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    附图说明此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一；图2是根据发明实施例的压降和温度的初始工作统计示意图；图3是根据发明实施例的压降和电流的初始工作统计示意图；图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二；图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图；图6是根据本发明实施例的热敏电阻ntc温度采集电路的示意图；图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图。具体实施方式下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不矛盾的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明的实施例提供了一种发光二极管的控制系统，图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一，如图1所示，该系统包括：发光二极管11、驱动板12、电压采集电路13、温度采集电路14和微控制器15；该温度采集电路14获取该发光二极管11良好温度值，并发送给该微控制器15；该电压采集电路14获取该发光二极管11的压差值。乐山稳压二极管原装现货。南京快恢复二极管哪里买

    r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。此外，m为2至5的整数，n为1至3的整数，以及m+n小于或等于6。例如，延迟荧光掺杂剂152可以选自式2。[式2]延迟荧光掺杂剂152可以由式3表示。[式3]在式3中，r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。此外，a和b分别由式3-1和式3-2表示。r9至r11各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。[式3-1][式3-2]例如，式3的延迟荧光掺杂剂152可以选自式4。[式4]磷光掺杂剂154可以由式5表示。[式5]在式5中，r1至r4各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺，以及r1与r2或r2与r3或r3与r4结合形成稠合的c6-c30芳族环。此外，n为1至3的整数。例如，磷光掺杂剂154可以选自式6。[式6]相对于延迟荧光掺杂剂152，磷光掺杂剂154的重量百分比等于或小于约5％。例如，磷光掺杂剂154相对于延迟荧光掺杂剂152的重量百分比可以为约％至％，并且推荐约％至％。尽管未示出，但eml150还包含基质。在eml150中。广州二极管销售强茂开关二极管原装现货。

    并且滤色器层380被布置在oledd2上方。或者，可以将来自oledd2的光设置成穿过电极220，并且可以将滤色器层380布置在oledd2与基板310之间。此外，在图6中，电极220与tfttr连接。或者，可以将第二电极230定位在tfttr与电极220之间并且可以使其与tfttr连接。来自oledd2的白色光穿过红色像素rp中的红色滤色器图案382、绿色像素gp中的绿色滤色器图案384和蓝色像素中的蓝色滤色器图案386，使得分别由红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp提供红色光、绿色光和蓝色光。在图6中，将oledd2用于包括红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp的显示装置300。或者，也将oledd2用于照明装置。图7是根据本公开内容的第三实施方案的oled的示意性截面图。如图7所示，oledd3包括电极410、第二电极412、在电极410与第二电极412之间的有机发光层414。有机发光层414包括：发光部分430，发光部分430包括eml420；第二发光部分450，第二发光部分450包括第二eml440；和第三发光部分470，第三发光部分470包括第三eml460；在发光部分430与第二发光部分450之间的cgl480；以及在第二发光部分450与第三发光部分470之间的第二cgl490。电极410为用于注入空穴的阳极并且包含高的功函数的导电材料例如ito或izo。

    一pmos管mp1和三pmos管mp3用于产生一电流镜单元偏置电压和二电流镜单元偏置电压。像素外偏置电压产生模块包括运放钳位和产生电流镜偏置两部分，运放钳位部分包括一运算放大器op1、二运算放大器op2、一电阻r1、二电阻r2、二pmos管mp2、四pmos管mp4。一运算放大器op1的正相输入端接基准电压vref，反相输入端接二pmos管mp2的源极即a点，a点通过运放钳位产生步进电压，步进电压的值通过基准电压vref设置，基准电压vref的大小即为想要实现的步进电压的值，一些实施例中基准电压vref和基准电流iref可由同一个带隙基准产生。二运算放大器op2的正相输入端接地，反相输入端接四pmos管mp4的源极即b点，b点通过运放钳位产生0v电压。产生电流镜偏置部分包括一pmos管mp1、三pmos管mp3，一pmos管mp1和三pmos管mp3分别与像素内偏压调节模块内的一电流镜单元和二电流镜单元构成电流镜结构，将流过一pmos管mp1和三pmos管mp3的电流进行镜像。像素内偏压调节模块包括一电流镜单元、二电流镜单元、三电阻r3和五pmos管mp5，一电流镜单元用于将流过一pmos管mp1的电流按比例镜像，二电流镜单元用于镜像流过三pmos管mp3的电流。原装强茂二极管采购。

    2.根据实施方案1所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂具有比较大发射波长，以及所述磷光掺杂剂具有比所述比较大发射波长更长的第二比较大发射波长。3.根据实施方案2所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比在％至％的范围内。4.根据实施方案3所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比在％至％的范围内。5.根据实施方案1所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂由式1表示：[式1]其中r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺，以及其中m为2至5的整数，n为1至3的整数，以及m+n小于或等于6。6.根据实施方案5所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂选自式2：[式2]7.根据实施方案1所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂由式3表示：[式3]其中r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。华强北乐山正规代理商。深圳品牌二极管代理商

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    其中a和b分别由式3-1和式3-2表示：[式3-1][式3-2]以及其中r9至r11各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。8.根据实施方案7所述的有机发光二极管，其中所述延迟荧光掺杂剂选自式4：[式4]9.根据实施方案1所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂由式5表示：[式5]其中r1至r4各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺，其中r1与r2或r2与r3或r3与r4结合以形成稠合的c6-c30芳族环，以及其中n为1至3的整数。10.根据实施方案9所述的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂剂选自式6：[式6]11.根据实施方案1所述的有机发光二极管，其中所述发光材料层还包含基质。12.根据实施方案11所述的有机发光二极管，其中相对于所述基质，所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比为20％至70％，以及所述磷光掺杂剂的重量百分比为％至2％。13.根据实施方案11所述的有机发光二极管，其中所述基质由式7-1或式7-2表示，[式7-1][式7-2]其中在式7-1中，x为o、s或nr，以及r为c6-c30芳基，其中在式7-1和式7-2中，y为o或s，以及其中在式7-1和式7-2中。南京快恢复二极管哪里买

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