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    当然电容价格也会高一些。电容的用途非常多，主要有如下几种：隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路滤波：这个对DIY而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作用。温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。（如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准，一个电容储存的电能可以供一个手机使用。风华高压电容原装现货。南山区电解电容质量好的

    精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-。+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。额定电压在低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的长久损坏。电容器应用在高压场合时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值。绝缘电阻直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越小越好。电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。损耗角正切(tgδ)：电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。盐田区陶瓷电容触摸屏国巨电容一级代理商。

    电容并联电路分析并联后的等效电容容量等于各个电容容量之和。并联后的各个电容两端电压相等；并联后的耐压取决于耐压小的那个电容电压。电容器的类型电容器是一种两块导体中间夹着一块绝缘体（介质）构成的电子元件。电容的类型按照容量是否可变分为固定电容器和可变电容器两大类；按照介质类型可分为无机介质电容器、有机介质电容器和电解电容器三大类。不同介质的电容，在结构、成本、特性、用途方面都大不相同。无机介质电容器：包括陶瓷电容以及云母电容等。在CPU上我们会经常看到陶瓷电容。陶瓷电容的综合性能很好，可以应用GHz级别的超高频器件上，比如CPU/GPU。当然，它的价格也很贵。云母电容（CY）电容量：10p--0。1μ额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小。应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路高频瓷介电容（CC）电容量：1--6800p额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好。应用于高频电路。低频瓷介电容（CT）电容量：10p--4。7μ额定电压：50V--100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差。应用：要求不高的低频电路玻璃釉电容（CI）电容量：10p--0。1μ额定电压：63--400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温。

    并且允许流过大量高频脉冲电流。另外，这种电解电容器，在高温环境下工作，工作寿命还须比较长。2承受温度与寿命在开关电源设计过程中，不可避免地要挑选适用的电容。就100μF以上的中、大容量产品来说，因为铝电解电容的价格便宜，所以，迄今使用的极为大范围。但是,极近几年却发生了明显变化，避免使用铝电解电容的情况正在增加。出现这种变化的一个原因是，铝电解电容的寿命往往会成为整个设备的薄弱环节。电源模块制造厂家的工程师表示：“对于铝电解电容这种寿命有限的元件，如果可以不用,就尽量不要采用。”因为铝电解电容内部的电解液会蒸发或产生化学变化，导致静电容量减少或等效串联电阻(ESR)增大,随着时间的推移，电容性能肯定会劣化。电解电容器的寿命与电容器长期工作的环境温度有直接关系，温度越高，电容器的寿命越短。普通的电解电容器在环境温度为90℃时已经损坏。但是现在有很多种类的电解电容器的工作环境温度已经很高在环境温度为90℃，通过电解电容器的交流电流和额定脉冲电流的比为，寿命仍然为10000h，但是如果温度上升到95℃时，电解电容器即已经损坏。因此，在选择电容器的时候，应该根据具体的环境温度和其它的参数指标来选定。华强北国巨正规代理商。

    引申阅读·ThinFilmCapacitor-AVX·Ceramiccapacitor·BMEandPMECeramic’sHiddenProperty-KEMET陶瓷介质的分类根据EIA-198-1F-2002，陶瓷介质主要分为四类：ClassI：具有温度补偿特性的陶瓷介质，其介电常数大都较低，不超过200。通常都是顺电性介质(Paraelectric)，温度、频率以及偏置电压下，介电常数比较稳定，变化较小。损耗也很低，耗散因数小于。截图自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors，Page26性质极稳定，应用极多的是C0G电容，也就是NP0。NP0是IEC/EN60384-1标准中规定的代号，即NegativePositiveZero，也就是用N和P来表示正负偏差。由于介电常数低，C0G电容的容值较小，极大可以做到，0402封装通常极大只有1000pF。ClassII，III：其中，温度特性A-S属于ClassII，介电常数几千左右。温度特性T-V属于ClassIII，介电常数极高可以到20000，可以看出ClassIII的性能更加不稳定。根据IEC的分类，ClassII和III都属于第二类，高介电常数介质。像X5R和X7R都是ClassII电容，在电源去耦中应用较多，而Y5V属于ClassIII电容，性能不太稳定，个人觉得现在应用不多了。截图自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors。风华电容代理商巨新科。坪山区电解电容器组

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