电压:50V--100V主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差。应用:要求不高的低频电路玻璃釉电容(CI)电容量:10p--0。1μ额定电压:63--400V主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温。风华电容原装现货找巨新科。

    有电感、电容等所有系列的产品及相关参数曲线,非常全,不得不再次推荐一下:·SEAT2013-TDK·Simsurfing-Murata·TaiyoYudenComponentsSelectionGuide&DataLibraryClassI电容ClassI电容应用极多的是C0G电容,性能稳定,适用于谐振、匹配、滤波等高频电路。C0G电容的容值十分稳定,基本不随外界条件(频率除外)变化,下图是Murata一款1000pF电容的直流、交流及温度特性。图片来自GRM1555C1H102JA01-Murata通常只需要关注C0G电容的频率特性。下图是Murata的3款相同封装(0402inch)相同容差(5%)的10pF电容的频率特性对比。图片来自SimSurfing-Web-Murata其中GRM是普通系列,GJM是高Q值系列、GQM是高频系列,可见GQM系列高频性能更好,自谐振频率和Q值更高,一些高频性能要求很高的场合,可以选用容差1%的产品。而GRM系列比较便宜,更加通用,例如EMC滤波。ClassII和ClassIII电容ClassII和ClassIII电容都是高介电常数介质,性能不稳定,容值变化范围大,通常用作电源去耦或者信号旁路。以Murata一款22uF、、X5R电容为例,相关特性曲线:图片来自GRM188R60J226MEA0-Murata容值ClassII和ClassIII电容,容值随温度、DC偏置以及AC偏置变化范围较大。特别是用作电源去耦时。风华电容一级代理找巨新科。罗湖区CBB电容触摸屏

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    性能可以差距很大,总之阳极对于电容性能的影响远远小于阴极。可变电容器空气介质可变电容器可变电容量:100--1500p主要特点是损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等。应用:电子仪器,广播电视设备等薄膜介质可变电容器可变电容量:15--550p主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大。应用:通讯,广播接收机等薄膜介质微调电容器可变电容量:1--29p主要特点:损耗较大,体积小应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿陶瓷介质微调电容器可变电容量:主要特点:损耗较小,体积较小应用于精密调谐的高频振荡回路独石电容容量范围:ΜF耐压:二倍额定电压。应用范围:广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。独石又叫多层瓷介电容,分两种类型,1型性能挺好,但容量小,一般小于0。2U,另一种叫II型,容量大,但性能一般。简单的平行板电容器是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极。多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分:陶瓷介质,金属内电极,金属外电极。它是一个多层叠合的结构,由多个简单平行板电容器的并联体。独石电容的特点:电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定。龙华区车规 电容哪里买

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